Buchumschlag

Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами

Исследованы полевые зависимости низкотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнитосопротивления гетероструктур с квантовыми ямами и селективным легированием в области ям. Концентрация примеси в квантовых ямах изменялась в пределах (1–7)∙10¹¹ см⁻² . Выполнен анализ экспериментальных результатов в р...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Вайнберг, В.В., Пилипчук, А.С., Порошин В.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75945
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 19-28. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
von: Гудина, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Об одной интерпретации некоторых результатов с квантовыми компьютерами
von: Сафонова, Н.В.
Veröffentlicht: (2006)

Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям
von: Вайнберг, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Вплив поверхневих явищ на селективно-розділові властивості рідкокристалічної нерухомої фази
von: Dzagania, M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Анализ основы информационных компонент системы функционирования книжно-журнальных изданий с селективно изменяемым наполнением
von: Петриашвили, Г.
Veröffentlicht: (2010)

Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
von: Руденко, Э.М., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
von: Двуреченский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Спектры комбинационного рассеяния света пористых нанокомпозитных пленок оксида алюминия с Si квантовыми точками
von: Стрельчук, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах
von: Шатерник, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах
von: Вайнберг, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных полупроводниковых гетероструктурах
von: Тимофеев, В.Б.
Veröffentlicht: (2012)

Спектроскопия бозонных возбуждений в гетероструктурах на основе манганитов
von: Белоголовский, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
von: Хижный, В.И.
Veröffentlicht: (2008)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
von: Вакуленко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Проявление сильного электронного полярного эффекта в сверхпроводящих свойствах аморфных металлов с квантовыми дефектами типа водорода
von: Жернов, А.П.
Veröffentlicht: (1996)

Оптические параметры нанокомпозитных плёнок пористого оксида алюминия c квантовыми точками кремния или германия
von: Ушенин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Оптическая спектроскопия экситона с пространственно разделенными электроном и дыркой в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия
von: Покутний, С.И.
Veröffentlicht: (2018)

Магнитные и релаксационные явления в плёночных гетероструктурах Si—TiN—Fe с углеродными нанотрубками
von: Руденко, Э.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Спиновая инжекция и эффект гигантской блокировки туннельного тока в гетероструктурах ферромагнетик–сверхпроводник
von: Руденко, Э.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
von: Шатерник, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
von: Балабай, Р.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
von: Жураев, Н., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
von: Юзефович, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
von: Королев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Подавление сверхпроводимости сильным магнитным полем в гетероструктурах PbTe/PbS cо сверхпроводящим интерфейсом
von: Бенгус, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃
von: Осинский, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Полуаналитический метод самосогласованного расчета структуры с одиночной квантовой ямой
von: Беличенко, Я.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Туннельная инжекция спин-поляризованного тока в гетероструктурах Co₂CrxFe₁₋xAl (x = 1, 0,6) – изолятор–сверхпроводник
von: Руденко, Э.М., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
von: Шаповалов, А.П.
Veröffentlicht: (2013)

Расчет прочности сталежелезобетонной обделки напорного туннеля с учетом работы бетона
von: Вайнберг, А.И.
Veröffentlicht: (2013)

Особенности бифуркации Хопфа в нелинейных цепях с электрической дугой
von: Сидорец, В.Н.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности сварки изделий с защитным эмалевым покрытием
von: Савицкий, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Особенности стеклования фуллерита С₆₀, насыщенного молекулами монооксида углерода: фотолюминесцентные исследования
von: Зиновьев, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Особенности взаимодействия ускоренных инов С₆₀ с поверхностью ITO мишени
von: Малеев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)