Зображення обкладинки

Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами

Исследованы полевые зависимости низкотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнитосопротивления гетероструктур с квантовыми ямами и селективным легированием в области ям. Концентрация примеси в квантовых ямах изменялась в пределах (1–7)∙10¹¹ см⁻² . Выполнен анализ экспериментальных результатов в р...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Дата:	2014
Автори:	Вайнберг, В.В., Пилипчук, А.С., Порошин В.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75945
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 19-28. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2016)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
за авторством: Гудина, С.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Об одной интерпретации некоторых результатов с квантовыми компьютерами
за авторством: Сафонова, Н.В.
Опубліковано: (2006)

Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям
за авторством: Вайнберг, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Вплив поверхневих явищ на селективно-розділові властивості рідкокристалічної нерухомої фази
за авторством: Dzagania, M., та інші
Опубліковано: (2010)

Анализ основы информационных компонент системы функционирования книжно-журнальных изданий с селективно изменяемым наполнением
за авторством: Петриашвили, Г.
Опубліковано: (2010)

Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2016)

Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
за авторством: Двуреченский, А.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Спектры комбинационного рассеяния света пористых нанокомпозитных пленок оксида алюминия с Si квантовыми точками
за авторством: Стрельчук, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах
за авторством: Вайнберг, В.В., та інші
Опубліковано: (2014)

О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных полупроводниковых гетероструктурах
за авторством: Тимофеев, В.Б.
Опубліковано: (2012)

Спектроскопия бозонных возбуждений в гетероструктурах на основе манганитов
за авторством: Белоголовский, М.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Проявление сильного электронного полярного эффекта в сверхпроводящих свойствах аморфных металлов с квантовыми дефектами типа водорода
за авторством: Жернов, А.П.
Опубліковано: (1996)

Оптические параметры нанокомпозитных плёнок пористого оксида алюминия c квантовыми точками кремния или германия
за авторством: Ушенин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Оптическая спектроскопия экситона с пространственно разделенными электроном и дыркой в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия
за авторством: Покутний, С.И.
Опубліковано: (2018)

Магнитные и релаксационные явления в плёночных гетероструктурах Si—TiN—Fe с углеродными нанотрубками
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2015)

Спиновая инжекция и эффект гигантской блокировки туннельного тока в гетероструктурах ферромагнетик–сверхпроводник
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2017)

Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
за авторством: Балабай, Р.М., та інші
Опубліковано: (2011)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
за авторством: Жураев, Н., та інші
Опубліковано: (2017)

Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
за авторством: Юзефович, О.И., та інші
Опубліковано: (2008)

Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)

Подавление сверхпроводимости сильным магнитным полем в гетероструктурах PbTe/PbS cо сверхпроводящим интерфейсом
за авторством: Бенгус, С.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃
за авторством: Осинский, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Полуаналитический метод самосогласованного расчета структуры с одиночной квантовой ямой
за авторством: Беличенко, Я.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Туннельная инжекция спин-поляризованного тока в гетероструктурах Co₂CrxFe₁₋xAl (x = 1, 0,6) – изолятор–сверхпроводник
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2016)

Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
за авторством: Шаповалов, А.П.
Опубліковано: (2013)

Расчет прочности сталежелезобетонной обделки напорного туннеля с учетом работы бетона
за авторством: Вайнберг, А.И.
Опубліковано: (2013)

Особенности бифуркации Хопфа в нелинейных цепях с электрической дугой
за авторством: Сидорец, В.Н.
Опубліковано: (2008)

Особенности сварки изделий с защитным эмалевым покрытием
за авторством: Савицкий, А.М., та інші
Опубліковано: (2006)

Особенности стеклования фуллерита С₆₀, насыщенного молекулами монооксида углерода: фотолюминесцентные исследования
за авторством: Зиновьев, П.В., та інші
Опубліковано: (2016)

Особенности взаимодействия ускоренных инов С₆₀ с поверхностью ITO мишени
за авторством: Малеев, М.В., та інші
Опубліковано: (2015)