Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS
Досліджено електрофізичні властивості в надвисокочастотному діапазоні та на низьких частотах полімерних нанокомпозитів на основі CuS/CdS і Cu₂S/CdS, синтезованих методом йонного заміщення у нановолокнах CdS з об’ємним вмістом CuS й Cu₂S від 0,015 до 0,15 в інтервалі температур 320–420 К. Показано, щ...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75949 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS / С.Л. Прокопенко, Г.М. Гуня, С.М. Махно, П.П. Горбик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 57-64. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859706204704473088 |
|---|---|
| author | Прокопенко, С.Л. Гуня, Г.М. Махно, С.М. Горбик, П.П. |
| author_facet | Прокопенко, С.Л. Гуня, Г.М. Махно, С.М. Горбик, П.П. |
| citation_txt | Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS / С.Л. Прокопенко, Г.М. Гуня, С.М. Махно, П.П. Горбик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 57-64. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Досліджено електрофізичні властивості в надвисокочастотному діапазоні та на низьких частотах полімерних нанокомпозитів на основі CuS/CdS і Cu₂S/CdS, синтезованих методом йонного заміщення у нановолокнах CdS з об’ємним вмістом CuS й Cu₂S від 0,015 до 0,15 в інтервалі температур 320–420 К. Показано, що значення комплексної діелектричної проникности при однакових концентраціях наночастинок CuS і Cu₂S для системи 0,3Cu₂S/CdS–полівініледенфторид (ПВДФ) більше на 40% в порівнянні з системою 0,3CuS/CdS–полівініледенфторид. А значення електропровідности 0,3Cu₂S/CdS–ПВДФ вище в 5 разів за рахунок утворення більш досконалої одновимірної кристалічної структури.
Polymer nanocomposites based on CuS/CdS and Cu₂S/CdS are synthesized by ion-exchange technique in nanofibre CdS with a concentration of CuS and Cu₂S from 0.015 to 0.15 and within the temperature range of 320–420 K, and their electrophysical properties are investigated. As shown, the value of complex permittivity at identical concentrations of nanoparticles of CuS and Cu₂S for the system 0.3Cu₂S/CdS–polyvinylidenefluoride (PVDF) is greater by more than 40% in comparison with the 0.3CuS/CdS–PVDF system, and values of electrical conductivity of the 0.3Cu₂S/CdS–PVDF system is 5 times higher due to the formation of higher-order perfect one-dimensional crystal structure.
Исследованы электрофизические свойства в сверхвысокочастотном диапазоне и на низких частотах полимерных нанокомпозитов на основе CuS/CdS и Cu₂S/CdS, синтезированных методом ионного замещения в нановолокнах CdS с объёмным содержанием CuS и Cu₂S от 0,015 до 0,15 в интервале температур 320–420 К. Показано, что значение комплексной диэлектрической проницаемости при одинаковых концентрациях наночастиц CuS и Cu₂S для системы 0,3Cu₂S/CdS–поливиниледенфторид (ПВДФ) больше на 40% по сравнению с системой 0,3CuS/CdS–поливиниледенфторид. А значение электропроводности 0,3Cu₂S/CdS–ПВДФ выше в 5 раз за счёт образования более совершенной одномерной кристаллической структуры.
|
| first_indexed | 2025-12-01T03:19:16Z |
| format | Article |
| fulltext |
57
PACS numbers: 72.80.Tm, 73.90.+f, 78.67.Bf, 78.67.Sc, 81.40.Rs, 82.30.Hk, 82.35.Np
Електрофізичні характеристики композитних матеріалів
ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu2S/CdS
С. Л. Прокопенко, Г. М. Гуня, С. М. Махно, П. П. Горбик
Інститут хімії поверхні ім. О. О. Чуйка НАН України,
вул. Генерала Наумова, 17,
03164 Київ, Україна
Досліджено електрофізичні властивості в надвисокочастотному діапазоні
та на низьких частотах полімерних нанокомпозитів на основі CuS/CdS і
Cu2S/CdS, синтезованих методом йонного заміщення у нановолокнах CdS
з об’ємним вмістом CuS й Cu2S від 0,015 до 0,15 в інтервалі температур
320–420 К. Показано, що значення комплексної діелектричної проникно-
сти при однакових концентраціях наночастинок CuS і Cu2S для системи
0,3Cu2S/CdS–полівініледенфторид (ПВДФ) більше на 40% в порівнянні з
системою 0,3CuS/CdS–полівініледенфторид. А значення електропровід-
ности 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ вище в 5 разів за рахунок утворення більш до-
сконалої одновимірної кристалічної структури.
Polymer nanocomposites based on CuS/CdS and Cu2S/CdS are synthesized by
ion-exchange technique in nanofibre CdS with a concentration of CuS and
Cu2S from 0.015 to 0.15 and within the temperature range of 320–420 K, and
their electrophysical properties are investigated. As shown, the value of
complex permittivity at identical concentrations of nanoparticles of CuS and
Cu2S for the system 0.3Cu2S/CdS–polyvinylidenefluoride (PVDF) is greater
by more than 40% in comparison with the 0.3CuS/CdS–PVDF system, and
values of electrical conductivity of the 0.3Cu2S/CdS–PVDF system is 5 times
higher due to the formation of higher-order perfect one-dimensional crystal
structure.
Исследованы электрофизические свойства в сверхвысокочастотном диа-
пазоне и на низких частотах полимерных нанокомпозитов на основе
CuS/CdS и Cu2S/CdS, синтезированных методом ионного замещения в
нановолокнах CdS с объёмным содержанием CuS и Cu2S от 0,015 до 0,15 в
интервале температур 320–420 К. Показано, что значение комплексной
диэлектрической проницаемости при одинаковых концентрациях нано-
частиц CuS и Cu2S для системы 0,3Cu2S/CdS–поливиниледенфторид
(ПВДФ) больше на 40% по сравнению с системой 0,3CuS/CdS–поливинил-
еденфторид. А значение электропроводности 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ выше в
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies
2014, т. 12, № 1, сс. 57–64
2014 ІМФ (Інститут металофізики
ім. Г. В. Курдюмова ÍАÍ Óкраїни)
Íадруковано в Óкраїні.
Фотокопіювання дозволено
тільки відповідно до ліцензії
58 С. Л. ПРОКОПЕÍКО, Г. М. ГÓÍЯ, С. М. МАХÍО, П. П. ГОРБИК
5 раз за счёт образования более совершенной одномерной кристалличе-
ской структуры.
Ключові слова: композиційні матеріали, дисперсні наповнювачі,
CuS/CdS, Cu2S/CdS, полівініледенфторид.
(Отримано 19 листопада 2013 р.)
1. ВСТУП
Синтез та дослідження напівпровідникових наночастинок сульфі-
дів металів інтенсивно розвиваються завдяки унікальним власти-
востям і перспективі широкого застосування цих сполук [1, 2, 3].
Íапівпровідник р-типу CuS з шириною забороненої зони 2,15 еВ за-
стосовується для виготовлення сонячних елементів [4], нефермен-
тативних датчиків глюкози [5, 6], каталізі термічного розкладу пе-
рхлорату амонію [7], анодів у літій-йонних батареях [8]. Викорис-
товуються різні методи синтезу наноструктур CuS з різною морфо-
логією: гідротермальний [5], з використанням мікрохвильового ви-
промінювання [9], темплатні [10].
Íапівпровідник р-типу Cu2S з шириною забороненої зони 1,2 еВ
[11] широко використовується в сонячних елементах [12], в якості
холодних катодів [13] та нанорозмірних перемикачів [14]. Залежно
від умов синтезу можна одержати наноструктури Cu2S, такі як на-
ночастинки, нанодроти, нанострижні. Останнім часом зусилля зо-
середжено на розробленні нових синтетичних методик виготовлен-
ня нанокристалів Cu2S з контрольованою формою, розміром, та
структурою [15, 16, 17] перспективних для виготовлення гетерост-
руктур.
Сульфід міді, в якому вакансії атомів міді є акцепторами, та су-
льфід кадмію, в якому вакансії атома кадмію є донорами, в гетерос-
труктурах Cu2S/CdS та CuS/CdS утворюють p–n-гетероперехід.
З метою створення наноструктурних каталізаторів для альтерна-
тивної енергетики та матеріалів, що ефективно взаємодіють з елек-
тромагнітним випроміненням було синтезовано напівпровідникові
нановолокна CdS, та гетерогенні системи CuS/CdS та Cu2S/CdS на їх
основі. Досліджено вплив морфології та розміру на фізичні власти-
вості.
2. ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ МЕТОДИКИ
Íапівпровідникові гетероструктури CuS/CdS та Cu2S/CdS виготов-
ляли в два етапи. Спочатку синтезували нановолокна CdS в етилен-
діаміні. Синтез виконували при температурі 393 К методом оса-
дження CdS з розчину 0,004 моль Cd(NO3)24H2O і 0,008 моль тіока-
ЕЛЕКТРОФІЗИЧÍІ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПОЗИТÍИХ МАТЕРІАЛІВ ПВДФ 59
рбаміду в 30 мл етилендіаміну (C2H4(NH2)2). Гетероструктури
CuS/CdS та Cu2S/CdS одержували заміщенням іонів Cd на йони
Cu(II) та Cu(I) відповідно. Заміщення йонів виконували при темпе-
ратурі 293 К в розчинах CuSO45H2O та Cu2O.
Одержаний осад відмивали дистильованою водою і висушували
при температурі 333 К. Íаявність у системах кристалічних струк-
тур визначали з використанням рентґеноструктурного аналізу. Ре-
нтґенограми реєстрували на дифрактометрі ДРОÍ-4-07 у випромі-
нюванні мідного катода з нікелевим фільтром у відбитому пучку
при геометрії зйомки за Бреґґом–Брентано. Дійсну та уявну
складові частини комплексної електропровідності (
*і) на
низьких частотах визначали двоконтактним методом за допомогою
вимірювача іммітансу Е7-14 в інтервалі температур 320–420 К.
Дійсну та уявну складові частини комплексної діелектричної
проникності у надвисокочастотному (ÍВЧ) діапазоні досліджували
за допомогою інтерферометра на частоті 9 ГГц [18]. Полімерні ком-
позити одержані шляхом змішування полівініледенфториду
(ПВДФ) з дисперсними напівпровідниковими порошками при рете-
льному перемішуванні до утворення гомогенної суміші з наступним
пресуванням при температурі розтопу полімеру.
3. РЕЗУЛЬТАТИ ЕКСПЕРИМЕНТУ
Ідентифікація дифракційних максимумів (рис. 1) указує на форму-
вання під час іонного обміну гетероструктур CuS/CdS (1) та
Cu2S/CdS (2). Аналіз гетероструктури CuS/CdS вказує на наявність
Рис. 1. Дифрактограми гетероструктур: 1 — 0,3 CuS/CdS; 2 — 0,3 Cu2S/CdS;
3 — CdS.
60 С. Л. ПРОКОПЕÍКО, Г. М. ГÓÍЯ, С. М. МАХÍО, П. П. ГОРБИК
рефлексів від CdS (JCPDS 75-1545) і CuS (JCPDS 78-0878) в гексаго-
нальній формі. Гетероструктура Cu2S/CdS складається з ядра CdS,
покритого гексагональним CuS, потім гексагональним Cu2S (JCPDS
84-207) та кубічним Cu2S (JCPDS 84-1770). Для гетероструктури
CuS/CdS спостерігається аморфне гало, істотно більше, ніж для
Cu2S/CdS, що свідчить про меншу упорядкованість кристалічної
структури.
Залежність комплексної діелектричної проникності систем
а б
Рис. 2. Залежність (а) та (б) від вмісту нанокристалічного Cu2S в сис-
темі 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ (1) та CuS в системі 0,3CuS/CdS–ПВДФ (2) на ча-
стоті 9 ГГц.
Рис. 3. Залежності електропровідності систем 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ (1) та
0,3CuS/CdS–ПВДФ (2) від вмісту нанокристалічного Cu2S та CuS відповід-
но.
ЕЛЕКТРОФІЗИЧÍІ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПОЗИТÍИХ МАТЕРІАЛІВ ПВДФ 61
0,3CuS/CdS–ПВДФ і 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ від вмісту CuS і Cu2S на-
ведено на рис. 2. До порогу перколяції значення комплексної діеле-
ктричної проникності систем 0,3CuS/CdS–ПВДФ і 0,3Cu2S/CdS–
ПВДФ мають однаковий порядок величини. Після перевищення
порогу перколяції відбувається збільшення значень комплексної
діелектричної проникності системи 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ в порів-
нянні з 0,3CuS/CdS–ПВДФ і при об’ємному вмісті 0,15 різниця ся-
гає 40%.
Íа залежностях електропровідності на частоті 1 кГц для систем
0,3Cu2S/CdS–ПВДФ та 0,3CuS/CdS–ПВДФ від вмісту Cu2S та CuS
відповідно (рис. 3) видно, що до досягнення системами порогу пер-
коляції провідність системи 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ має нижчі зна-
чення ніж для системи 0,3CuS/CdS–ПВДФ. Для цих систем спосте-
рігається поріг перколяції відповідно до рівняння
0(c)
t, (1)
де c — вміст наповнювача в композиті, що відповідає порогу пер-
коляції; t — показник ступеня; 0 — електропровідність провідної
складової (табл.).
Після досягнення порогу перколяції значення електропровіднос-
ті системи 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ у 5 разів більше ніж у 0,3CuS/CdS–
ПВДФ. Оскільки крива 2 має нижчі значення після порогу перко-
ляції, це вказує на те, що система 0,3CuS/CdS–ПВДФ має більшу
ступінь дисперґування, а отже, більшу кількість контактів між ча-
стинками, контактний опір між якими є визначальним. А до порогу
перколяції вища ступінь дисперґованості (рис. 1) призводить до
збільшення провідності системи за рахунок зменшення товщини
полімерних прошарків, а отже і зростає ймовірність тунелювання
електронів через потенціальний бар’єр. Тобто використання
CuS/CdS в полімерних композитах як електропровідної складової є
ефективним для низько наповнених систем, а Cu2S/CdS — для ви-
соко наповнених систем.
Температурні залежності електропровідності на частоті 1 кГц си-
нтезованих нанокомпозитів (рис. 4) мають подібний характер для
обох систем. Для кривих 4, 5, 6 спостерігається незначне зменшен-
ня значень при підвищенні температури. Такий хід температур-
ної залежності характерний для металів та для кристалічних CuS
ТАБЛИЦЯ. Значення порогу перколяції та критичних індексів для систем
0,3Cu2S/CdS–ПВДФ та 0,3CuS/CdS–ПВДФ.
c t 0
0,3Cu2S/CdS–ПВДФ 0,05 2,7 2,5103
0,3CuS/CdS–ПВДФ 0,05 3,1 1,5103
62 С. Л. ПРОКОПЕÍКО, Г. М. ГÓÍЯ, С. М. МАХÍО, П. П. ГОРБИК
та Cu2S (позисторна залежність). При підвищенні температури зра-
зків, для яких вміст Cu2S або CuS відповідає вмісту до порогу пер-
коляції (криві 1, 2, 3), спостерігається зростання значень провідно-
сті. Температурна залежність провідності відповідає Арреніусово-
му рівнянню
(T)0ехр{Ea/(2kT)}, (2)
де Ea — енергія активації електропровідності; 0 — параметр, який
залежить від природи напівпровідника; k — Больцманнова стала, а
Т — температура.
За таких умов електропровідність визначається тунелюванням
носіїв зарядів через бар’єр на межі поділу фаз, який обумовлений
наявністю тонких полімерних шарів і залежить від відстані між ча-
стинками та діелектричної проникності полімерної матриці. Тому
при підвищенні температури зразків буде зростати і енергія елект-
ронів, і більша їх частина буде тунелювати через діелектричні про-
шарки.
4. ВИСНОВКИ
Досліджено електрофізичні властивості в надвисокочастотному ді-
апазоні та на низьких частотах полімерних нанокомпозитів на ос-
нові CuS/CdS та Cu2S/CdS, синтезованих методом іонного заміщен-
ня в нановолокнах CdS, з об’ємним вмістом CuS та Cu2S від 0,015 до
0,15 в інтервалі температур 320–420 К. Показано, що значення
комплексної діелектричної проникності при однакових концентра-
а б
Рис. 4. Залежності електропровідності від температури для нанокомпози-
тів 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ (а) та 0,3CuS/CdS–ПВДФ (б) з об’ємним вмістом
Cu2S та CuS: 1 — 0,015, 2 — 0,03, 3 — 0,06, 4 — 0,09, 5 — 0,12, 6 — 0,15.
ЕЛЕКТРОФІЗИЧÍІ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПОЗИТÍИХ МАТЕРІАЛІВ ПВДФ 63
ціях наночастинок CuS та Cu2S для системи 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ
перевищує на 40% в порівнянні з системою 0,3CuS/CdS–ПВДФ, а
значення електропровідності 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ вище у 5 разів за
рахунок утворення більш упорядкованої кристалічної структури.
Для композитів 0,3Cu2S/CdS–ПВДФ та 0,3 CuS/CdS–ПВДФ з вміс-
том Cu2S та CuS відповідно, що перевищує поріг перколяції, при пі-
двищенні температури спостерігається металічний характер прові-
дності.
ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
1. S. Gunes, H. Neugebauer, and N. S. Sariciftci, Chem. Rev., 107: 1324 (2007).
2. M. Grätzel, Acc. Chem. Res., 42: 1788 (2009).
3. A. Kudo and Y. Miseki, Chem. Soc. Rev., 38: 253 (2009).
4. R. S. Mane and C. D. Lokhande, Mater. Chem. Phys., 65: 1 (2000).
5. X. Zhang, G. Wang, A. Gu, Y. Wei, and B. Fang, Chem. Commun., 45: 5945
(2008).
6. J. Liu and D. Xue, J. Mater. Chem., 21, No. 1: 223 (2011).
7. L. Ge, X. Y. Jing, J. Wang, S. Jamil, Q. Liu, D. L. Song, Y. Xie, P. P. Yang, and
M. L. Zhang, Cryst. Growth Des., 10: 1688 (2010).
8. Y. Du, Z. Yin, J. Zhu, X. Huang, X.-J. Wu, Z. Zeng, Q. Yan, and H. Zhang, Na-
ture Commun., 3: 1177 (2012).
9. J. S. Chung and H. J. Sohn, J. Power Sources, 108: 226 (2002).
10. X. Feng, Y. Li, H. Liu, Y. Li, S. Cui, N. Wang, L. Jiang, X. Liu, and M. Yuan,
Nanotechnol., 18: 145706 (2007).
11. G. Liu, T. Schulmeyer, J. Brötz, A. Klein, and W. Jaegermann, Thin Solid
Films, 431–432: 53 (2003).
12. H. Lee, S. W. Yoon, E. J. Kim, and J. Park, Nano Lett., 7: 778 (2007).
13. J. Chen, S. Z. Deng, N. S. Xu, S. H. Wang, X. G. Wen, S. H. Yang, C. L. Yang,
J. N. Wang, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett., 80, No. 19: 3620 (2002).
14. L. Chen, Y. D. Xia, X. F. Liang, K. B. Yin, J. Yin, Z. G Liu, and Y. Chen, Appl.
Phys. Lett., 91: 073511 (2007).
15. Z. Zhuang, Q. Peng, B. Zhang, and Y. Li, J. Am. Chem. Soc., 130: 10482 (2008).
16. X.-S. Du, Z.-Z. Yu, A. Dasari, J. Ma, Y.-Z. Meng, and Y.-W. Mai, Chem. Ma-
ter., 18: 5156 (2006).
17. A. E. Saunders, A. Ghezelbash, D.-M. Smilgies, M. B. Sigman Jr., B. A. Korgel,
Nano Lett., 6: 2959 (2006).
18. Л. Í. Ганюк, В. Д. Игнатков, С. Í. Махно, П. Í. Сорока, Укр. физ. журн., 40,
№ 6: 627 (1995).
REFERENCES
1. S. Gunes, H. Neugebauer, and N. S. Sariciftci, Chem. Rev., 107: 1324 (2007).
2. M. Grätzel, Acc. Chem. Res, 42: 1788 (2009).
3. Kudo and Y. Miseki, Chem. Soc. Rev., 38: 253 (2009).
4. R. S. Mane and C. D. Lokhande, Mater. Chem. Phys., 65: 1 (2000).
5. X. Zhang, G. Wang, A. Gu, Y. Wei, and B. Fang, Chem. Commun., 45: 5945
64 С. Л. ПРОКОПЕÍКО, Г. М. ГÓÍЯ, С. М. МАХÍО, П. П. ГОРБИК
(2008).
6. J. Liu and D. Xue, J. Mater. Chem., 21, No. 1: 223 (2011).
7. L. Ge, X. Y. Jing, J. Wang, S. Jamil, Q. Liu, D. L. Song, Y. Xie, P. P. Yang, and
M. L. Zhang, Cryst. Growth Des., 10: 1688 (2010).
8. Y. Du, Z. Yin, J. Zhu, X. Huang, X.-J. Wu, Z. Zeng, Q. Yan, and H. Zhang, Na-
ture Commun., 3: 1177 (2012).
9. J. S. Chung and H. J. Sohn, J. Power Sources, 108: 226 (2002).
10. X. Feng, Y. Li, H. Liu, Y. Li, S. Cui, N. Wang, L. Jiang, X. Liu, and M. Yuan,
Nanotechnol., 18: 145706 (2007).
11. G. Liu, T. Schulmeyer, J. Brötz, A. Klein, and W. Jaegermann, Thin Solid
Films, 431–432: 53 (2003).
12. H. Lee, S. W. Yoon, E. J. Kim, and J. Park, Nano Lett., 7: 778 (2007).
13. J. Chen, S. Z. Deng, N. S. Xu, S. H. Wang, X. G. Wen, S. H. Yang, C. L. Yang,
J. N. Wang, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett., 80, No. 19: 3620 (2002).
14. L. Chen, Y. D. Xia, X. F. Liang, K. B. Yin, J. Yin, Z. G Liu, and Y. Chen, Appl.
Phys. Lett., 91: 073511 (2007).
15. Z. Zhuang, Q. Peng, B. Zhang, and Y. Li, J. Am. Chem. Soc., 130: 10482 (2008).
16. X.-S. Du, Z.-Z. Yu, A. Dasari, J. Ma, Y.-Z. Meng, and Y.-W. Mai, Chem. Ma-
ter., 18: 5156 (2006).
17. E. Saunders, A. Ghezelbash, D.-M. Smilgies, M. B. Sigman Jr., B. A. Korgel,
Nano Lett., 6: 2959 (2006).
18. L. N. Ganyuk, V. D. Ignatkov, S. N. Makhno, and P. N. Soroka, Ukr. Fiz.
Zhurn., 40, No. 6: 627 (1995) (in Russian).
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75949 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-01T03:19:16Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Прокопенко, С.Л. Гуня, Г.М. Махно, С.М. Горбик, П.П. 2015-02-06T14:07:51Z 2015-02-06T14:07:51Z 2014 Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS / С.Л. Прокопенко, Г.М. Гуня, С.М. Махно, П.П. Горбик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 57-64. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers: 72.80.Tm,73.90.+f,78.67.Bf,78.67.Sc,81.40.Rs,82.30.Hk,82.35.Np https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75949 Досліджено електрофізичні властивості в надвисокочастотному діапазоні та на низьких частотах полімерних нанокомпозитів на основі CuS/CdS і Cu₂S/CdS, синтезованих методом йонного заміщення у нановолокнах CdS з об’ємним вмістом CuS й Cu₂S від 0,015 до 0,15 в інтервалі температур 320–420 К. Показано, що значення комплексної діелектричної проникности при однакових концентраціях наночастинок CuS і Cu₂S для системи 0,3Cu₂S/CdS–полівініледенфторид (ПВДФ) більше на 40% в порівнянні з системою 0,3CuS/CdS–полівініледенфторид. А значення електропровідности 0,3Cu₂S/CdS–ПВДФ вище в 5 разів за рахунок утворення більш досконалої одновимірної кристалічної структури. Polymer nanocomposites based on CuS/CdS and Cu₂S/CdS are synthesized by ion-exchange technique in nanofibre CdS with a concentration of CuS and Cu₂S from 0.015 to 0.15 and within the temperature range of 320–420 K, and their electrophysical properties are investigated. As shown, the value of complex permittivity at identical concentrations of nanoparticles of CuS and Cu₂S for the system 0.3Cu₂S/CdS–polyvinylidenefluoride (PVDF) is greater by more than 40% in comparison with the 0.3CuS/CdS–PVDF system, and values of electrical conductivity of the 0.3Cu₂S/CdS–PVDF system is 5 times higher due to the formation of higher-order perfect one-dimensional crystal structure. Исследованы электрофизические свойства в сверхвысокочастотном диапазоне и на низких частотах полимерных нанокомпозитов на основе CuS/CdS и Cu₂S/CdS, синтезированных методом ионного замещения в нановолокнах CdS с объёмным содержанием CuS и Cu₂S от 0,015 до 0,15 в интервале температур 320–420 К. Показано, что значение комплексной диэлектрической проницаемости при одинаковых концентрациях наночастиц CuS и Cu₂S для системы 0,3Cu₂S/CdS–поливиниледенфторид (ПВДФ) больше на 40% по сравнению с системой 0,3CuS/CdS–поливиниледенфторид. А значение электропроводности 0,3Cu₂S/CdS–ПВДФ выше в 5 раз за счёт образования более совершенной одномерной кристаллической структуры. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS Article published earlier |
| spellingShingle | Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS Прокопенко, С.Л. Гуня, Г.М. Махно, С.М. Горбик, П.П. |
| title | Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS |
| title_full | Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS |
| title_fullStr | Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS |
| title_full_unstemmed | Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS |
| title_short | Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS |
| title_sort | електрофізичні характеристики композитних матеріалів пвдф–cus/cds та пвдф–cu₂s/cds |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75949 |
| work_keys_str_mv | AT prokopenkosl elektrofízičníharakteristikikompozitnihmateríalívpvdfcuscdstapvdfcu2scds AT gunâgm elektrofízičníharakteristikikompozitnihmateríalívpvdfcuscdstapvdfcu2scds AT mahnosm elektrofízičníharakteristikikompozitnihmateríalívpvdfcuscdstapvdfcu2scds AT gorbikpp elektrofízičníharakteristikikompozitnihmateríalívpvdfcuscdstapvdfcu2scds |