Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности
Представлена новая методика исследования атомарной структуры поверхности на основе методов сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и сканирующей туннельной спектроскопии (СТС) с алмазным зондом. В основу методики положена идея сравнения СТМ-изображения изучаемого участка поверхности и его СТС-изоб...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75952 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности / В. Грушко, Н. Новиков, А. Чайка, Е. Мицкевич, О. Лысенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 81-90. — Бібліогр.: 34 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Представлена новая методика исследования атомарной структуры поверхности на основе методов сканирующей туннельной микроскопии
(СТМ) и сканирующей туннельной спектроскопии (СТС) с алмазным зондом. В основу методики положена идея сравнения СТМ-изображения изучаемого участка поверхности и его СТС-изображения, полученного при
малых туннельных напряжениях. Представленная методика может использоваться при нанотехнологических операциях атомарной сборки логических элементов квантовых компьютеров, элементов наноэлектроники, при создании и изучении однофотонных источников и др.
Наведено нову методику дослідження атомарної структури поверхні на
основі методів сканівної тунельної мікроскопії (СТМ) і сканівної тунельної
спектроскопії (СТС) з діамантовим зондом. В основу методики покладено
ідею порівняння СТМ-зображення досліджуваної ділянки поверхні з її
СТС-зображенням, одержаним за малих тунельних напруг. Наведена методика може використовуватися при нанотехнологічних операціях атомарного складання логічних елементів квантових комп’ютерів, елементів
наноелектроніки, при створенні й вивченні однофотонних джерел тощо.
A new technique to study the atomic structure of the surface on the basis of
scanning tunnelling microscopy (STM) and scanning tunnelling spectroscopy
(STS) with a diamond tip is represented. The technique is based on the idea of
comparing STM images of the studied surface area with its STS-image obtained
at low tunnelling voltages. The presented method can be used for fabrication
of logic elements of quantum computers and elements of nanoelectron-
ics, for development and study of the single-photon sources as well as for other
nanotechnological operations.
|
|---|---|
| ISSN: | 1816-5230 |