Определение адгезионной прочности тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах методом атомно-силовой микроскопии
Определена адгезионная прочность тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах (кремнии Кр0, оптическом стекле К8) c применением метода атомноиловой микроскопии и использованием многопроходного сканирования образца с постепенным внедрением зонда атомно-силового микроскопа в исследуемую пове...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75964 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Определение адгезионной прочности тонких оксидных
 покрытий на диэлектрических материалах
 методом атомно-силовой микроскопии / С.А. Билоконь, М.А. Бондаренко, Ю.Ю. Бондаренко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 2. — С. 295-302. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859997769684484096 |
|---|---|
| author | Билоконь, С.А. Бондаренко, М.А. Бондаренко, Ю. Ю. |
| author_facet | Билоконь, С.А. Бондаренко, М.А. Бондаренко, Ю. Ю. |
| citation_txt | Определение адгезионной прочности тонких оксидных
 покрытий на диэлектрических материалах
 методом атомно-силовой микроскопии / С.А. Билоконь, М.А. Бондаренко, Ю.Ю. Бондаренко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 2. — С. 295-302. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Определена адгезионная прочность тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах (кремнии Кр0, оптическом стекле К8) c применением метода атомноиловой микроскопии и использованием многопроходного сканирования образца с постепенным внедрением зонда атомно-силового микроскопа в исследуемую поверхность. Подобран режим
качественного определения адгезионной прочности тонких покрытий путём подбора шага внедрения зонда в диапазоне глубин 1–10 нм. Установлено, что с увеличением толщины покрытия его адгезионная прочность
уменьшается по экспоненциальному закону.
Визначено адгезійну міцність тонких оксидних покриттів на діелектричних матеріялах (кремній Кр0, оптичне скло К8) із застосуванням методи
атомно-силової мікроскопії з використанням багатопрохідного сканування зразка з поступовим втіленням зонда атомно-силового мікроскопа у
досліджувану поверхню. Підібрано режим якісного визначення адгезійної міцности тонких покриттів шляхом підбору кроку втілення зонда в
діяпазоні глибин 1–10 нм. Встановлено, що зі збільшенням товщини покриття його адгезійна міцність зменшується за експоненційним законом.
Adhesion strength of thin oxide coatings on dielectric materials (silicon, optical
glass) is determined. The method of atomic-force microscopy and multiple-pass
scanning of sample is used with a gradual indentation of the atomicforce
microscope probe into the investigated surface. The mode of qualitative
determination of adhesion strength of thin coatings by means of the selection
of probe indentation step within the depth range of 1–10 nm is proposed. As
established, with the increase of coating thickness, its adhesion strength decreases
exponentially.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:34:35Z |
| format | Article |
| fulltext |
295
PACS numbers: 07.79.Lh, 62.20.Qp, 68.35.Np, 68.37.Ps, 68.47.Gh, 85.35.-p, 85.85.+j
Определение адгезионной прочности тонких оксидных
покрытий на диэлектрических материалах
методом атомно-силовой микроскопии
С. А. Билоконь, М. А. Бондаренко, Ю. Ю. Бондаренко
Черкасский государственный технологический университет,
бульв. Шевченко, 460,
18006 Черкассы, Украина
Определена адгезионная прочность тонких оксидных покрытий на ди-
электрических материалах (кремнии Кр0, оптическом стекле К8) c при-
менением метода атомно-силовой микроскопии и использованием много-
проходного сканирования образца с постепенным внедрением зонда атом-
но-силового микроскопа в исследуемую поверхность. Подобран режим
качественного определения адгезионной прочности тонких покрытий пу-
тём подбора шага внедрения зонда в диапазоне глубин 1–10 нм. Установ-
лено, что с увеличением толщины покрытия его адгезионная прочность
уменьшается по экспоненциальному закону.
Визначено адгезійну міцність тонких оксидних покриттів на діелектрич-
них матеріялах (кремній Кр0, оптичне скло К8) із застосуванням методи
атомно-силової мікроскопії з використанням багатопрохідного скануван-
ня зразка з поступовим втіленням зонда атомно-силового мікроскопа у
досліджувану поверхню. Підібрано режим якісного визначення адгезій-
ної міцности тонких покриттів шляхом підбору кроку втілення зонда в
діяпазоні глибин 1–10 нм. Встановлено, що зі збільшенням товщини пок-
риття його адгезійна міцність зменшується за експоненційним законом.
Adhesion strength of thin oxide coatings on dielectric materials (silicon, op-
tical glass) is determined. The method of atomic-force microscopy and multi-
ple-pass scanning of sample is used with a gradual indentation of the atomic-
force microscope probe into the investigated surface. The mode of qualitative
determination of adhesion strength of thin coatings by means of the selection
of probe indentation step within the depth range of 1–10 nm is proposed. As
established, with the increase of coating thickness, its adhesion strength de-
creases exponentially.
Ключевые слова: атомно-силовая микроскопия, кремниевый зонд, адге-
зионная прочность, оксидное покрытие, наноэлектроника.
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies
2014, т. 12, № 2, сс. 295–302
2014 ІМÔ (Інститут металоôізики
ім. Ã. В. Курдюмова ÍАÍ України)
Íадруковано в Україні.
Ôотокопіювання дозволено
тільки відповідно до ліцензії
296 С. А. БИЛОКОÍЬ, М. А. БОÍДАРЕÍКО, Ю. Ю. БОÍДАРЕÍКО
(Получено 18 ноября 2013 г.; после доработки — 27 ноября 2013 г.)
1. ВВЕДЕНИЕ
Получение на диэлектрических материалах тонких оксидных по-
крытий и структур на их основе является актуальным заданием в
точном приборостроении, прецизионном машиностроении, косми-
ческом и авиастроении. Использование таких покрытий открывает
новые перспективы при создании элементной базы микрооптики
(оптические ôильтры и градиентные структуры), наноэлектроники
(элементы памяти, гетероструктуры и др.), микрооптомеханики
(микроманипуляторы и сенсоры) и т.п. [1].
Ôормирование тонких плёнок включает такие процессы как: ад-
сорбцию, образование зародышей новой ôазы, их роста и т.п. Кине-
тика каждого из этих процессов по-своему влияет на структуру
тонких плёнок. Получение плёночных систем с заранее заданными
свойствами связано с проблемой управления этими процессами.
Свойства оксидных покрытий определяются методом их нанесения,
природой и материалом изделий на их основе. Ôакторами, которые
определяют эксплуатационные характеристики покрытий, явля-
ются механическая прочность, плотность, отсутствие пористости.
Контроль технологических параметров и режимов нанесения слоёв
в процессе ôормирования покрытий обеспечивает высокую произ-
водительность свойств покрытий. При анализе процесса ôормиро-
вания покрытия на подложках необходимо выделить два аспекта –
ôизический и технологический. Ôизический аспект выражает за-
кономерности ôормирования начальных слоёв покрытия, характер
продольной и поперечной структуры, рельеôа и тому подобное.
Процесс конденсации и структура сôормированной плёнки суще-
ственно зависят от кинетических параметров конденсации, темпе-
ратуры и потенциального рельеôа подложки, плотности молеку-
лярного потока материала, который наносится, характера взаимо-
действия атомов, которые осаждаются, с материалом подложки.
Технологический аспект процесса конденсации освещает харак-
тер распределения толщины плёнки вдоль поверхности подложки и
рассматривает влияние геометрических параметров испарения
(размеров и ôормы испарителя, подложки их взаимного располо-
жения) и режима металлизации на равномерность толщины по-
крытия. В зависимости от конкретных условий осаждения плёнки
одного и того же вещества могут иметь следующие основные струк-
турные особенности: аморôную структуру, которая характеризует-
ся отсутствием кристаллических решёток; коллоидную (мелкозер-
нистую) структуру, которая характеризуется наличием очень мел-
ких кристаллов (менее 2–10 мкм); гранулярную (грубозернистую)
ОПРЕДЕЛЕÍИЕ АДÃЕЗИОÍÍОЙ ПРОЧÍОСТИ ОКСИДÍЫХ ПОКРЫТИЙ 297
структуру, которая имеет крупные кристаллы (больше 1–10 мкм);
монокристаллическую структуру, когда вся плёнка является
сплошными кристаллическими решётками атомов данного матери-
ала.
Íаибольшее распространение приобрели два механизма конден-
сации вещества на разнообразных подложках — это механизм
«пар–кристалл» (МПК) и механизм «пар–жидкость–кристалл»
(МПЖК). Когда реализуется МПК, частицы, которые конденсиру-
ются на начальных стадиях испарения навески, имеют кристалли-
ческое строение и в дальнейшем ôормируется только кристалличе-
ская плёнка. МПЖК проявляется в том, что образование конденси-
руемой ôазы на подложке начинается с появления на подложке
жидкой ôазы в виде капель, которые длительное время существуют
на подложке. После этого начинается процесс кристаллизации.
Рассмотренные механизмы кристаллизации определяют разнооб-
разные характеры ôормирования и роста плёнок из паровой ôазы,
что, в конечном случае, определяет свойства плёнок. Схематически
механизмы конденсации МПК и МПЖК показаны на рис. 1.
Если атомы, которые конденсируются, связаны между собой
сильнее, чем с поверхностью нейтральной подложки, они интен-
сивно мигрируют из её поверхности. При достаточно высокой плот-
ности потока вещества, которое испаряется на поверхности под-
ложки, образуются зародыши кристаллической ôазы или жидкой
конденсируемой ôазы, которые сначала разрастаются в двух (рис.
1, б, стадия 3), а потом в трёх направлениях. Если силы взаимной
связи атомов или молекул вещества, которое испаряется, меньше
а
б
Рис. 1. Схемы начальных стадий (1, 2, 3) роста конденсируемой плёнки
согласно механизмам конденсации МПК (а) и МПЖК (б).
298 С. А. БИЛОКОÍЬ, М. А. БОÍДАРЕÍКО, Ю. Ю. БОÍДАРЕÍКО
сил их связи с подложкой, резко растёт влияние кинетических па-
раметров подложки на процесс ôормирования плёнки по МПК.
При этом долговременная эксплуатация изделий на основе дан-
ных покрытий невозможна без повышения их адгезионной прочно-
сти. Исследования, выполненные нами ранее [2] показывают, что
повышение адгезионной прочности возможно за счёт уменьшения
толщины покрытий и увеличения однородности по их поверхности.
При этом измерение адгезионной прочности тонких (до 100 нм) ок-
сидных покрытий на диэлектрических материалах остаётся зада-
чей сложной, а известные методики позволяют выполнять лишь
качественные исследования.
Целью статьи является разработка методики определения адге-
зионной прочности тонких оксидных покрытий на диэлектриче-
ских материалах с применением метода атомно-силовой микроско-
пии, которая заключается в многопроходном сканировании образца
с постепенным внедрением зонда атомно-силового микроскопа в ис-
следуемую поверхность. При этом шаг внедрения зонда контроли-
руется оператором атомно-силового микроскопа и в зависимости от
толщины покрытия составляет 1–10 нм.
2. ПОСТАНОВКА И ХОД ВЫПОЛНЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА
В качестве экспериментальных использовалось две партии образ-
цов оптического стекла К8 (диски 208 мм) и кремния Кр0 (пла-
стины 20200,5 мм) на поверхности которых наносились покры-
тия SiO2 и Al2O3 по 5 штук в каждой. Уровень адгезионной стойко-
сти покрытия определялся по диаграмме внедрения зонда в поверх-
ность образца.
Процесс ôормирования покрытий осуществлялся резистивным
осаждением порошков SiO2 и Al2O3 с дальнейшим модиôицирова-
нием их поверхностей путём воздействия низкоэнергетическим
(Е 6 кВт) ленточным электронным потоком. Отработка режимов
нанесения тонких покрытий осуществлялась на универсальном ва-
куумном посте ВУП-5, а получение оксидных покрытий на диэлек-
трических поверхностях выполнялось на модиôицированной уста-
новке УВÍ-71 в учебно-научном центре «Микронанотехнологии и
оборудование» (УÍЦ МÍТО), созданном при каôедре ôизики Чер-
касского государственного технологического университета.
Процесс ôормирования покрытия осуществлялся резистивным
осаждением порошка SiO2 и Al2O3 (дисперсность 1,8–2,3 мкм) (изго-
товитель — ООО «Порошковые нанотехнологии», Черкассы) при
следующих режимах: ток нагревателя 130–150 A; время осаждения
45–50 с. Расстояние от навески с порошком до поверхности, на ко-
торую осуществлялось осаждение, составляло 30 мм (угол распыле-
ния — 120). После прекращения процесса осаждения следовала
ОПРЕДЕЛЕÍИЕ АДÃЕЗИОÍÍОЙ ПРОЧÍОСТИ ОКСИДÍЫХ ПОКРЫТИЙ 299
выдержка в течение 10–15 с при температуре 3600,5С.
Электронная обработка выполнялась, исходя из опыта коллекти-
ва авторов в обработке керамических материалов, электронными
потоками при следующем режиме [3]: удельная мощность элек-
тронного потока — 1,2105
Вт/м2; ток луча — 250 мА; время воздей-
ствия — 1,2 с.
Исследование поверхностей со сôормированными на них покры-
тиями выполнялось методом атомно-силовой микроскопии на при-
боре NT-206 с кремниевыми зондами «Ultrasharp CSC38», системой
микропозиционирования и встроенным оптическим длинноôокус-
ным микроскопом Logitech (лаборатория нанометрических методов
исследования, УÍЦ МÍТО, Черкассы).
Многопроходное сканирование поверхностей тонких покрытий,
осаждённых на диэлектрической поверхности, выполнялось в та-
кой последовательности:
1. выполняется включение атомно-силового микроскопа и его
настройка, согласно руководству пользования [4];
2. сканируется образец для выбора места определения адгезион-
ной прочности;
3. выбирается ôункция «Многопроходное сканирование» на па-
нели «MAIN» программы управления;
4. выбирается область выполнения исследования в панели
«Area» — однородная поверхность без вставок и резких перепадов
рельеôа;
5. на панели «MAIN» задаётся возрастающая нагрузка не более
1,4 мÍ (что отвечает критической нагрузке разрушения кремниево-
го зонда), время нагружения и размер области;
6. согласно граôикам зависимости силы от глубины проникнове-
ния зонда, выведенных на экран, оценивают адгезионную проч-
ность исследуемых покрытий на диэлектриках;
7. сканируется выбранная область в режиме многопроходного
сканирования, в результате чего определяется карта распределения
прочности материала при постоянном нормальном нагружении на
зонд;
8. вычисляется значение адгезионной прочности при постоянном
нормальном нагружении на зонд.
3. ОБСУЖДЕНИЕ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ
Измерение силы адгезионного взаимодействия тонкого оксидного
покрытия к диэлектрической основе выполнялось путём построе-
ния граôиков зависимости силы от глубины проникновения зонда.
Этот метод был выбран из-за простоты, надёжности, а также экс-
прессности. Íа рисунке 2 показаны кривые внедрения A–B–C–D и
кривые отвода D–F–(F1)–G–H зонда CSC38 в исследуемые поверх-
300 С. А. БИЛОКОÍЬ, М. А. БОÍДАРЕÍКО, Ю. Ю. БОÍДАРЕÍКО
ности. Анализируя эти кривые, было установлено влияние сил ад-
гезии между тонкими оксидными покрытиями (SiO2, Al2O3) и ди-
электриком (оптическое стекло К8 и кремний Кр0).
Íа граôике зависимости силы на зонде АСМ от глубины его про-
никновения в поверхность SiO2 на кремнии Кр0 (рис. 2, а) участок
В–С представляет собой силу порядка 510
6
Í, которую необходимо
приложить измерительной системе АСМ для преодоления упругого
сопротивления поверхностного слоя оксидного покрытия на иссле-
дуемом образце. Изменения силы на этом участке позволяют оце-
нить толщину этого покрытия на поверхности по закону Ãука. Уча-
сток F–G — участок, характеризующий силу отрыва зонда от по-
верхности образца (1510
6
Í), причём, величина силы в точке F
равна максимальной общей адгезионной силе между зондом и об-
разцом. В тоже время, из граôика зависимости на рис. 2, а можно
заметить, что процесс отрыва зонда от поверхности образца харак-
теризуется сразу двумя точками F и F1, из чего следует, что иссле-
дуемое покрытие представляет более сложную структуру. По мне-
нию авторов, это может быть связано с тем, что в процессе ôормиро-
вания тонких (менее 10 нм) оксидных покрытий, слой материала
покрытия, находящийся в непосредственном контакте с поверхно-
стью основы, имеет более плотную структуру, чем слой материала
покрытия удалённый от поверхности.
Анализ кривых, приведённых на рис. 2, б для тонкого покрытия
Al2O3 на оптическом стекле К8 позволяет установить, что сила, дей-
ствующая на участке В–С, составляет 510
7
Í, а на участке F–G —
410
6
Í, что находится в диапазоне значений сил взаимодействия
а б
Рис. 2. Ãраôики зависимости силы от глубины проникновения зонда в по-
верхность SiO2 на кремнии Кр0 (а) и в поверхность Al2O3 на оптическом
стекле К8 (б).
ОПРЕДЕЛЕÍИЕ АДÃЕЗИОÍÍОЙ ПРОЧÍОСТИ ОКСИДÍЫХ ПОКРЫТИЙ 301
зонда с поверхностью для данного типа зондов АСМ.
Анализируя серию полученных проôилей при сканировании по-
крытий оксида кремния и оксида алюминия на образцах из крем-
ния Кр0 и оптического стекла К8 (рис. 3), можно не только количе-
ственно определить адгезионную прочность покрытия, но и оценить
её изменение с увеличением толщины покрытия.
В тоже время было установлено, что адгезионная прочность ок-
сидных покрытий повышается на 15–20%, а срок их надёжной экс-
плуатации увеличивается на 25–50%.
Выполненные исследования адгезионной прочности тонких ок-
сидных покрытий на диэлектрических материалах методом атом-
но-силовой микроскопии позволили установить, что увеличение
толщины тонких оксидных покрытий в 1,5–2 раза ведёт к умень-
шению их адгезионной прочности в 4,3–6,8 раз, а само уменьшение
прочности происходит по экспоненциальному закону. Полученные
а
б
Рис. 3. Проôили распределения адгезионной прочности вдоль поверхности
пластины из кремния Кр0 с покрытием из SiO2 (толщина покрытия 10 нм)
(а), оптического стекла К8 с покрытием из Al2O3 (толщина покрытия 9 нм)
(б) в зависимости от глубины внедрения зонда атомно-силового микроско-
па: 1 — h0 (поверхность покрытия); 2 — h3 нм; 3 — h6 нм; 4 — h9
нм (граница между диэлектрической пластиной и оксидным покрытием).
302 С. А. БИЛОКОÍЬ, М. А. БОÍДАРЕÍКО, Ю. Ю. БОÍДАРЕÍКО
результаты планируется использовать в дальнейших исследовани-
ях для выбора режимов нанесения тонких мультиôункциональных
покрытий на диэлектрические изделия при изготовлении элемен-
тов микрооптики, наноэлектроники и микрооптомеханики.
4. ВЫВОДЫ
Рассмотрена новая методика определения адгезионной прочности
тонких оксидных покрытий (SiO2 и Al2O3) на диэлектрических ма-
териалах (на примере пластин из кремния Кр0 и оптического стек-
ла К8) c применением метода атомно-силовой микроскопии путём
использования многопроходного сканирования образца с постепен-
ным внедрением зонда атомно-силового микроскопа в исследуемую
поверхность на глубину 1–10 нм.
Рассмотрена возможность увеличения сил адгезионного взаимо-
действия оксидного покрытия с диэлектрической основой путём
термического осаждения таких покрытий в вакууме с дальнейшим
их ôормированием электронным методом. Было установлено, что
адгезионная прочность оксидных покрытий повышается на 15–
20%, а срок их надёжной эксплуатации увеличивается на 25–50%.
Экспериментально установлено, что увеличение толщины тонко-
го оксидного покрытия в 1,5–2 раза ведёт к уменьшению его адге-
зионной прочности в 4,3–6,8 раз. При этом уменьшение адгезион-
ной прочности таких покрытий происходит по экспоненциальному
закону.
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА–REFERENCES
1. V. M. Sharapov, I. G. Minaev, and Iu. Iu. Bondarenko, P’ezoelektricheskie
Preobrazovateli: Spravochnoe Posobie (Piezoelectric Transducers: Reference
Book) (Cherkasy: ChGTU: 2004) (in Russian).
2. S. A. Bilokon’, Proc. of IV Russian School–Seminar ‘Nanoengineering–2011’
(August 24–31, 2011, Moscow), p. 22 (in Russian).
3. S. A. Shelestovskaja, M. A. Bondarenko, and A. V. Kotljar, Abstr. Int. Conf.
‘BelSZM-9’ (October 12–15, 2010, Minsk), p. 162 (in Russian).
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75964 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:34:35Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Билоконь, С.А. Бондаренко, М.А. Бондаренко, Ю. Ю. 2015-02-06T16:33:51Z 2015-02-06T16:33:51Z 2014 Определение адгезионной прочности тонких оксидных
 покрытий на диэлектрических материалах
 методом атомно-силовой микроскопии / С.А. Билоконь, М.А. Бондаренко, Ю.Ю. Бондаренко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 2. — С. 295-302. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 1816-5230 PACSnumbers:07.79.Lh,62.20.Qp,68.35.Np,68.37.Ps,68.47.Gh,85.35.-p,85.85.+j https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75964 Определена адгезионная прочность тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах (кремнии Кр0, оптическом стекле К8) c применением метода атомноиловой микроскопии и использованием многопроходного сканирования образца с постепенным внедрением зонда атомно-силового микроскопа в исследуемую поверхность. Подобран режим
 качественного определения адгезионной прочности тонких покрытий путём подбора шага внедрения зонда в диапазоне глубин 1–10 нм. Установлено, что с увеличением толщины покрытия его адгезионная прочность
 уменьшается по экспоненциальному закону. Визначено адгезійну міцність тонких оксидних покриттів на діелектричних матеріялах (кремній Кр0, оптичне скло К8) із застосуванням методи
 атомно-силової мікроскопії з використанням багатопрохідного сканування зразка з поступовим втіленням зонда атомно-силового мікроскопа у
 досліджувану поверхню. Підібрано режим якісного визначення адгезійної міцности тонких покриттів шляхом підбору кроку втілення зонда в
 діяпазоні глибин 1–10 нм. Встановлено, що зі збільшенням товщини покриття його адгезійна міцність зменшується за експоненційним законом. Adhesion strength of thin oxide coatings on dielectric materials (silicon, optical
 glass) is determined. The method of atomic-force microscopy and multiple-pass
 scanning of sample is used with a gradual indentation of the atomicforce
 microscope probe into the investigated surface. The mode of qualitative
 determination of adhesion strength of thin coatings by means of the selection
 of probe indentation step within the depth range of 1–10 nm is proposed. As
 established, with the increase of coating thickness, its adhesion strength decreases
 exponentially. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Определение адгезионной прочности тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах методом атомно-силовой микроскопии Article published earlier |
| spellingShingle | Определение адгезионной прочности тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах методом атомно-силовой микроскопии Билоконь, С.А. Бондаренко, М.А. Бондаренко, Ю. Ю. |
| title | Определение адгезионной прочности тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах методом атомно-силовой микроскопии |
| title_full | Определение адгезионной прочности тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах методом атомно-силовой микроскопии |
| title_fullStr | Определение адгезионной прочности тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах методом атомно-силовой микроскопии |
| title_full_unstemmed | Определение адгезионной прочности тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах методом атомно-силовой микроскопии |
| title_short | Определение адгезионной прочности тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах методом атомно-силовой микроскопии |
| title_sort | определение адгезионной прочности тонких оксидных покрытий на диэлектрических материалах методом атомно-силовой микроскопии |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75964 |
| work_keys_str_mv | AT bilokonʹsa opredelenieadgezionnoipročnostitonkihoksidnyhpokrytiinadiélektričeskihmaterialahmetodomatomnosilovoimikroskopii AT bondarenkoma opredelenieadgezionnoipročnostitonkihoksidnyhpokrytiinadiélektričeskihmaterialahmetodomatomnosilovoimikroskopii AT bondarenkoûû opredelenieadgezionnoipročnostitonkihoksidnyhpokrytiinadiélektričeskihmaterialahmetodomatomnosilovoimikroskopii |