Особливості магнітостимульованої зміни поверхневого електричного потенціалу в кристалах кремнію, що використовуються для потреб сонячної енергетики та мікроелектроніки

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2014
• ISSN: 1816-5230
• Hauptverfasser: Макара, В.А., Стебленко, Л.П., Коротченков, О.О., Надточій, А.Б., Калініченко, Д.В., Курилюк, А.М., Кобзар, Ю.Л., Кріт, О.М., Науменко, С.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75973
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особливості магнітостимульованої зміни поверхневого
 електричного потенціалу в кристалах кремнію,
 що використовуються для потреб сонячної енергетики та
 мікроелектроніки / В.А. Макара, Л.П. Стебленко, О.О. Коротченков, А.Б. Надточій,
 Д.В. Калініченко, А.М. Курилюк, Ю.Л. Кобзар, О.М. Кріт,
 С.М. Науменко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 2. — С. 247-258. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

В роботі шляхом локальних вимірів фото-ерс і побудови мап розподілу
 поверхневого електричного потенціалу визначено характер магнітостимульованих змін у часі життя носіїв заряду в кристалах кремнію для сонячної енергетики та мікроелектроніки. Особливості в прояві виявлених
 магніточутливих ефектів пов’язуються з відмінностями в домішковому
 складі та з відмінностями в перебігу викликаних магнітним впливом міждефектних перетворень у кристалах «сонячного» кремнію та кремнію
 для мікроелектроніки. The character of magnetostimulated changes in lifetime of carriers in silicon
 crystals for solar energetics and microelectronics is determined by local photo-emf
 measurements and plotting the maps of the distribution of surface
 electrical potential. The features of magnetosensitive effects are associated
 with differences in impurity composition and differences in behaviour of interdefect
 transformations caused by the magnetic influence in crystals of
 ‘solar’ silicon and silicon for microelectronics. В работе путём локальных измерений фото-эдс и построения карт распределения поверхностного электрического потенциала определён характер
 магнитостимулированных изменений во времени жизни носителей заряда в кристаллах кремния для солнечной энергетики и микроэлектроники.
 Особенности в проявлении выявленных магниточувствительных эффектов связываются с различиями в примесном составе и с различиями в протекании вызванных магнитным влиянием междефектных преобразований в кристаллах «солнечного» кремния и кремния для микроэлектроники.