Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий

Приведены экспериментальные результаты по получению в плазме тлеющего разряда легированных азотом проводящих наноструктурных алмазных покрытий. Изучено влияние условий синтеза покрытий на их структуру и свойства. Определены зависимости скорости роста покрытий и зависимости величины...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Date:	2014
Main Authors:	Дудник, С.Ф., Василенко, Р.Л., Воеводин, В. Н., Грицына, В.И., Кошевой, К.И., Опалев, О.А., Решетняк, Е.Н., Стрельницкий, В.Е., Горбань, В.Ф.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75978
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий / С.Ф. Дудник, Р.Л. Василенко, В.Н. Воеводин, В.И. Грицына, К.И. Кошевой, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий, В.Ф. Горбань // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 2. — С. 213-224. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1860198724504911872
author	Дудник, С.Ф. Василенко, Р.Л. Воеводин, В. Н. Грицына, В.И. Кошевой, К.И. Опалев, О.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. Горбань, В.Ф.
author_facet	Дудник, С.Ф. Василенко, Р.Л. Воеводин, В. Н. Грицына, В.И. Кошевой, К.И. Опалев, О.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. Горбань, В.Ф.
citation_txt	Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий / С.Ф. Дудник, Р.Л. Василенко, В.Н. Воеводин, В.И. Грицына, К.И. Кошевой, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий, В.Ф. Горбань // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 2. — С. 213-224. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
collection	DSpace DC
container_title	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
description	Приведены экспериментальные результаты по получению в плазме тлеющего разряда легированных азотом проводящих наноструктурных алмазных покрытий. Изучено влияние условий синтеза покрытий на их структуру и свойства. Определены зависимости скорости роста покрытий и зависимости величины удельного сопротивления от параметров синтеза в широком диапазоне их изменения. Показано, что изменения электропроводности наноструктурных алмазных плёнок при легировании их азотом связаны, прежде всего, с изменениями электропроводности межзёренных прослоек, а не с изменением размеров зёрен алмазной фазы. Наведено експериментальні результати щодо одержання у плазмі жеврійного розряду леґованих Нітроґеном електропровідних наноструктурних діямантових покриттів. Вивчено вплив умов синтези покриттів на їхні структуру та властивості. Визначено залежності швидкости росту покриттів і залежності величини питомого опору від параметрів синтези в широкому діяпазоні їхніх змін. Показано, що зміни електропровідности наноструктурних діямантових плівок при леґуванні їх Нітроґеном пов’язані, насамперед, зі змінами електропровідности міжзернових прошарків, а не зі зміною розмірів зерен діямантової фази. The experimental results on the synthesis of nitrogen-doped conductive nanostructured diamond coatings in the glow-discharge plasma are presented. The influence of the coatings’ synthesis conditions on their structure and properties are studied. The dependences of the coatings’-growth rate and their resistance in a wide range of the synthesis-parameters’ changes are determined. As shown, the changes in the electrical conduction of nanostructured diamond films doped with nitrogen are primarily related to changes in the electrical conduction of the intergrain layers and not to changes in the grain size of the diamond phase.
first_indexed	2025-12-07T18:09:14Z
format	Article
fulltext	213 PACS numbers: 61.05.cf, 62.20.Qp, 62.23.Pq, 68.37.Hk, 73.61.Wp, 81.05.uj, 81.65.Lp Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий С. Ф. Дудник, Р. Л. Василенко, В. Н. Воеводин, В. И. Грицына, К. И. Кошевой, О. А. Опалев, Е. Н. Решетняк, В. Е. Стрельницкий, В. Ф. Горбань* ННЦ «Харьковский физико-технический институт» НАН Украины, ул. Академическая, 1, 61108 Харьков, Украина *Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, 03680, ГСП, Киев-142, Украина Приведены экспериментальные результаты по получению в плазме тле- ющего разряда легированных азотом проводящих наноструктурных ал- мазных покрытий. Изучено влияние условий синтеза покрытий на их структуру и свойства. Определены зависимости скорости роста покрытий и зависимости величины удельного сопротивления от параметров синтеза в широком диапазоне их изменения. Показано, что изменения электро- проводности наноструктурных алмазных плёнок при легировании их азо- том связаны, прежде всего, с изменениями электропроводности межзё- ренных прослоек, а не с изменением размеров зёрен алмазной фазы. Наведено експериментальні результати щодо одержання у плазмі жев- рійного розряду леґованих Нітроґеном електропровідних наноструктур- них діямантових покриттів. Вивчено вплив умов синтези покриттів на їхні структуру та властивості. Визначено залежності швидкости росту покриттів і залежності величини питомого опору від параметрів синтези в широкому діяпазоні їхніх змін. Показано, що зміни електропровідности наноструктурних діямантових плівок при леґуванні їх Нітроґеном пов’язані, насамперед, зі змінами електропровідности міжзернових про- шарків, а не зі зміною розмірів зерен діямантової фази. The experimental results on the synthesis of nitrogen-doped conductive nanostructured diamond coatings in the glow-discharge plasma are present- ed. The influence of the coatings’ synthesis conditions on their structure and properties are studied. The dependences of the coatings’-growth rate and their resistance in a wide range of the synthesis-parameters’ changes are de- termined. As shown, the changes in the electrical conduction of nanostruc- Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies 2014, т. 12, № 2, сс. 213–224  2014 ІÌФ (Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН Óкраїни) Надруковано в Óкраїні. Фотокопіювання дозволено тільки відповідно до ліцензії 214 С. Ф. ДÓДНИК, Р. Л. ВАСИЛЕНКО, В. Н. ВОЕВОДИН и др. tured diamond films doped with nitrogen are primarily related to changes in the electrical conduction of the intergrain layers and not to changes in the grain size of the diamond phase. Ключевые слова: алмазные покрытия, легирование азотом, нанострукту- ра, удельное сопротивление, состав газовой фазы. (Получено 18 декабря 2013 г.) 1. ВВЕДЕНИЕ Известно, что алмаз является прекрасным изолятором с шириной запрещённой зоны 5,48 эВ. При получении наноструктурных ал- мазных покрытий CVD-методом в присутствии азота было обнару- жено, что они приобретают заметную электропроводимость при комнатных температурах, чего не должно бы быть при легировании азотом алмаза из-за высокой энергии активации электронов при- месного уровня (1,7 эВ). Исследования показали, что проводимость таких алмазных покрытий связана с влиянием азота на проводи- мость границ зёрен и поэтому наблюдается только в наноструктур- ных плёнках, объем границ в которых может составлять значи- тельную долю от объёма всей плёнки [1]. Возможность получать не только наноструктурные, но и проводящие алмазные покрытия от- крывает новые перспективы использования уникальных по свой- ствам алмазных материалов в приборостроении, микроэлектронике и других областях современного производства. Наиболее распро- странённым способом получения наноструктурных алмазных по- крытий, включая легирование азотом, является способ их синтеза в плазме СВЧ-разряда. Более простым способом при получении нано- структурных алмазных покрытий является способ их синтеза в плазме тлеющего разряда постоянного тока. Цель данной работы — исследование процесса синтеза наноструктурных алмазных покры- тий в плазме тлеющего разряда, возбуждаемого в смеси газов CH4/H2/Ar/N2 и изучение свойств получаемых покрытий. 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ Алмазные покрытия синтезировались из смеси газов водорода, ме- тана, аргона и азота в плазме тлеющего разряда постоянного тока, стабилизированного магнитным полем. Основные характеристики оборудования для получения нанокристаллических легированных азотом алмазных покрытий не отличались от приведённых в работе [2. Концентрация компонентов в газовой смеси изменялась: метана — от 0,7 об.% до 2,7 об.%, аргона — от 50 об.% до 75 об.%, азота — от 0 об.% до 38 об.%, водорода — от 0 об.% до 38 об.%. Температура ПОЛÓЧЕНИЕ И СВОЙСТВА АЛÌАЗНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ 215 синтеза алмазных покрытий зависела от мощности тлеющего раз- ряда, регулировалась изменением тока разряда Iр в пределах от 3,5 А до 7 А и контролировалась с помощью оптического пирометра «Промінь» и термопары, вмонтированной в подложкодержатель. В качестве подложек использовались пластины из монокристалличе- ского кремния или поликристаллического молибдена размерами  77 мм2 и толщиной 0,33 мм и 0,5 мм соответственно. Перед нане- сением покрытия поверхность подложек «засеивалась» порошком ультрадисперсного алмаза для создания на поверхности подложки первичных центров кристаллизации алмазной фазы. Структуру полученных алмазных плёнок исследовали с использованием раст- рового электронного микроскопа JSM-7001F и рентгеновского ди- фрактометра ДРОН-3. По данным рентгеновского фазового анализа во всех синтезиро- ванных покрытиях формируется поликристаллический алмаз (про- странственная группа Fm3m кубической сингонии). Вследствие не- большой толщины полученных плёнок (1–10 мкм) на большей ча- сти дифрактограмм выявлялись линии подложки и несколько наиболее сильных отражений алмаза. Типичная дифрактограмма исследованных плёнок приведена на рис. 1. По угловому положе- нию дифракционных линий был рассчитан параметр кристалличе- ской решётки алмаза в плёнках. Полученные значения находились в интервале 0,3545–0,3557 нм, что несколько ниже табличной ве- личины для природного алмаза (а0,3567 нм). По уширению ди- фракционных линий с использованием формулы Шеррера опреде- лялся размер областей когерентного рассеяния (ОКР) алмаза в плёнках, который изменялся в интервале 8–40 нм и сильно зависел от параметров осаждения. Кроме линий алмаза, на некоторых ди- Рис. 1. Рентгеновская дифрактограмма легированной азотом нанокри- сталлической алмазной плёнки на подложке из кремния (Sі). Стрелками показано положение линий алмаза (А) и графита (Г). 216 С. Ф. ДÓДНИК, Р. Л. ВАСИЛЕНКО, В. Н. ВОЕВОДИН и др. фрактограммах были обнаружены слабые линии в области углов 2, близких к 25 и 42 град, которые могут принадлежать не алмазным формам углерода, вероятнее всего, графиту [3]. Кроме того, присут- ствовало гало в области 20, связанное с формированием рентгено- аморфной фазы. Исследование морфологии поверхности полученных алмазных покрытий показало, что их макроструктура в большинстве случаев имеет выраженный глобулярный характер. Такая макроструктура обусловлена формированием сплошной алмазной плёнки из расту- щих островков, зародышами которых были первичные центры кри- сталлизации алмазной фазы после «засева» подложек алмазным порошком. Размер глобул составлял 0,7–1,5 мкм, что отвечает плотности первичных центров кристаллизации алмазной фазы на уровне 108 см 2. Глобулы в большинстве случаев представляли обра- зования из наноразмерных кристаллов алмаза различной формы и размеров, зависящих от состава газовой фазы и температуры синте- за алмазных плёнок. При концентрации в газовой фазе азота 6% и метана 0,8% (рис. 2, а) покрытие формируется из отдельных, имеющих огранку зёрен раз- а б в г Рис. 2. Ìикроструктура поверхности алмазных покрытий, полученных из газовой смеси CH4/H2/Ar/N2 с содержанием аргона 60% и разным содер- жанием остальных компонентов газовой фазы: верхний ряд — концентра- ция метана 0,8%, концентрация азота — а) 6%, б) 19%; нижний ряд — концентрация метана 1,5%, концентрация азота — в) 6%, г) 19%. ПОЛÓЧЕНИЕ И СВОЙСТВА АЛÌАЗНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ 217 мерами около 1 мкм, что характерно для структуры микрокристалли- ческих алмазных плёнок. Óвеличение концентрации азота вызывает интенсификацию процесса вторичного зародышеобразования на по- верхности растущих зёрен алмазной фазы и приводит к формирова- нию наноструктурных алмазных плёнок (рис. 2, б), Такой же эффект вызывает и увеличение концентрации метана (рис. 2, в, г). По результатам исследований зависимости структуры алмазных покрытий от условий их получения была определена область пара- метров синтеза покрытий с нанокристаллической структурой. На рисунке 3 представлена диаграмма областей формирования раз- личных типов структуры нанокристаллических алмазных покры- тий и значений величины ОКР в зависимости от условий их синте- за. Исследование кинетики роста наноструктурных алмазных по- крытий (рис. 4) показало, что введение в состав газовой фазы азота принципиально не меняет установленные ранее закономерности при получении нелегированных нанокристаллических алмазных плёнок [4]. Как видно из рис. 4, а, скорость роста алмазного покры- тия при концентрации азота в газовой фазе 6% и 13% с увеличени- ем концентрации метана сначала возрастает приблизительно по ли- нейному закону, потом, при достижении определённой концентра- ции метана, рост замедляется. При концентрации азота 6% увели- чение концентрации метана до 2,4% привело уже к падению скоро- сти роста алмазного покрытия. При концентрации азота 19% в пре- Рис. 3. Область параметров синтеза из газовой смеси CH4/H2/Ar/N2 нано- структурных алмазных покрытий с различным типом структуры и разме- ром зерна (содержание Ar в смеси — 60%). 218 С. Ф. ДÓДНИК, Р. Л. ВАСИЛЕНКО, В. Н. ВОЕВОДИН и др. делах исследованных изменений концентрации метана насыщения на кривой зависимости скорости роста алмазного покрытия от кон- центрации метана не было достигнуто. В целом, подобные зависи- мости скорости роста алмазного покрытия от концентрации метана наблюдаются и в случае получения алмазных покрытий из метан- водородных смесей. С ростом концентрации аргона в газовой смеси скорость роста по- крытия уменьшается (рис. 4, в), а с ростом температуры синтеза увеличивается (рис. 4, г). Зависимость скорости роста нанострук- турного алмазного покрытия от концентрации азота в газовой фазе имеет немонотонный характер. При концентрации азота в газовой фазе 6% скорость роста алмазного покрытия минимальна. Она ста- новится сравнима со скоростью роста нелегированного азотом ал- мазного покрытия при возрастании концентрации азота до 13%, и заметно больше — при значениях концентрации азота боле 20%. Это связано с изменением состава и концентрации активных частиц и радикалов в плазме под влиянием азота [4]. а б в г Рис. 4. Зависимость скорости роста наноструктурных алмазных покры- тий, синтезированных из газовой смеси CH4/H2/Ar/N2, от: а) концентра- ции метана, б) концентрации азота, в) концентрации аргона, г) температу- ры синтеза. ПОЛÓЧЕНИЕ И СВОЙСТВА АЛÌАЗНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ 219 Существенное влияние введение азота в состав газовой фазы ока- зывает на микроструктуру получаемых покрытий. На рисунке 5 представлены микрофотографии поверхности алмазных покрытий в зависимости от концентрации азота в газовой фазе, полученных при токе тлеющего разряда 4,5 А из газовой смеси с содержанием аргона 60%, метана 2,1%, остальное — азот и водород. Как видно из приведённого рисунка, наноструктурные элементы а б в г д е Рис. 5. Ìорфология поверхности наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных при токе тлеющего разряда 4,5 А из газовой смеси CH4/H2/Ar/N2 при концентрации аргона 60%, метана 2,1% и азота: а) 0%, б) 6%, в) 19%, г) 25%, д) 32%, е) 38%. 220 С. Ф. ДÓДНИК, Р. Л. ВАСИЛЕНКО, В. Н. ВОЕВОДИН и др. поверхности алмазного покрытия, полученного без введения в газо- вую фазу добавок азота, имеют вид глобул с размерами, которые ле- жат в диапазоне 30–100 нм. Рентгеноструктурные исследования данного покрытия дали для величины ОКР значение 36 нм (рис. 6, а), которое в данном случае можно трактовать как среднюю величи- ну размера нанозерен алмаза. Введение азота в газовую фазу при синтезе наноструктурных алмазных плёнок приводит к уменьшению величины ОКР до 20 нм и формированию наноразмерных образова- ний пластинчатой формы, а при концентрации азота 32% — к по- явлению образований игольчатого типа с ОКР порядка 10 нм. На рисунке 6 приведены графики зависимости величины ОКР наноструктурных алмазных покрытий от концентрации компонен- тов газовой фазы и температуры получения покрытий. Как и следо- вало ожидать, с ростом температуры размер ОКР увеличивается, а с увеличением концентрации аргона — уменьшается. Измерения величины удельного сопротивления наноструктур- ных алмазных покрытий (рис. 7) показали, что имеется сложная связь между этой величиной, изменениями структуры покрытий и а б в г Рис. 6. Зависимость размера ОКР наноструктурных алмазных плёнок, син- тезированных из газовой смеси CH4/H2/Ar/N2, от: а) концентрации метана, б) концентрации азота, в) концентрации аргона, г) температуры синтеза. ПОЛÓЧЕНИЕ И СВОЙСТВА АЛÌАЗНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ 221 концентрацией компонентов газовой фазы, из которой осуществ- лялся их синтез. Зависимость величины удельного сопротивления наноструктур- ных алмазных покрытий от концентрации азота в газовой фазе имеет монотонный характер, уменьшаясь от значений 7106 Омсм (для нелегированного азотом алмазного покрытия) с выходом на плато при достижении концентрации азота 25–30% (рис. 7, б). Наиболее существенное уменьшение удельного сопротивления наноструктур- ных алмазных покрытий происходит при увеличении концентрации азота в газовой фазе до 15–20%. Зависимости величины удельного сопротивления наноструктурных алмазных покрытий от концен- трации метана и аргона имеют более сложный характер, имея явные минимумы при содержании 1,5–2% метана (рис. 7, а) и 60–65% ар- гона (рис. 7, б). При исследовании влияния температуры получения легирован- ных нанокристаллических алмазных покрытий на величину их проводимости были выбраны составы газовых смесей для синтеза покрытий, соответствующие области минимумов величины их со- а б в г Рис. 7. Зависимость величины удельного сопротивления наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных из газовой смеси CH4/H2/Ar/N2: а) от концентрации азота, б) от концентрации метана, в) от концентрации аргона, г) от температуры синтеза. 222 С. Ф. ДÓДНИК, Р. Л. ВАСИЛЕНКО, В. Н. ВОЕВОДИН и др. противления. На рисунке 7, г представлены результаты этих экспе- риментов, которые показали, что удельное сопротивление нанокри- сталлических алмазных покрытий очень сильно зависит от темпе- ратуры их синтеза, уменьшаясь с увеличением температуры в ис- следованном интервале температур. Сравнение графиков зависимости удельного сопротивления ал- мазных покрытий с зависимостью размеров ОКР этих покрытий от условий получения показывает, что не наблюдается корреляция, как между значениями рассматриваемых величин, так и характе- ром их изменений. Это показывает, что изменения электропровод- ности наноструктурных алмазных плёнок при легировании их азо- том связаны, прежде всего, не с изменением размеров зёрен алмаз- ной фазы, а с изменениями электропроводности межзёренных про- слоек. В свою очередь на проводимость межзёренных прослоек ле- гированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, как следует из результатов выполненных исследований покрытий, ока- зывает большое влияние температура синтеза покрытий и содержа- ние всех компонентов газовой смеси, а не только азота. Оптимиза- ция условий синтеза легированных азотом наноструктурных ал- мазных покрытий в данной работе позволила уменьшить их удель- ное сопротивление на 7 порядков по сравнению с сопротивлением нелегированных наноструктурных алмазных покрытий, доведя его до значений на уровне 10 1 Омсм. Были выполнены также исследования влияния концентрации азота в газовой фазе при синтезе нанокристаллических алмазных покрытий на величину их микротвёрдости. Исследование микро- твёрдости выполняли на установке «Ìикрон-гамма» при комнат- ной температуре при нагрузке Р0,5 Н алмазной пирамидой Бер- ковича (65) с автоматически выполняемым нагружением и разгружением. Определение твердости (HIT) и контактного модуля упругости (Er) выполняли в соответствии с ISO14577-2002. Эти ис- следования показали, что при введении азота в газовую фазу до  25% сохраняется высокая твёрдость, присущая алмазным покры- тиям (табл.). Таким образом, выбирая оптимальные параметры синтеза леги- рованных азотом нанокристаллических алмазных покрытий мож- но получать покрытия, сочетающие в себе уникальные свойства ал- ТАБЛИЦА. Ìикротвёрдость наноструктурных алмазных покрытий, син- тезированных из газовой смеси CH4/H2/Ar/N2 при концентрации метана 2,1%, концентрации аргона 60% и различной концентрации азота в газо- вой фазе. N2, % 0 6 13 19 25 32 38 ОКР, нм 37 19 16 23 16 11 6 H, ГПа 56 54 64 46 64 28 25 ПОЛÓЧЕНИЕ И СВОЙСТВА АЛÌАЗНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ 223 мазного материала и достаточно высокую электропроводимость. 3. ЗАКЛЮЧЕНИЕ Óстановлена область параметров синтеза алмазных покрытий, ле- гированных азотом в плазме тлеющего разряда постоянного тока, стабилизированного магнитным полем, при которых формируется наноструктура. Определены зависимости скорости роста легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, средних размеров нанозе- рен алмаза и величины удельного сопротивления от параметров синтеза покрытий в широком диапазоне их изменения. Совокупность полученных данных указывает на то, что измене- ние электропроводимости наноструктурных алмазных плёнок при легировании их азотом связано, прежде всего, с изменениями элек- тропроводности межзёренных прослоек, а не с изменением разме- ров зёрен алмазной фазы. Отработаны условия получения легированных азотом нанострук- турных алмазных покрытий, которые обеспечили снижение сопро- тивления покрытий со значения 7106 Омсм (для нелегированного покрытия) до уровня 10 1 Омсм. Результаты по исследованию кинетики роста легированных азо- том наноструктурных алмазных покрытий в плазме тлеющего раз- ряда, влияния параметров синтеза на их структуру и электропрово- димость могут служить основой для оптимизации процесса получе- ния легированных азотом проводящих наноструктурных покрытий в плазме тлеющего разряда. ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА 1. O. A. Williams, Diamond & Related Materials, 20: 621 (2011). 2. И. И. Выровец, В. И. Грицына, С. Ф. Дудник, О. А. Опалев, Е. Н. Решетняк, В. Е. Стрельницкий, Материалы 21 Международного симпозиума «Тонкие плёнки в электронике». (Ìосква: ОАО «ЦНИТИ ТЕХНОÌАШ»: 2008), с. 377. 3. A. F. Azevedo, S. C. Ramos, M. R. Baldan, N. G. Ferreira, Diamond & Related Materials, 17: 1137 (2008). 4. В. И. Грицына, С. Ф. Дудник, К. И. Кошевой, О. А. Опалев, В. Е. Стрель- ницкий, Физическая инженерия поверхности, 10, № 4: 308 (2012). REFERENCES 1. O. A. Williams, Diamond & Related Materials, 20: 621 (2011). 2. I. I. Vyrovets, V. I. Gritsyna, S. F. Dudnik, O. A. Opalev, E. N. Reshetnyak, V. E. Strel’nickij, Materialy 21 Mezhdunarodnogo Simpoziuma ‘Tonkie Plyon- 224 С. Ф. ДÓДНИК, Р. Л. ВАСИЛЕНКО, В. Н. ВОЕВОДИН и др. ki v Ehlektronike’ (Moscow: OJSC ‘CSRTI TEKhNOMASh’: 2008), p. 377 (in Russian). 3. A. F. Azevedo, S. C. Ramos, M. R. Baldan, N. G. Ferreira, Diamond & Related Materials, 17: 1137 (2008). 4. V. I. Gricyna, S. F. Dudnik, K. I. Koshevoj, O. A. Opalev, V. E. Strel’nickij, Fizicheskaya Inzheneriya Poverkhnosti, 10, No. 4: 308 (2012) (in Russian).
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75978
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1816-5230
language	Russian
last_indexed	2025-12-07T18:09:14Z
publishDate	2014
publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format	dspace
spelling	Дудник, С.Ф. Василенко, Р.Л. Воеводин, В. Н. Грицына, В.И. Кошевой, К.И. Опалев, О.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. Горбань, В.Ф. 2015-02-06T18:27:55Z 2015-02-06T18:27:55Z 2014 Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий / С.Ф. Дудник, Р.Л. Василенко, В.Н. Воеводин, В.И. Грицына, К.И. Кошевой, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий, В.Ф. Горбань // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 2. — С. 213-224. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1816-5230 PACSnumbers:61.05.cf,62.20.Qp,62.23.Pq,68.37.Hk,73.61.Wp,81.05.uj,81.65.Lp https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75978 Приведены экспериментальные результаты по получению в плазме тлеющего разряда легированных азотом проводящих наноструктурных алмазных покрытий. Изучено влияние условий синтеза покрытий на их структуру и свойства. Определены зависимости скорости роста покрытий и зависимости величины удельного сопротивления от параметров синтеза в широком диапазоне их изменения. Показано, что изменения электропроводности наноструктурных алмазных плёнок при легировании их азотом связаны, прежде всего, с изменениями электропроводности межзёренных прослоек, а не с изменением размеров зёрен алмазной фазы. Наведено експериментальні результати щодо одержання у плазмі жеврійного розряду леґованих Нітроґеном електропровідних наноструктурних діямантових покриттів. Вивчено вплив умов синтези покриттів на їхні структуру та властивості. Визначено залежності швидкости росту покриттів і залежності величини питомого опору від параметрів синтези в широкому діяпазоні їхніх змін. Показано, що зміни електропровідности наноструктурних діямантових плівок при леґуванні їх Нітроґеном пов’язані, насамперед, зі змінами електропровідности міжзернових прошарків, а не зі зміною розмірів зерен діямантової фази. The experimental results on the synthesis of nitrogen-doped conductive nanostructured diamond coatings in the glow-discharge plasma are presented. The influence of the coatings’ synthesis conditions on their structure and properties are studied. The dependences of the coatings’-growth rate and their resistance in a wide range of the synthesis-parameters’ changes are determined. As shown, the changes in the electrical conduction of nanostructured diamond films doped with nitrogen are primarily related to changes in the electrical conduction of the intergrain layers and not to changes in the grain size of the diamond phase. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий Article published earlier
spellingShingle	Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий Дудник, С.Ф. Василенко, Р.Л. Воеводин, В. Н. Грицына, В.И. Кошевой, К.И. Опалев, О.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. Горбань, В.Ф.
title	Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий
title_full	Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий
title_fullStr	Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий
title_full_unstemmed	Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий
title_short	Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий
title_sort	получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75978
work_keys_str_mv	AT dudniksf polučenieisvoistvaprovodâŝihalmaznyhnanokristalličeskihpokrytii AT vasilenkorl polučenieisvoistvaprovodâŝihalmaznyhnanokristalličeskihpokrytii AT voevodinvn polučenieisvoistvaprovodâŝihalmaznyhnanokristalličeskihpokrytii AT gricynavi polučenieisvoistvaprovodâŝihalmaznyhnanokristalličeskihpokrytii AT koševoiki polučenieisvoistvaprovodâŝihalmaznyhnanokristalličeskihpokrytii AT opalevoa polučenieisvoistvaprovodâŝihalmaznyhnanokristalličeskihpokrytii AT rešetnâken polučenieisvoistvaprovodâŝihalmaznyhnanokristalličeskihpokrytii AT strelʹnickiive polučenieisvoistvaprovodâŝihalmaznyhnanokristalličeskihpokrytii AT gorbanʹvf polučenieisvoistvaprovodâŝihalmaznyhnanokristalličeskihpokrytii

Получение и свойства проводящих алмазных нанокристаллических покрытий

Institution

Similar Items