Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини

• Опубліковано в: : Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Дата: 2008
• Автори: Бігун, Р.І., Стасюк, З.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76013
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини / Р.І. Бігун, З.В. Стасюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 17-24. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Вивчено структуру та електропровідність тонких плівок міді, нанесених на поверхню полірованого скла та скла, попередньо покритого підшаром ґерманію. Показано, що підшари ґерманію (масовою товщиною 1—5 нм) прискорюють металізацію плівок міді. Згідно з результатами структурних досліджень, попередньо нанесений на підкладку підшар ґерманію сприяє формуванню більш дрібнодисперсних плівок. Експериментально одержані розмірні залежності питомого опору та температурного коефіцієнта опору пояснено в рамках існуючих модельних уявлень про класичний та внутрішній розмірні ефекти. Исследована структура и электропроводимость тонких пленок меди, нанесенных на поверхности полированного стекла и стекла, предварительно покрытого подслоем германия. Показано, что подслои германия (массивной толщиной 1—5 нм) ускоряют процесс металлизации пленок меди и содействуют формированию более мелкокристаллических пленок меди. Размерные зависимости удельного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления объяснены с помощью модельных представлений о классическом и внутреннем размерных эффектах. The structure and electrical conductivity of nanometre thin films of Cu deposited on polished glass surface and glass surface predeposited with germanium sublayer are investigated. As shown, Ge sublayers (with massive thickness of 1—5 nm) hasten Cu-films’ metallization and promote formation of more fine-grained Cu films. Size dependences of resistivity and resistance temperature coefficient are explained within the scope of the classical and internal size-effect models.