Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини

Вивчено структуру та електропровідність тонких плівок міді, нанесених
 на поверхню полірованого скла та скла, попередньо покритого підшаром
 ґерманію. Показано, що підшари ґерманію (масовою товщиною 1—5 нм)
 прискорюють металізацію плівок міді. Згідно з результатами структурн...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2008
Hauptverfasser: Бігун, Р.І., Стасюк, З.В.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76013
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та
 електропровідність тонких полікристалічних плівок міді
 нанометрової товщини / Р.І. Бігун, З.В. Стасюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 17-24. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862731045251579904
author Бігун, Р.І.
Стасюк, З.В.
author_facet Бігун, Р.І.
Стасюк, З.В.
citation_txt Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та
 електропровідність тонких полікристалічних плівок міді
 нанометрової товщини / Р.І. Бігун, З.В. Стасюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 17-24. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
description Вивчено структуру та електропровідність тонких плівок міді, нанесених
 на поверхню полірованого скла та скла, попередньо покритого підшаром
 ґерманію. Показано, що підшари ґерманію (масовою товщиною 1—5 нм)
 прискорюють металізацію плівок міді. Згідно з результатами структурних досліджень, попередньо нанесений на підкладку підшар ґерманію
 сприяє формуванню більш дрібнодисперсних плівок. Експериментально
 одержані розмірні залежності питомого опору та температурного коефіцієнта опору пояснено в рамках існуючих модельних уявлень про класичний та внутрішній розмірні ефекти. Исследована структура и электропроводимость тонких пленок меди, нанесенных на поверхности полированного стекла и стекла, предварительно
 покрытого подслоем германия. Показано, что подслои германия (массивной толщиной 1—5 нм) ускоряют процесс металлизации пленок меди и содействуют формированию более мелкокристаллических пленок меди. Размерные зависимости удельного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления объяснены с помощью модельных представлений о
 классическом и внутреннем размерных эффектах. The structure and electrical conductivity of nanometre thin films of Cu deposited
 on polished glass surface and glass surface predeposited with germanium
 sublayer are investigated. As shown, Ge sublayers (with massive thickness
 of 1—5 nm) hasten Cu-films’ metallization and promote formation of
 more fine-grained Cu films. Size dependences of resistivity and resistance
 temperature coefficient are explained within the scope of the classical and
 internal size-effect models.
first_indexed 2025-12-07T19:23:16Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76013
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1816-5230
language Ukrainian
last_indexed 2025-12-07T19:23:16Z
publishDate 2008
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Бігун, Р.І.
Стасюк, З.В.
2015-02-07T12:27:34Z
2015-02-07T12:27:34Z
2008
Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та
 електропровідність тонких полікристалічних плівок міді
 нанометрової товщини / Р.І. Бігун, З.В. Стасюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 17-24. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
1816-5230
PACS numbers :72.15.Jf,72.20.Pa,73.23.-b,73.40.Qv,73.50.Lw,73.63.-r,73.63.-b
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76013
Вивчено структуру та електропровідність тонких плівок міді, нанесених
 на поверхню полірованого скла та скла, попередньо покритого підшаром
 ґерманію. Показано, що підшари ґерманію (масовою товщиною 1—5 нм)
 прискорюють металізацію плівок міді. Згідно з результатами структурних досліджень, попередньо нанесений на підкладку підшар ґерманію
 сприяє формуванню більш дрібнодисперсних плівок. Експериментально
 одержані розмірні залежності питомого опору та температурного коефіцієнта опору пояснено в рамках існуючих модельних уявлень про класичний та внутрішній розмірні ефекти.
Исследована структура и электропроводимость тонких пленок меди, нанесенных на поверхности полированного стекла и стекла, предварительно
 покрытого подслоем германия. Показано, что подслои германия (массивной толщиной 1—5 нм) ускоряют процесс металлизации пленок меди и содействуют формированию более мелкокристаллических пленок меди. Размерные зависимости удельного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления объяснены с помощью модельных представлений о
 классическом и внутреннем размерных эффектах.
The structure and electrical conductivity of nanometre thin films of Cu deposited
 on polished glass surface and glass surface predeposited with germanium
 sublayer are investigated. As shown, Ge sublayers (with massive thickness
 of 1—5 nm) hasten Cu-films’ metallization and promote formation of
 more fine-grained Cu films. Size dependences of resistivity and resistance
 temperature coefficient are explained within the scope of the classical and
 internal size-effect models.
uk
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
Impact of Surfactant Germanium Underlayers on Structure and Electrical Conductivity of Thin Polycrystalline Films of Nanometre Thickness
Article
published earlier
spellingShingle Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
Бігун, Р.І.
Стасюк, З.В.
title Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
title_alt Impact of Surfactant Germanium Underlayers on Structure and Electrical Conductivity of Thin Polycrystalline Films of Nanometre Thickness
title_full Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
title_fullStr Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
title_full_unstemmed Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
title_short Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
title_sort вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76013
work_keys_str_mv AT bígunrí vplivsurfaktantnihpídšarívgermaníûnastrukturutaelektroprovídnístʹtonkihpolíkristalíčnihplívokmídínanometrovoítovŝini
AT stasûkzv vplivsurfaktantnihpídšarívgermaníûnastrukturutaelektroprovídnístʹtonkihpolíkristalíčnihplívokmídínanometrovoítovŝini
AT bígunrí impactofsurfactantgermaniumunderlayersonstructureandelectricalconductivityofthinpolycrystallinefilmsofnanometrethickness
AT stasûkzv impactofsurfactantgermaniumunderlayersonstructureandelectricalconductivityofthinpolycrystallinefilmsofnanometrethickness