Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes

• Опубліковано в: : Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Дата: 2008
• Автори: Franiv, A.V., Bovgyra, O.V., Franiv, O.V., Goyer, D.B.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76016
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes / A.V. Franiv, O.V. Bovgyra, O.V. Franiv, D.B. Goyer // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

The relaxation dynamics of the exciton resonances in the layer InxTl1−xI semiconductor for its transition from bulk crystals to the quantum-size nanocrystals synthesised within the different matrices is analysed. The mordenitetype (Na-MOR)Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O zeolite, beryl and porous silicon are used as matrices. As experimentally shown, the size-effects’ influence affect the parameters of the band-to-band transitions and the genesis of exciton states in substitutional solid solution of InxTl1−xI. На прикладі шаруватого напівпровідника InxTl1−xI проаналізовано динаміку релаксації екситонних збуджень при переході від блочних монокристалів до нанокристалів, синтезованих у ріжних матрицях, таких як поруватий кремній, берил та природній цеоліт Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O (морденіт). Експериментально виявлено вплив розмірного квантування на параметри зона-зонних переходів, а також генезис екситонних станів твердих розчинів заміщення InxTl1−xI. На примере слоистого полупроводника InxTl1−xI проанализирована динамика релаксации экситонных возбуждений при переходе от блочных монокристаллов к нанокристаллам, синтезированным в разных матрицах, таких как пористый кремний, берилл и цеолит Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O (морденит). Экспериментально выявлено влияние размерного квантовния на параметры зона-зонных переходов, а также генезис экситонных состояний твердых растворов замещения InxTl1−xI.