Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes
The relaxation dynamics of the exciton resonances in the layer InxTl1−xI semiconductor for its transition from bulk crystals to the quantum-size nanocrystals synthesised within the different matrices is analysed. The mordenitetype (Na-MOR)Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O zeolite, beryl and porous silicon...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76016 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes / A.V. Franiv, O.V. Bovgyra, O.V. Franiv, D.B. Goyer // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76016 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Franiv, A.V. Bovgyra, O.V. Franiv, O.V. Goyer, D.B. 2015-02-07T12:52:35Z 2015-02-07T12:52:35Z 2008 Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes / A.V. Franiv, O.V. Bovgyra, O.V. Franiv, D.B. Goyer // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. 1816-5230 PACS numbers: 71.35.Cc, 73.20.Mf, 77.84.Bw, 78.55.-m, 78.67.Bf, 81.40.Tv https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76016 The relaxation dynamics of the exciton resonances in the layer InxTl1−xI semiconductor for its transition from bulk crystals to the quantum-size nanocrystals synthesised within the different matrices is analysed. The mordenitetype (Na-MOR)Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O zeolite, beryl and porous silicon are used as matrices. As experimentally shown, the size-effects’ influence affect the parameters of the band-to-band transitions and the genesis of exciton states in substitutional solid solution of InxTl1−xI. На прикладі шаруватого напівпровідника InxTl1−xI проаналізовано динаміку релаксації екситонних збуджень при переході від блочних монокристалів до нанокристалів, синтезованих у ріжних матрицях, таких як поруватий кремній, берил та природній цеоліт Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O (морденіт). Експериментально виявлено вплив розмірного квантування на параметри зона-зонних переходів, а також генезис екситонних станів твердих розчинів заміщення InxTl1−xI. На примере слоистого полупроводника InxTl1−xI проанализирована динамика релаксации экситонных возбуждений при переходе от блочных монокристаллов к нанокристаллам, синтезированным в разных матрицах, таких как пористый кремний, берилл и цеолит Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O (морденит). Экспериментально выявлено влияние размерного квантовния на параметры зона-зонных переходов, а также генезис экситонных состояний твердых растворов замещения InxTl1−xI. en Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes |
| spellingShingle |
Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes Franiv, A.V. Bovgyra, O.V. Franiv, O.V. Goyer, D.B. |
| title_short |
Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes |
| title_full |
Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes |
| title_fullStr |
Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes |
| title_full_unstemmed |
Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes |
| title_sort |
luminescence of inxtl1−xi nanocrystals embedded in dielectric matrixes |
| author |
Franiv, A.V. Bovgyra, O.V. Franiv, O.V. Goyer, D.B. |
| author_facet |
Franiv, A.V. Bovgyra, O.V. Franiv, O.V. Goyer, D.B. |
| publishDate |
2008 |
| language |
English |
| container_title |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| description |
The relaxation dynamics of the exciton resonances in the layer InxTl1−xI semiconductor
for its transition from bulk crystals to the quantum-size nanocrystals
synthesised within the different matrices is analysed. The mordenitetype
(Na-MOR)Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O zeolite, beryl and porous silicon are
used as matrices. As experimentally shown, the size-effects’ influence affect
the parameters of the band-to-band transitions and the genesis of exciton
states in substitutional solid solution of InxTl1−xI.
На прикладі шаруватого напівпровідника InxTl1−xI проаналізовано динаміку релаксації екситонних збуджень при переході від блочних монокристалів до нанокристалів, синтезованих у ріжних матрицях, таких як поруватий кремній, берил та природній цеоліт Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O (морденіт). Експериментально виявлено вплив розмірного квантування на параметри зона-зонних переходів, а також генезис екситонних станів твердих розчинів заміщення InxTl1−xI.
На примере слоистого полупроводника InxTl1−xI проанализирована динамика релаксации экситонных возбуждений при переходе от блочных монокристаллов к нанокристаллам, синтезированным в разных матрицах,
таких как пористый кремний, берилл и цеолит Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O
(морденит). Экспериментально выявлено влияние размерного квантовния на параметры зона-зонных переходов, а также генезис экситонных
состояний твердых растворов замещения InxTl1−xI.
|
| issn |
1816-5230 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76016 |
| citation_txt |
Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes / A.V. Franiv, O.V. Bovgyra, O.V. Franiv, D.B. Goyer // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT franivav luminescenceofinxtl1xinanocrystalsembeddedindielectricmatrixes AT bovgyraov luminescenceofinxtl1xinanocrystalsembeddedindielectricmatrixes AT franivov luminescenceofinxtl1xinanocrystalsembeddedindielectricmatrixes AT goyerdb luminescenceofinxtl1xinanocrystalsembeddedindielectricmatrixes |
| first_indexed |
2025-11-28T23:37:38Z |
| last_indexed |
2025-11-28T23:37:38Z |
| _version_ |
1850854259854147584 |