Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами

Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований межзонного поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолно...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Date:2008
Main Authors: Шпак, А.П., Покутний, С.И., Смынтына, В.А., Уваров, В.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76017
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами / А.П.Шпак, С.И. Покутний, В.А. Смынтына, В.Н. Уваров // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 83-95. — Бібліогр.: 44 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований межзонного поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолновую область. Установлено, что край поглощения нанокристаллов формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона. Проаналізовано результати теоретичних і експериментальних досліджень міжзонного вбирання світла напівпровідниковими нанокристалами. Показано, що врахування поляризаційної взаємодії електрона і дірки з поверхнею нанокристалу викликає зсув порогу вбирання в нанокристалі в короткохвильову область. Встановлено, що край вбирання нанокристалів формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з ріжних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рівень розмірного квантування електрона. The results of theoretical and experimental investigations of interband light absorption in semiconductor nanocrystals are analyzed. As shown, the absorption edge in a nanocrystal is shifted to shorter wavelengths if the polarization interaction of an electron and a hole with the nanocrystal surface is taken into account. As revealed, the absorption edge for nanocrystals is formed by two transitions comparable by intensity. These transitions occurfrom different levels of size-related quantization for a hole to the lower level of size-related quantization for an electron.
ISSN:1816-5230