Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами

Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований межзонного поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолно...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2008
Hauptverfasser: Шпак, А.П., Покутний, С.И., Смынтына, В.А., Уваров, В.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76017
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Межзонное поглощение света полупроводниковыми
 нанокристаллами / А.П.Шпак, С.И. Покутний, В.А. Смынтына, В.Н. Уваров // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 83-95. — Бібліогр.: 44 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований межзонного поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолновую область. Установлено, что
 край поглощения нанокристаллов формируется двумя сравнимыми по
 интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования
 дырки на нижний уровень размерного квантования электрона. Проаналізовано результати теоретичних і експериментальних досліджень міжзонного вбирання світла напівпровідниковими нанокристалами. Показано, що врахування поляризаційної взаємодії електрона і дірки
 з поверхнею нанокристалу викликає зсув порогу вбирання в нанокристалі
 в короткохвильову область. Встановлено, що край вбирання нанокристалів формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з ріжних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рівень розмірного
 квантування електрона. The results of theoretical and experimental investigations of interband light
 absorption in semiconductor nanocrystals are analyzed. As shown, the absorption
 edge in a nanocrystal is shifted to shorter wavelengths if the polarization
 interaction of an electron and a hole with the nanocrystal surface is
 taken into account. As revealed, the absorption edge for nanocrystals is
 formed by two transitions comparable by intensity. These transitions occurfrom different levels of size-related quantization for a hole to the lower level
 of size-related quantization for an electron.
ISSN:1816-5230