Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами

Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами

Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований межзонного поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолно...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2008
Hauptverfasser: Шпак, А.П., Покутний, С.И., Смынтына, В.А., Уваров, В.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76017
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами / А.П.Шпак, С.И. Покутний, В.А. Смынтына, В.Н. Уваров // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 83-95. — Бібліогр.: 44 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76017
record_format dspace
spelling Шпак, А.П.
Покутний, С.И.
Смынтына, В.А.
Уваров, В.Н.
2015-02-07T12:54:17Z
2015-02-07T12:54:17Z
2008
Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами / А.П.Шпак, С.И. Покутний, В.А. Смынтына, В.Н. Уваров // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 83-95. — Бібліогр.: 44 назв. — рос.
1816-5230
PACS numbers: 71.35.Cc,73.20.Mf, 78.66.Vs, 78.67.Bf, 78.67.Hc, 78.68.+m
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76017
Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований межзонного поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолновую область. Установлено, что край поглощения нанокристаллов формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона.
Проаналізовано результати теоретичних і експериментальних досліджень міжзонного вбирання світла напівпровідниковими нанокристалами. Показано, що врахування поляризаційної взаємодії електрона і дірки з поверхнею нанокристалу викликає зсув порогу вбирання в нанокристалі в короткохвильову область. Встановлено, що край вбирання нанокристалів формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з ріжних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рівень розмірного квантування електрона.
The results of theoretical and experimental investigations of interband light absorption in semiconductor nanocrystals are analyzed. As shown, the absorption edge in a nanocrystal is shifted to shorter wavelengths if the polarization interaction of an electron and a hole with the nanocrystal surface is taken into account. As revealed, the absorption edge for nanocrystals is formed by two transitions comparable by intensity. These transitions occurfrom different levels of size-related quantization for a hole to the lower level of size-related quantization for an electron.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
Interband Light Absorption in Semiconductor Nanoсrystals
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
spellingShingle Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
Шпак, А.П.
Покутний, С.И.
Смынтына, В.А.
Уваров, В.Н.
title_short Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
title_full Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
title_fullStr Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
title_full_unstemmed Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
title_sort межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
author Шпак, А.П.
Покутний, С.И.
Смынтына, В.А.
Уваров, В.Н.
author_facet Шпак, А.П.
Покутний, С.И.
Смынтына, В.А.
Уваров, В.Н.
publishDate 2008
language Russian
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
title_alt Interband Light Absorption in Semiconductor Nanoсrystals
description Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований межзонного поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолновую область. Установлено, что край поглощения нанокристаллов формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона. Проаналізовано результати теоретичних і експериментальних досліджень міжзонного вбирання світла напівпровідниковими нанокристалами. Показано, що врахування поляризаційної взаємодії електрона і дірки з поверхнею нанокристалу викликає зсув порогу вбирання в нанокристалі в короткохвильову область. Встановлено, що край вбирання нанокристалів формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з ріжних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рівень розмірного квантування електрона. The results of theoretical and experimental investigations of interband light absorption in semiconductor nanocrystals are analyzed. As shown, the absorption edge in a nanocrystal is shifted to shorter wavelengths if the polarization interaction of an electron and a hole with the nanocrystal surface is taken into account. As revealed, the absorption edge for nanocrystals is formed by two transitions comparable by intensity. These transitions occurfrom different levels of size-related quantization for a hole to the lower level of size-related quantization for an electron.
issn 1816-5230
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76017
citation_txt Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами / А.П.Шпак, С.И. Покутний, В.А. Смынтына, В.Н. Уваров // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 83-95. — Бібліогр.: 44 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT špakap mežzonnoepogloŝeniesvetapoluprovodnikovyminanokristallami
AT pokutniisi mežzonnoepogloŝeniesvetapoluprovodnikovyminanokristallami
AT smyntynava mežzonnoepogloŝeniesvetapoluprovodnikovyminanokristallami
AT uvarovvn mežzonnoepogloŝeniesvetapoluprovodnikovyminanokristallami
AT špakap interbandlightabsorptioninsemiconductornanosrystals
AT pokutniisi interbandlightabsorptioninsemiconductornanosrystals
AT smyntynava interbandlightabsorptioninsemiconductornanosrystals
AT uvarovvn interbandlightabsorptioninsemiconductornanosrystals
first_indexed 2025-12-07T16:11:32Z
last_indexed 2025-12-07T16:11:32Z
_version_ 1850866550976806912

Ähnliche Einträge