Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2008
• 1. Verfasser: Филиппов, В.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76070
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Моделирование электронной структуры кремниевых
 напряженных наночастиц / В.В. Филиппов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 705-715. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета
 электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на
 германиевой подложке. Изучены взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой и механизм переноса заряда в кремниевых наноструктурах. Анализируется влияние деформации и примеси на распределение электронных состояний. Наведено результати оптимізації атомової структури та розрахунку електронних характеристик напружених кремнійових кластерів Si51 на германійовім підложжі. Вивчено взаємодію межових атомів нанокластерів з підложжям та механізм перенесення заряду в кремнійових наноструктурах.
 Аналізується вплив деформації й домішок на розподіл електронних станів. Results of optimization of atomic structure and calculation of electronic
 properties of strained silicon clusters Si51 on a germanium substrate are presented.
 Interaction of boundary atoms of nanoclusters with the substrate and
 mechanism of charge transfer in silicon nanostructures are studied. Influence
 of strain and impurities on distribution of electronic states is analyzed.