Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц
Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на германиевой подложке. Изучены взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой и механизм переноса заряда в кремниевых наноструктурах. Анализируется влияние д...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76070 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц / В.В. Филиппов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 705-715. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76070 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Филиппов, В.В. 2015-02-07T17:12:27Z 2015-02-07T17:12:27Z 2008 Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц / В.В. Филиппов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 705-715. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 61.46.Bc, 61.46.Hk, 73.22.Dj, 73.61.Cw, 81.07.Bc https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76070 Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на германиевой подложке. Изучены взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой и механизм переноса заряда в кремниевых наноструктурах. Анализируется влияние деформации и примеси на распределение электронных состояний. Наведено результати оптимізації атомової структури та розрахунку електронних характеристик напружених кремнійових кластерів Si51 на германійовім підложжі. Вивчено взаємодію межових атомів нанокластерів з підложжям та механізм перенесення заряду в кремнійових наноструктурах. Аналізується вплив деформації й домішок на розподіл електронних станів. Results of optimization of atomic structure and calculation of electronic properties of strained silicon clusters Si51 on a germanium substrate are presented. Interaction of boundary atoms of nanoclusters with the substrate and mechanism of charge transfer in silicon nanostructures are studied. Influence of strain and impurities on distribution of electronic states is analyzed. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц Modelling of Electronic Structure of Silicon Strained Nanoparticles Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| spellingShingle |
Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц Филиппов, В.В. |
| title_short |
Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| title_full |
Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| title_fullStr |
Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| title_full_unstemmed |
Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| title_sort |
моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| author |
Филиппов, В.В. |
| author_facet |
Филиппов, В.В. |
| publishDate |
2008 |
| language |
Russian |
| container_title |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Modelling of Electronic Structure of Silicon Strained Nanoparticles |
| description |
Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета
электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на
германиевой подложке. Изучены взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой и механизм переноса заряда в кремниевых наноструктурах. Анализируется влияние деформации и примеси на распределение электронных состояний.
Наведено результати оптимізації атомової структури та розрахунку електронних характеристик напружених кремнійових кластерів Si51 на германійовім підложжі. Вивчено взаємодію межових атомів нанокластерів з підложжям та механізм перенесення заряду в кремнійових наноструктурах.
Аналізується вплив деформації й домішок на розподіл електронних станів.
Results of optimization of atomic structure and calculation of electronic
properties of strained silicon clusters Si51 on a germanium substrate are presented.
Interaction of boundary atoms of nanoclusters with the substrate and
mechanism of charge transfer in silicon nanostructures are studied. Influence
of strain and impurities on distribution of electronic states is analyzed.
|
| issn |
1816-5230 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76070 |
| citation_txt |
Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц / В.В. Филиппов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 705-715. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT filippovvv modelirovanieélektronnoistrukturykremnievyhnaprâžennyhnanočastic AT filippovvv modellingofelectronicstructureofsiliconstrainednanoparticles |
| first_indexed |
2025-12-07T17:02:32Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:02:32Z |
| _version_ |
1850869759102418945 |