Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц
Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета
 электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на
 германиевой подложке. Изучены взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой и механизм переноса заряда в кремниевых наноструктурах. Анализи...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76070 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Моделирование электронной структуры кремниевых
 напряженных наночастиц / В.В. Филиппов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 705-715. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862707058811338752 |
|---|---|
| author | Филиппов, В.В. |
| author_facet | Филиппов, В.В. |
| citation_txt | Моделирование электронной структуры кремниевых
 напряженных наночастиц / В.В. Филиппов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 705-715. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета
электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на
германиевой подложке. Изучены взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой и механизм переноса заряда в кремниевых наноструктурах. Анализируется влияние деформации и примеси на распределение электронных состояний.
Наведено результати оптимізації атомової структури та розрахунку електронних характеристик напружених кремнійових кластерів Si51 на германійовім підложжі. Вивчено взаємодію межових атомів нанокластерів з підложжям та механізм перенесення заряду в кремнійових наноструктурах.
Аналізується вплив деформації й домішок на розподіл електронних станів.
Results of optimization of atomic structure and calculation of electronic
properties of strained silicon clusters Si51 on a germanium substrate are presented.
Interaction of boundary atoms of nanoclusters with the substrate and
mechanism of charge transfer in silicon nanostructures are studied. Influence
of strain and impurities on distribution of electronic states is analyzed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:02:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76070 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:02:32Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Филиппов, В.В. 2015-02-07T17:12:27Z 2015-02-07T17:12:27Z 2008 Моделирование электронной структуры кремниевых
 напряженных наночастиц / В.В. Филиппов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 705-715. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 61.46.Bc, 61.46.Hk, 73.22.Dj, 73.61.Cw, 81.07.Bc https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76070 Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета
 электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на
 германиевой подложке. Изучены взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой и механизм переноса заряда в кремниевых наноструктурах. Анализируется влияние деформации и примеси на распределение электронных состояний. Наведено результати оптимізації атомової структури та розрахунку електронних характеристик напружених кремнійових кластерів Si51 на германійовім підложжі. Вивчено взаємодію межових атомів нанокластерів з підложжям та механізм перенесення заряду в кремнійових наноструктурах.
 Аналізується вплив деформації й домішок на розподіл електронних станів. Results of optimization of atomic structure and calculation of electronic
 properties of strained silicon clusters Si51 on a germanium substrate are presented.
 Interaction of boundary atoms of nanoclusters with the substrate and
 mechanism of charge transfer in silicon nanostructures are studied. Influence
 of strain and impurities on distribution of electronic states is analyzed. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц Modelling of Electronic Structure of Silicon Strained Nanoparticles Article published earlier |
| spellingShingle | Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц Филиппов, В.В. |
| title | Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| title_alt | Modelling of Electronic Structure of Silicon Strained Nanoparticles |
| title_full | Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| title_fullStr | Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| title_full_unstemmed | Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| title_short | Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| title_sort | моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76070 |
| work_keys_str_mv | AT filippovvv modelirovanieélektronnoistrukturykremnievyhnaprâžennyhnanočastic AT filippovvv modellingofelectronicstructureofsiliconstrainednanoparticles |