Нерезонансное электронное туннелирование через молекулярные плёнки в сильном электрическом поле

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Петров, Э.Г., Шевченко, Е.В., Тесленко, В.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76075
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Нерезонансное электронное туннелирование через молекулярные плёнки в сильном электрическом поле / Э.Г. Петров, Е.В. Шевченко, В.И. Тесленко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 731-744. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Изучен процесс формирования нерезонансного туннельного тока через цепочечную молекулу с насыщенными связями. Показано, что делокализация электрона по молекуле формирует прямоугольный энергетический туннельный барьер в достаточно широком диапазоне длин молекулярной цепи. Высота барьера линейно зав...