Поверхневі моди малих частинок (МЧ) та матричних дисперсних систем (МДС) на їх основі
Вивчено електродинамічний відгук систем малих частинок (МЧ) на зовнішнє електричне поле E0. Одержано аналітичні вирази для поляризовности двох МЧ з урахуванням мультипольної взаємодії між ними та однієї двошарової МЧ. Розраховано частоти поверхневих мод для двошарової металевої кульової частинки та...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Schriftenreihe: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76085 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Поверхневі моди малих частинок (МЧ) та матричних дисперсних систем (МДС) на їх основі / Л.Г. Гречко, О.Ю. Грищук, Л.Ю. Куницька // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 775-784. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Вивчено електродинамічний відгук систем малих частинок (МЧ) на зовнішнє електричне поле E0. Одержано аналітичні вирази для поляризовности двох МЧ з урахуванням мультипольної взаємодії між ними та однієї двошарової МЧ. Розраховано частоти поверхневих мод для двошарової металевої кульової частинки та для випадку двох кульових частинок
з ріжними радіюсами R1 і R2, які розміщені на відстані d (між центрами)
одна від одної. Для матричних дисперсних систем (МДС) з кульовими
включеннями в наближенні Максвелл-Ґарнетта знайдено частотну залежність ефективної діелектричної проникности МДС для ріжних видів
залежности діелектричної функції включень. Знайдено частоти поверхневих плазмонів (ПП) для випадку МДС з кульовими включеннями. Всі
розрахунки виконано в електростатичнім наближенні. |
|---|