Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными. Розглянуто...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76138 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76138 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. 2015-02-08T07:50:38Z 2015-02-08T07:50:38Z 2011 Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76138 539.21: 621.315.592 Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными. Розглянуто температурну залежність ширини забороненої зони напівпровідника. Чисельним моделюванням процесів теплової генерації з дискретних рівнів установлено, що ширина забороненої зони зменшується з ростом температури. Отримані результати збігаються з експериментальними даними. Temperature dependence of width of the forbidden zone of the semiconductor is considered. By numerical modeling of processes of thermal generation from discrete levels it is established, that the width of the forbidden zone decreases with temperature growth. The received results coincide with experimental data. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| spellingShingle |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| title_short |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_full |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_fullStr |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_full_unstemmed |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_sort |
влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| author |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| author_facet |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными.
Розглянуто температурну залежність ширини забороненої зони напівпровідника. Чисельним моделюванням процесів теплової генерації з дискретних рівнів установлено, що ширина забороненої зони зменшується з ростом температури. Отримані результати збігаються з експериментальними даними.
Temperature dependence of width of the forbidden zone of the semiconductor is considered. By numerical modeling of processes of thermal generation from discrete levels it is established, that the width of the forbidden zone decreases with temperature growth. The received results coincide with experimental data.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76138 |
| citation_txt |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT gulâmovg vliânietemperaturynaširinuzapreŝennoizonypoluprovodnika AT šaribaevnû vliânietemperaturynaširinuzapreŝennoizonypoluprovodnika |
| first_indexed |
2025-12-07T20:45:51Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:45:51Z |
| _version_ |
1850883809255358464 |