Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными. Розглянуто...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76138 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862746529462222848 |
|---|---|
| author | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| author_facet | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| citation_txt | Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными.
Розглянуто температурну залежність ширини забороненої зони напівпровідника. Чисельним моделюванням процесів теплової генерації з дискретних рівнів установлено, що ширина забороненої зони зменшується з ростом температури. Отримані результати збігаються з експериментальними даними.
Temperature dependence of width of the forbidden zone of the semiconductor is considered. By numerical modeling of processes of thermal generation from discrete levels it is established, that the width of the forbidden zone decreases with temperature growth. The received results coincide with experimental data.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:45:51Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76138 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:45:51Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. 2015-02-08T07:50:38Z 2015-02-08T07:50:38Z 2011 Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76138 539.21: 621.315.592 Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными. Розглянуто температурну залежність ширини забороненої зони напівпровідника. Чисельним моделюванням процесів теплової генерації з дискретних рівнів установлено, що ширина забороненої зони зменшується з ростом температури. Отримані результати збігаються з експериментальними даними. Temperature dependence of width of the forbidden zone of the semiconductor is considered. By numerical modeling of processes of thermal generation from discrete levels it is established, that the width of the forbidden zone decreases with temperature growth. The received results coincide with experimental data. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| title | Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_full | Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_fullStr | Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_full_unstemmed | Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_short | Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_sort | влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76138 |
| work_keys_str_mv | AT gulâmovg vliânietemperaturynaširinuzapreŝennoizonypoluprovodnika AT šaribaevnû vliânietemperaturynaširinuzapreŝennoizonypoluprovodnika |