Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76138
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными. Розглянуто...