Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films

In first time it is experimentally investigated some regularities of long-term relaxation of photoconductivity of gadolinium one-and-halp sulfides thin films doped by cadmium atoms. Was calculated maximum of recombination barrier and found the location of trapping levels in the gap. Вперше експериме...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2011
Main Authors: Jabua, Z.U., Gigineishvili, A.V., Tabatadze, I.G., Kupreishvili, I.L.
Format: Article
Language:English
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76139
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films / Z.U. Jabua, A.V. Gigineishvili, I.G. Tabatadze, I.L. Kupreishvili // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 44–47. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:In first time it is experimentally investigated some regularities of long-term relaxation of photoconductivity of gadolinium one-and-halp sulfides thin films doped by cadmium atoms. Was calculated maximum of recombination barrier and found the location of trapping levels in the gap. Вперше експериментально досліджені деякі закономірності довгострокової релаксації фотопровідності плівок полуторного сульфіду гадолінія, які леговані атомами кадмію. Розраховано максимальне значення рекомбінаційного бар’єру та встановлено розташування рівнів прилипання в забороненій зоні. Впервые экспериментально исследованы некоторые закономерности долговременной релаксации фотопроводимости плёнок полуторного сульфида гадолиния, легированных атомами кадмия. Рассчитано максимальное значение рекомбинационного барьера и установлено расположение уровней прилипания в запрещённой зоне.
ISSN:1999-8074