Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films
In first time it is experimentally investigated some regularities of long-term relaxation of photoconductivity of gadolinium one-and-halp sulfides thin films doped by cadmium atoms. Was calculated maximum of recombination barrier and found the location of trapping levels in the gap. Вперше експериме...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76139 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films / Z.U. Jabua, A.V. Gigineishvili, I.G. Tabatadze, I.L. Kupreishvili // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 44–47. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862712557595262976 |
|---|---|
| author | Jabua, Z.U. Gigineishvili, A.V. Tabatadze, I.G. Kupreishvili, I.L. |
| author_facet | Jabua, Z.U. Gigineishvili, A.V. Tabatadze, I.G. Kupreishvili, I.L. |
| citation_txt | Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films / Z.U. Jabua, A.V. Gigineishvili, I.G. Tabatadze, I.L. Kupreishvili // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 44–47. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | In first time it is experimentally investigated some regularities of long-term relaxation of photoconductivity of gadolinium one-and-halp sulfides thin films doped by cadmium atoms. Was calculated maximum of recombination barrier and found the location of trapping levels in the gap.
Вперше експериментально досліджені деякі закономірності довгострокової релаксації фотопровідності плівок полуторного сульфіду гадолінія, які леговані атомами кадмію. Розраховано максимальне значення рекомбінаційного бар’єру та встановлено розташування рівнів прилипання в забороненій зоні.
Впервые экспериментально исследованы некоторые закономерности долговременной релаксации фотопроводимости плёнок полуторного сульфида гадолиния, легированных атомами кадмия. Рассчитано максимальное значение рекомбинационного барьера и установлено расположение уровней прилипания в запрещённой зоне.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:37:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76139 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T17:37:27Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Jabua, Z.U. Gigineishvili, A.V. Tabatadze, I.G. Kupreishvili, I.L. 2015-02-08T07:57:59Z 2015-02-08T07:57:59Z 2011 Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films / Z.U. Jabua, A.V. Gigineishvili, I.G. Tabatadze, I.L. Kupreishvili // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 44–47. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. 1999-8074 PACS: 7350 Pz.7361 Le.7840 Fy https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76139 In first time it is experimentally investigated some regularities of long-term relaxation of photoconductivity of gadolinium one-and-halp sulfides thin films doped by cadmium atoms. Was calculated maximum of recombination barrier and found the location of trapping levels in the gap. Вперше експериментально досліджені деякі закономірності довгострокової релаксації фотопровідності плівок полуторного сульфіду гадолінія, які леговані атомами кадмію. Розраховано максимальне значення рекомбінаційного бар’єру та встановлено розташування рівнів прилипання в забороненій зоні. Впервые экспериментально исследованы некоторые закономерности долговременной релаксации фотопроводимости плёнок полуторного сульфида гадолиния, легированных атомами кадмия. Рассчитано максимальное значение рекомбинационного барьера и установлено расположение уровней прилипания в запрещённой зоне. en Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films Article published earlier |
| spellingShingle | Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films Jabua, Z.U. Gigineishvili, A.V. Tabatadze, I.G. Kupreishvili, I.L. |
| title | Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films |
| title_full | Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films |
| title_fullStr | Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films |
| title_full_unstemmed | Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films |
| title_short | Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films |
| title_sort | long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped gd₂s₃ films |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76139 |
| work_keys_str_mv | AT jabuazu longtermrelaxationofphotoconductivityincadmiumdopedgd2s3films AT gigineishviliav longtermrelaxationofphotoconductivityincadmiumdopedgd2s3films AT tabatadzeig longtermrelaxationofphotoconductivityincadmiumdopedgd2s3films AT kupreishviliil longtermrelaxationofphotoconductivityincadmiumdopedgd2s3films |