Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
В даній роботі продемонстровано можливість отримання надграток фосфіду індію, що складаються з шарів монокристалічного та поруватого матеріалу. Дослідження морфології даних структур дозволило зробити якісний аналіз процесу утворення рor-InP/mono-InP. Принципово важливим результатом є утворення шарів...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Сичікова, Я.О. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Schriftenreihe: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76168 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 60–62. — Бібліогр.: 3 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011) -
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Formation of the regular porous structure of p-InP
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)