Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
В даній роботі продемонстровано можливість отримання надграток фосфіду індію, що складаються з шарів монокристалічного та поруватого матеріалу. Дослідження морфології даних структур дозволило зробити якісний аналіз процесу утворення рor-InP/mono-InP. Принципово важливим результатом є утворення шарів...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| 1. Verfasser: | Сичікова, Я.О. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76168 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 60–62. — Бібліогр.: 3 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование регулярной пористой структуры р-InP
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Formation of the regular porous structure of p-InP
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)
Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
von: V. F. Mitin, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: V. F. Mitin, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
von: Колбасов, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Колбасов, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
von: Sychikova, J.A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Sychikova, J.A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
von: Arsentyev, I.N., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Arsentyev, I.N., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Comparison of the effectiveness of the Map-Reduce approach and the actor model in solving problems with high connectivity of inp data on the example of the optimization problem for a swarm of particles
von: Larin, V.O., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Larin, V.O., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Comparison of the effectiveness of the Map-Reduce approach and the actor model in solving problems with high connectivity of inp data on the example of the optimization problem for a swarm of particles
von: V. O. Larin, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. O. Larin, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Дослідження дефектної структури фосфіду індію за ямками травлення
von: Сичікова, Я.О.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сичікова, Я.О.
Veröffentlicht: (2012)
Нелінійна математична модель електрохімічного конденсатора
von: Мартинюк, В.В.
Veröffentlicht: (2011)
von: Мартинюк, В.В.
Veröffentlicht: (2011)
НЕЛІНІЙНА МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ ЕЛЕКТРОХІМІЧНОГО КОНДЕНСАТОРА
von: Мартинюк, В.В.
Veröffentlicht: (2011)
von: Мартинюк, В.В.
Veröffentlicht: (2011)
Закономірності сумісного розряду іонів. Теорія електрохімічного синтезу
von: Потоцька, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Потоцька, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Влияние пpимесей и внешних полей на генеpацию втоpой гаpмоники пpи лазеpном облучении керамики YBa₂Cu₃O₇-δ
von: Довгий, Я.О., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Довгий, Я.О., et al.
Veröffentlicht: (1998)
Моделювання корозійно-електрохімічного процесу на межі метал–електроліт
von: Похмурський, В.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Похмурський, В.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Social stigmatization of mono-mother families
von: E. Strelnik
Veröffentlicht: (2012)
von: E. Strelnik
Veröffentlicht: (2012)
Social stigmatization of mono-mother families
von: O. Strelnyk
Veröffentlicht: (2012)
von: O. Strelnyk
Veröffentlicht: (2012)
Австрія в східноєвропейській політиці 1654 p.
von: Фeдоpук, Я.О.
Veröffentlicht: (1995)
von: Фeдоpук, Я.О.
Veröffentlicht: (1995)
Термодинамічне обгрунтування металотермічного та високотемпературного електрохімічного синтезу силіцидів хрому
von: Молотовська, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Молотовська, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ähnliche Einträge
-
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011) -
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Формирование регулярной пористой структуры р-InP
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)