Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
В даній роботі продемонстровано можливість отримання надграток фосфіду індію, що складаються з шарів монокристалічного та поруватого матеріалу. Дослідження морфології даних структур дозволило зробити якісний аналіз процесу утворення рor-InP/mono-InP. Принципово важливим результатом є утворення шарів...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Author: | Сичікова, Я.О. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76168 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 60–62. — Бібліогр.: 3 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
by: Ya. O. Sychikova
Published: (2011)
by: Ya. O. Sychikova
Published: (2011)
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
by: Круковський, C.I., et al.
Published: (2012)
by: Круковський, C.I., et al.
Published: (2012)
Формирование регулярной пористой структуры р-InP
by: Сычикова, Я.А., et al.
Published: (2010)
by: Сычикова, Я.А., et al.
Published: (2010)
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2012)
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2012)
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2011)
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2011)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
Formation of the regular porous structure of p-InP
by: Ja. A. Sychikova, et al.
Published: (2010)
by: Ja. A. Sychikova, et al.
Published: (2010)
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
by: Круковський, С.І., et al.
Published: (2011)
by: Круковський, С.І., et al.
Published: (2011)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
by: S. I. Krukovskij
Published: (2006)
by: S. I. Krukovskij
Published: (2006)
Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
by: V. F. Mitin, et al.
Published: (2020)
by: V. F. Mitin, et al.
Published: (2020)
Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
by: Mitin, Vadim, et al.
Published: (2020)
by: Mitin, Vadim, et al.
Published: (2020)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
by: Milenin, V.V., et al.
Published: (2010)
by: Milenin, V.V., et al.
Published: (2010)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
by: V. V. Milenin, et al.
Published: (2010)
by: V. V. Milenin, et al.
Published: (2010)
Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
by: Колбасов, Г.Я., et al.
Published: (2000)
by: Колбасов, Г.Я., et al.
Published: (2000)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012)
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
by: Milenin, V.V., et al.
Published: (2010)
by: Milenin, V.V., et al.
Published: (2010)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
by: V. V. Milenin, et al.
Published: (2010)
by: V. V. Milenin, et al.
Published: (2010)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
by: Horvath, Zs.J., et al.
Published: (2004)
by: Horvath, Zs.J., et al.
Published: (2004)
Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
by: Sychikova, J.A., et al.
Published: (2010)
by: Sychikova, J.A., et al.
Published: (2010)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2010)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2010)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
by: A. E. Belyaev, et al.
Published: (2015)
by: A. E. Belyaev, et al.
Published: (2015)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
by: Belyaev, A.E., et al.
Published: (2015)
by: Belyaev, A.E., et al.
Published: (2015)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
by: Болтовец, Н.С., et al.
Published: (2010)
by: Болтовец, Н.С., et al.
Published: (2010)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
by: Boltovets, N. S., et al.
Published: (2010)
by: Boltovets, N. S., et al.
Published: (2010)
New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
by: Arsentyev, I.N., et al.
Published: (2005)
by: Arsentyev, I.N., et al.
Published: (2005)
Comparison of the effectiveness of the Map-Reduce approach and the actor model in solving problems with high connectivity of inp data on the example of the optimization problem for a swarm of particles
by: Larin, V.O., et al.
Published: (2021)
by: Larin, V.O., et al.
Published: (2021)
Comparison of the effectiveness of the Map-Reduce approach and the actor model in solving problems with high connectivity of inp data on the example of the optimization problem for a swarm of particles
by: V. O. Larin, et al.
Published: (2021)
by: V. O. Larin, et al.
Published: (2021)
Дослідження дефектної структури фосфіду індію за ямками травлення
by: Сичікова, Я.О.
Published: (2012)
by: Сичікова, Я.О.
Published: (2012)
Нелінійна математична модель електрохімічного конденсатора
by: Мартинюк, В.В.
Published: (2011)
by: Мартинюк, В.В.
Published: (2011)
НЕЛІНІЙНА МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ ЕЛЕКТРОХІМІЧНОГО КОНДЕНСАТОРА
by: Мартинюк, В.В.
Published: (2011)
by: Мартинюк, В.В.
Published: (2011)
Закономірності сумісного розряду іонів. Теорія електрохімічного синтезу
by: Потоцька, В.В., et al.
Published: (2021)
by: Потоцька, В.В., et al.
Published: (2021)
Влияние пpимесей и внешних полей на генеpацию втоpой гаpмоники пpи лазеpном облучении керамики YBa₂Cu₃O₇-δ
by: Довгий, Я.О., et al.
Published: (1998)
by: Довгий, Я.О., et al.
Published: (1998)
Моделювання корозійно-електрохімічного процесу на межі метал–електроліт
by: Похмурський, В.І., et al.
Published: (2013)
by: Похмурський, В.І., et al.
Published: (2013)
Social stigmatization of mono-mother families
by: E. Strelnik
Published: (2012)
by: E. Strelnik
Published: (2012)
Social stigmatization of mono-mother families
by: O. Strelnyk
Published: (2012)
by: O. Strelnyk
Published: (2012)
Австрія в східноєвропейській політиці 1654 p.
by: Фeдоpук, Я.О.
Published: (1995)
by: Фeдоpук, Я.О.
Published: (1995)
Термодинамічне обгрунтування металотермічного та високотемпературного електрохімічного синтезу силіцидів хрому
by: Молотовська, Л.А., et al.
Published: (2013)
by: Молотовська, Л.А., et al.
Published: (2013)
Similar Items
-
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
by: Ya. O. Sychikova
Published: (2011) -
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
by: Круковський, C.I., et al.
Published: (2012) -
Формирование регулярной пористой структуры р-InP
by: Сычикова, Я.А., et al.
Published: (2010) -
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2012) -
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2011)