Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
В даній роботі продемонстровано можливість отримання надграток фосфіду індію, що складаються з шарів монокристалічного та поруватого матеріалу. Дослідження морфології даних структур дозволило зробити якісний аналіз процесу утворення рor-InP/mono-InP. Принципово важливим результатом є утворення шарів...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Author: | Сичікова, Я.О. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76168 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 60–62. — Бібліогр.: 3 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
by: Ya. O. Sychikova
Published: (2011) -
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
by: Круковський, C.I., et al.
Published: (2012) -
Формирование регулярной пористой структуры р-InP
by: Сычикова, Я.А., et al.
Published: (2010) -
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2012) -
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2011)