Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Шамирзаев, C.Х., Гулямов, Г., Дадамирзаев, М.Г., Шарибаев, Н.Ю., Гулямов, А.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76169
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ / C.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, Н.Ю. Шарибаев, А.Г. Гулямов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 68–71. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Исследовано влияние переменной деформации на сопротивление тензочувствительных пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃. Получены фазовые траектории тензорезистивного эффекта на плоскости сопротивления деформации. Показано, что замкнутые фазовые траектории обусловлены электронными релаксационными процессами. Открытые фазовые траектории релаксационными процессами, обусловленные изменением параметров материала. Досліджено вплив змінної деформації на опір тензочутливих плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃. Отримано фазові траєкторії тензорезистивного ефекту на площині опору деформації. Показано, що замкнуті фазові траєкторії зумовлені електронними релаксаційними процесами, а відкриті фазові траєкторії-релаксаційними процесами та зміною параметрів матеріалу. Influence of variable deformation on resistance tens sensitivity films Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃ is investigated. Phase trajectories tens sensitivity effect on a plane of resistance deformation are received. It is shown, that the closed phase trajectories are caused electronic relaxation by processes, and open phase trajectories relaxation the processes, caused by change of parameters of a material.