Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2011
• 1. Verfasser: Точилін, С.Д.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76170
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки / С.Д. Точилін // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 77–81. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Проведено дослідження поширення світла в германії та сірці при випарному режимі лазерного впливу на поверхню матеріалів. У результаті аналізу експериментальних даних визначена швидкість формування наскрізних отворів та встановлені тимчасові особливості поглинання світла в досліджених зразках. Проведено изучение распространения света в германии и сере при испарительном режиме лазерного воздействия на поверхность материалов. В результате анализа экспериментальных данных определена скорость формирования сквозных отверстий и установлены временные особенности поглощения света в исследованных образцах. The study of light propagation in germanium and sulfur is carried out at evaporating mode of laser influence on a surface of materials. As a result of the analysis of experimental data the speed of formation of through apertures is determined and the temporary features of absorption factor in the investigated samples are established.