Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки

Проведено дослідження поширення світла в германії та сірці при випарному режимі лазерного впливу на поверхню матеріалів. У результаті аналізу експериментальних даних визначена швидкість формування наскрізних отворів та встановлені тимчасові особливості поглинання світла в досліджених зразках. Провед...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2011
1. Verfasser: Точилін, С.Д.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76170
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки / С.Д. Точилін // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 77–81. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862651143929200640
author Точилін, С.Д.
author_facet Точилін, С.Д.
citation_txt Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки / С.Д. Точилін // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 77–81. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Физическая инженерия поверхности
description Проведено дослідження поширення світла в германії та сірці при випарному режимі лазерного впливу на поверхню матеріалів. У результаті аналізу експериментальних даних визначена швидкість формування наскрізних отворів та встановлені тимчасові особливості поглинання світла в досліджених зразках. Проведено изучение распространения света в германии и сере при испарительном режиме лазерного воздействия на поверхность материалов. В результате анализа экспериментальных данных определена скорость формирования сквозных отверстий и установлены временные особенности поглощения света в исследованных образцах. The study of light propagation in germanium and sulfur is carried out at evaporating mode of laser influence on a surface of materials. As a result of the analysis of experimental data the speed of formation of through apertures is determined and the temporary features of absorption factor in the investigated samples are established.
first_indexed 2025-12-01T19:26:42Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76170
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1999-8074
language Ukrainian
last_indexed 2025-12-01T19:26:42Z
publishDate 2011
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format dspace
spelling Точилін, С.Д.
2015-02-08T16:26:41Z
2015-02-08T16:26:41Z
2011
Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки / С.Д. Точилін // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 77–81. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76170
535.361; 004.42
Проведено дослідження поширення світла в германії та сірці при випарному режимі лазерного впливу на поверхню матеріалів. У результаті аналізу експериментальних даних визначена швидкість формування наскрізних отворів та встановлені тимчасові особливості поглинання світла в досліджених зразках.
Проведено изучение распространения света в германии и сере при испарительном режиме лазерного воздействия на поверхность материалов. В результате анализа экспериментальных данных определена скорость формирования сквозных отверстий и установлены временные особенности поглощения света в исследованных образцах.
The study of light propagation in germanium and sulfur is carried out at evaporating mode of laser influence on a surface of materials. As a result of the analysis of experimental data the speed of formation of through apertures is determined and the temporary features of absorption factor in the investigated samples are established.
uk
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
Article
published earlier
spellingShingle Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
Точилін, С.Д.
title Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
title_full Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
title_fullStr Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
title_full_unstemmed Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
title_short Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
title_sort особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76170
work_keys_str_mv AT točilínsd osoblivostípoširennâsvítlavelementarnihnapívprovídnikahpídčaslazernoíobrobki