Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами

• Published in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Date: 2008
• Main Authors: Болгов, С.С., Манойлов, Э.Г., Каганович, Э.Б.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76196
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода. Досліджуються умови пригнічення поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду ґерманійових p—n-діод шляхом пасивації наночастинками. На поверхню ґерманію методою імпульсного лазерного осадження за низьких температур наносили плівки оксиду ґерманію, що містять ґерманійові нанокристали. Показано, що пасивація призводить до підвищення теплового випромінення прямо зміщеної діоди в спектральній області 3—12 мкм на 40—50% за рахунок збільшення ефективного часу життя носіїв в базі діоди. We study the conditions for suppression of surface recombination of nonequilibrium charge carriers in germanium p—n diodes by passivation with nanoparticles. The germanium oxide films containing germanium nanocrystals are deposited at low temperatures onto germanium surface using the pulsed-laser deposition technique. As shown, the passivation results in 40−50% growth of thermal radiation from a forward-biased diode in the 3−12 μm spectral range due to increase of the effective charge-carrier lifetime in the diode base.