Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами

Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами

Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокриста...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2008
Hauptverfasser: Болгов, С.С., Манойлов, Э.Г., Каганович, Э.Б.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76196
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76196
record_format dspace
spelling Болгов, С.С.
Манойлов, Э.Г.
Каганович, Э.Б.
2015-02-08T18:04:50Z
2015-02-08T18:04:50Z
2008
Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
1816-5230
PACS numbers: 42.72.Ai,78.55.Ap,78.67.Pt,81.16.Mk,81.65.Rv,85.60.Dw,85.60.Jb
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76196
Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода.
Досліджуються умови пригнічення поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду ґерманійових p—n-діод шляхом пасивації наночастинками. На поверхню ґерманію методою імпульсного лазерного осадження за низьких температур наносили плівки оксиду ґерманію, що містять ґерманійові нанокристали. Показано, що пасивація призводить до підвищення теплового випромінення прямо зміщеної діоди в спектральній області 3—12 мкм на 40—50% за рахунок збільшення ефективного часу життя носіїв в базі діоди.
We study the conditions for suppression of surface recombination of nonequilibrium charge carriers in germanium p—n diodes by passivation with nanoparticles. The germanium oxide films containing germanium nanocrystals are deposited at low temperatures onto germanium surface using the pulsed-laser deposition technique. As shown, the passivation results in 40−50% growth of thermal radiation from a forward-biased diode in the 3−12 μm spectral range due to increase of the effective charge-carrier lifetime in the diode base.
Авторы выражают благодарность О. Ю. Малютенко за проведение тепловизионных измерений.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами
Passivation of the Germanium Diode Structure Surface with Nanoparticles
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами
spellingShingle Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами
Болгов, С.С.
Манойлов, Э.Г.
Каганович, Э.Б.
title_short Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами
title_full Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами
title_fullStr Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами
title_full_unstemmed Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами
title_sort пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами
author Болгов, С.С.
Манойлов, Э.Г.
Каганович, Э.Б.
author_facet Болгов, С.С.
Манойлов, Э.Г.
Каганович, Э.Б.
publishDate 2008
language Russian
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
title_alt Passivation of the Germanium Diode Structure Surface with Nanoparticles
description Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода. Досліджуються умови пригнічення поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду ґерманійових p—n-діод шляхом пасивації наночастинками. На поверхню ґерманію методою імпульсного лазерного осадження за низьких температур наносили плівки оксиду ґерманію, що містять ґерманійові нанокристали. Показано, що пасивація призводить до підвищення теплового випромінення прямо зміщеної діоди в спектральній області 3—12 мкм на 40—50% за рахунок збільшення ефективного часу життя носіїв в базі діоди. We study the conditions for suppression of surface recombination of nonequilibrium charge carriers in germanium p—n diodes by passivation with nanoparticles. The germanium oxide films containing germanium nanocrystals are deposited at low temperatures onto germanium surface using the pulsed-laser deposition technique. As shown, the passivation results in 40−50% growth of thermal radiation from a forward-biased diode in the 3−12 μm spectral range due to increase of the effective charge-carrier lifetime in the diode base.
issn 1816-5230
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76196
citation_txt Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT bolgovss passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami
AT manoilovég passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami
AT kaganovičéb passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami
AT bolgovss passivationofthegermaniumdiodestructuresurfacewithnanoparticles
AT manoilovég passivationofthegermaniumdiodestructuresurfacewithnanoparticles
AT kaganovičéb passivationofthegermaniumdiodestructuresurfacewithnanoparticles
first_indexed 2025-11-30T10:57:49Z
last_indexed 2025-11-30T10:57:49Z
_version_ 1850857419189518336

Ähnliche Einträge