Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами
Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного
 осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия,
 содержащие герман...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76196 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Пассивация поверхности германиевых диодных структур
 наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862631227243102208 |
|---|---|
| author | Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. |
| author_facet | Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. |
| citation_txt | Пассивация поверхности германиевых диодных структур
 наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного
осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия,
содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация
приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в
спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода.
Досліджуються умови пригнічення поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду ґерманійових p—n-діод шляхом пасивації наночастинками. На поверхню ґерманію методою імпульсного лазерного осадження
за низьких температур наносили плівки оксиду ґерманію, що містять ґерманійові нанокристали. Показано, що пасивація призводить до підвищення теплового випромінення прямо зміщеної діоди в спектральній області 3—12 мкм на 40—50% за рахунок збільшення ефективного часу життя носіїв в базі діоди.
We study the conditions for suppression of surface recombination of nonequilibrium
charge carriers in germanium p—n diodes by passivation with
nanoparticles. The germanium oxide films containing germanium nanocrystals
are deposited at low temperatures onto germanium surface using the
pulsed-laser deposition technique. As shown, the passivation results in
40−50% growth of thermal radiation from a forward-biased diode in the 3−12
μm spectral range due to increase of the effective charge-carrier lifetime in
the diode base.
|
| first_indexed | 2025-11-30T10:57:49Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76196 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T10:57:49Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. 2015-02-08T18:04:50Z 2015-02-08T18:04:50Z 2008 Пассивация поверхности германиевых диодных структур
 наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 42.72.Ai,78.55.Ap,78.67.Pt,81.16.Mk,81.65.Rv,85.60.Dw,85.60.Jb https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76196 Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного
 осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия,
 содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация
 приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в
 спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода. Досліджуються умови пригнічення поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду ґерманійових p—n-діод шляхом пасивації наночастинками. На поверхню ґерманію методою імпульсного лазерного осадження
 за низьких температур наносили плівки оксиду ґерманію, що містять ґерманійові нанокристали. Показано, що пасивація призводить до підвищення теплового випромінення прямо зміщеної діоди в спектральній області 3—12 мкм на 40—50% за рахунок збільшення ефективного часу життя носіїв в базі діоди. We study the conditions for suppression of surface recombination of nonequilibrium
 charge carriers in germanium p—n diodes by passivation with
 nanoparticles. The germanium oxide films containing germanium nanocrystals
 are deposited at low temperatures onto germanium surface using the
 pulsed-laser deposition technique. As shown, the passivation results in
 40−50% growth of thermal radiation from a forward-biased diode in the 3−12
 μm spectral range due to increase of the effective charge-carrier lifetime in
 the diode base. Авторы выражают благодарность О. Ю. Малютенко за проведение тепловизионных измерений. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами Passivation of the Germanium Diode Structure Surface with Nanoparticles Article published earlier |
| spellingShingle | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. |
| title | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_alt | Passivation of the Germanium Diode Structure Surface with Nanoparticles |
| title_full | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_fullStr | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_full_unstemmed | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_short | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_sort | пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76196 |
| work_keys_str_mv | AT bolgovss passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami AT manoilovég passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami AT kaganovičéb passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami AT bolgovss passivationofthegermaniumdiodestructuresurfacewithnanoparticles AT manoilovég passivationofthegermaniumdiodestructuresurfacewithnanoparticles AT kaganovičéb passivationofthegermaniumdiodestructuresurfacewithnanoparticles |