Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами
Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокриста...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76196 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859665376397230080 |
|---|---|
| author | Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. |
| author_facet | Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. |
| citation_txt | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного
осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия,
содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация
приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в
спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода.
Досліджуються умови пригнічення поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду ґерманійових p—n-діод шляхом пасивації наночастинками. На поверхню ґерманію методою імпульсного лазерного осадження
за низьких температур наносили плівки оксиду ґерманію, що містять ґерманійові нанокристали. Показано, що пасивація призводить до підвищення теплового випромінення прямо зміщеної діоди в спектральній області 3—12 мкм на 40—50% за рахунок збільшення ефективного часу життя носіїв в базі діоди.
We study the conditions for suppression of surface recombination of nonequilibrium
charge carriers in germanium p—n diodes by passivation with
nanoparticles. The germanium oxide films containing germanium nanocrystals
are deposited at low temperatures onto germanium surface using the
pulsed-laser deposition technique. As shown, the passivation results in
40−50% growth of thermal radiation from a forward-biased diode in the 3−12
μm spectral range due to increase of the effective charge-carrier lifetime in
the diode base.
|
| first_indexed | 2025-11-30T10:57:49Z |
| format | Article |
| fulltext |
1175
PACS numbers: 42.72.Ai, 78.55.Ap, 78.67.Pt, 81.16.Mk, 81.65.Rv, 85.60.Dw, 85.60.Jb
Пассивация поверхности германиевых диодных структур
наночастицами
С. С. Болгов, Э. Г. Манойлов, Э. Б. Каганович
Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины,
просп. Науки, 41,
03028 Киев, Украина
Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравно-
весных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации на-
ночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного
осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия,
содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация
приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в
спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффек-
тивного времени жизни носителей в базе диода.
Досліджуються умови пригнічення поверхневої рекомбінації нерівнова-
жних носіїв заряду ґерманійових p—n-діод шляхом пасивації наночастин-
ками. На поверхню ґерманію методою імпульсного лазерного осадження
за низьких температур наносили плівки оксиду ґерманію, що містять ґе-
рманійові нанокристали. Показано, що пасивація призводить до підви-
щення теплового випромінення прямо зміщеної діоди в спектральній об-
ласті 3—12 мкм на 40—50% за рахунок збільшення ефективного часу жит-
тя носіїв в базі діоди.
We study the conditions for suppression of surface recombination of non-
equilibrium charge carriers in germanium p—n diodes by passivation with
nanoparticles. The germanium oxide films containing germanium nanocrys-
tals are deposited at low temperatures onto germanium surface using the
pulsed-laser deposition technique. As shown, the passivation results in
40−50% growth of thermal radiation from a forward-biased diode in the 3−12
μm spectral range due to increase of the effective charge-carrier lifetime in
the diode base.
Ключевые слова: скорость поверхностной рекомбинации, нанокристал-
лы германия, пассивация поверхности монокристаллического герма-
ния, импульсное лазерное осаждение.
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies
2008, т. 6, № 4, сс. 1175—1183
© 2008 ІМФ (Інститут металофізики
ім. Г. В. Курдюмова НАН України)
Надруковано в Україні.
Фотокопіювання дозволено
тільки відповідно до ліцензії
1176 С. С. БОЛГОВ, Э. Г. МАНОЙЛОВ, Э. Б. КАГАНОВИЧ
(Получено 23 ноября 2007 г.)
1. ВВЕДЕНИЕ
Проблема подавления поверхностной рекомбинации носителей за-
ряда была и остается одной из основных при улучшении свойств
транзисторов, солнечных элементов, светодиодов, для уменьшения
предельно малых размеров элементов, для наблюдения краевой фо-
толюминесценции непрямозонных полупроводников, электролю-
минесценции в структурах на их основе и пр. Природа центров по-
верхностной рекомбинации в кремнии и германии в значительной
мере связана с ненасыщенными оборванными связями (ОС). Разра-
ботаны многие принципы и методы их исключения из рекомбина-
ционных процессов, такие как насыщение ОС атомами водорода,
кислорода, фтора, хлора, серы, селена, пассивация поверхности ор-
ганическими соединениями, создание потенциальных барьеров на
поверхности полупроводника и др. Уникальные свойства границы
раздела кремний/оксид кремния с малой плотностью граничных
электронных состояний достигнуты при высокой температуре и
низкой влажности окисления кремния. Но при этом ограничивают-
ся и пределы микроминиатюризации. Дальнейшее уменьшение
размеров элементов требует использования «high-k» диэлектриков
со значениями диэлектрической проницаемости большими, чем у
оксида кремния. Это возобновило интерес к германию, у которого
объемные свойства лучше, чем у кремния, но дефектность границы
раздела Ge/GeO2 с термически выращенным оксидом больше. Раз-
работке способов пассивации поверхности германия уделено мень-
ше внимания, чем для кремния.
По данным монографии [1] значения скорости поверхностной ре-
комбинации (s) высокоомного германия в наиболее подходящих
травителях колеблется в пределах от 50 до нескольких сот см/с. В
[2] сообщалось, что заключительное травление p—n-германиевых
светодиодов лучше всего проводить в кипящей перекиси водорода,
т.к. минимальные величины s составляли 100—200 см/с. Важным
фактором при выборе травителя является воспроизводимость ре-
зультатов. В одной из последних работ [3] был предложен воспроиз-
водимый способ пассивации (100)Ge водородом без образования ок-
сида путем последовательных обработок в деионизованной воде,
H2O2 и HF. Хотя Н-пассивация оставалась стабильной в чистом азо-
те в течение 12 часов, после пребывания на воздухе в течение даже
нескольких минут не оставалось и следов водорода на поверхности.
Сегодня развиваются способы подавления поверхностной реком-
бинации кремния при низких температурах путем пассивации их
наночастицами. Для пассивации поверхности высоковольтных
ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ Ge-ДИОДНЫХ СТРУКТУР НАНОЧАСТИЦАМИ 1177
транзисторов успешно использовали плазмохимически осажден-
ный полуизолирующий поликристаллический кремний (SIPOS).
Это были нанокомпозитные пленки, содержащие кремниевые час-
тицы в диэлектрике SiO2 или SiN. При этом была достигнута ско-
рость поверхностной рекомбинации до 200 см/с [4].
В наших предыдущих работах [5, 6] было показано, что при нане-
сении на кремний пленок оксида кремния, содержащих Si нанокри-
сталлы, методом импульсного лазерного осаждения возможно
уменьшение плотности локальных состояний на границе их раздела
от более чем 1012
до 1011—5·1010
см
−2⋅эВ−1
[5], наблюдение краевой фо-
толюминесценции кремния с максимумом при 1,09 эВ как результат
снижения скорости поверхностной рекомбинации [6] и увеличения
эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда в не-
сколько раз [7].
Этот принцип подавления поверхностной рекомбинации работает
и для других полупроводников. В работе [8] при изучении фото-
электрохимических процессов в GaAs и InP, на их поверхности бы-
ли осаждены наночастицы CdS химически из водного раствора, что
привело к снижению поверхностных рекомбинационных потерь.
Насколько нам известно, не была проведена пассивация поверх-
ности германия наночастицами. Цель данной работы – исследо-
вать возможности улучшения характеристик германиевых диодов
за счет уменьшения скорости поверхностной рекомбинации путем
нанесения на боковые грани пленок оксида германия, содержащих
германиевые наночастицы.
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Объектами исследования являются германиевые диоды для инфра-
красной (ИК) области спектра, работающие на принципе концентра-
ционной модуляции теплового излучения [9—12]. Увеличение мощ-
ности теплового излучения обусловлено инжекцией носителей заря-
да при прямом смещении диода. До инжекции носителей база диода
в ИК-области оптически прозрачна k0d < 1, где k0 – коэффициент по-
глощения; d – толщина, и мощность теплового излучения дается
выражением Pmin = εPbb = k0dPbb, где ε – излучательная способность;
Pbb – плотность излучения абсолютно черного тела. Инжекция носи-
телей делает базу диода непрозрачной (kd > 1), мощность теплового
излучения Pmax увеличивается за счет поглощения инжектирован-
ными носителями почти до значения Pbb, Pmax = (1—R)Pbb, где R – ко-
эффициент отражения. При этом глубина модуляции теплового из-
лучения составляет M = (Pmax − Pmin)/Pmax = 1 − k0d/(1 − R). В данной
работе эффективность пассивации наночастицами поверхности гер-
маниевого диода демонстрируется, в конечном счете, по увеличению
интенсивности его теплового излучения.
1178 С. С. БОЛГОВ, Э. Г. МАНОЙЛОВ, Э. Б. КАГАНОВИЧ
Германиевые диоды с размерами 5×5×5 мм
3
были изготовлены из
n-Ge с удельным сопротивлением 0,30 Ом⋅см. На одной из граней
вплавлением индия с галлием (0,5%) создавали p—n-переход и р
+-
контакт. На противоположной грани формировали n+-контакт
вплавлением олова с сурьмой (1%). Перед вплавлением контактов
образец травили в кипящей перекиси водорода. На четыре боковые
грани свободные от контактов наносили пассивирующее покрытие в
виде пленки оксида германия, содержащей Ge наночастицы, мето-
дом импульсного лазерного осаждения [13, 14]. Мишень из герма-
ния, содержащую около 1% по площади поверхности золота, скани-
ровали лучом ИАГ:Nd3+-лазера, работающего в режиме модулиро-
ванной добротности с длиной волны 1,06 мкм, энергией в импульсе
0,2 Дж, длительностью импульса 10 нс и частотой их повторения
25 Гц. Подложкой служили боковые грани диода, которые распола-
гали в плоскости мишени. Осаждение пленки проводили при давле-
нии аргона в 10—20 Па. В таких условиях пленка формируется из об-
ратного низкоэнергетического потока частиц эрозионного факела. В
факеле присутствуют кластеры германия, его оксид, частицы золота.
После адиабатического расширения факела происходит рассеяние
кинетической энергии горячих частиц в атмосфере рабочего газа,
они охлаждаются и конденсируются на гранях диода. Толщины пле-
нок составляли от десятков до 200 нм.
Пленки содержат Ge нанокристаллы с размерами 1—5 нм, которые
погружены в диэлектрическую матрицу GeOx (x ≤ 2). С увеличением
давления аргона, а следовательно, примесей кислорода и с введением
золота стехиометричность состава оксида германия возрастала.
Вследствие большого значения электронного сродства атомов золота
они не только выступают катализаторами процесса окисления, но и,
отбирая электрон с нейтральной оборванной связи германия, исклю-
чают последние из рекомбинационных процессов [13, 14].
Измеряли спектры фотолюминесценции (ФЛ) с временным раз-
решением пленок GeOx, содержащих Ge нанокристаллы, в диапазо-
не энергий излучения 1,4—3,2 эВ. Их возбуждали излучением азот-
ного лазера (длина волны 337 нм, длительностью импульса 8 нс), а
регистрировали в режиме счета фотонов.
Измерение эффективного времени жизни неравновесных носите-
лей заряда τэф при Т = 60°С проводили по кинетике спада сигнала те-
плового излучения в области 3—12 мкм при возбуждении импульса-
ми света из области фундаментального поглощения германия [15]
для тонких (0,5 мм) и толстых (5 мм) пластин. Это позволило оценить
скорость поверхностной рекомбинации, соответствующее получен-
ным значениям τэф, методом двух толщин [16]. Измерение τэф диод-
ных структур выполняли также по сигналу теплового излучения, но
при возбуждении импульсами тока [15].
Вольт-амперные характеристики измеряли в импульсном режи-
ме для исключения Джоулевого разогрева. Электрическое смеще-
ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ Ge-ДИОДНЫХ СТРУКТУР НАНОЧАСТИЦАМИ 1179
ние подавали в виде прямоугольных импульсов напряжения до 3 В
длительностью 0,5 мс и частотой повторения 20 Гц. Измерение ин-
тегральной мощности теплового излучения выполняли с помощью
фотоприемника CdHgTe, охлаждаемого жидким азотом.
Распределение мощности ИК-излучения по поверхности источни-
ков регистрировали тепловизионной сканирующей камерой в спек-
тральном диапазоне 3—5 мкм и представляли в виде термограмм.
Градуировка тепловизора осуществлялась с помощью черного тела в
том же спектральном диапазоне, что давало возможность определять
эффективную температуру Тэф, имитируемую источниками. При ис-
следовании распределения излучения изображение получалось пу-
тем вычитания кадра при выключенном источнике (значение Тэф(0))
из кадра в момент модуляции теплового излучения при включении
питания (значение Тэф(j)). Нулевой уровень соответствовал уровню
фонового излучения, от которого производился отсчет изменения
эффективной температуры ΔТэф = Тэф(j) − Тэф(0). Тепловизионная ка-
мера была синхронизирована с импульсным источником питания, и
один кадр снимался за 40 мс. Результаты измерений представляли в
виде матрицы 140×140 элементов, что давало возможность построить
полный кадр с трехмерным изображением всей светящейся поверх-
ности активного элемента либо отдельной строки отражающей вы-
бранный узкий участок изображения.
3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
На рисунке 1 даны спектры ФЛ с временным разрешением для Ge
наночастиц в матрице GeOx, осажденных на пластине германия для
Рис. 1. Спектры экситонной фотолюминесценции с временным разрешением
пленок GeO2 c Ge-нанокристаллами, полученных методом ИЛО. Времена ре-
лаксации ФЛ τ, мкс: 1 – 0,25—0,5;2–0,5—0,75;3–0,75—1,0;4– 1—1,25.
1180 С. С. БОЛГОВ, Э. Г. МАНОЙЛОВ, Э. Б. КАГАНОВИЧ
четырех интервалов времени релаксации ФЛ от 250 нс до 1,25 мкс.
Излучение пленки в видимой области спектра с характерными вре-
менами релаксации свидетельствуют о формировании поверхностно-
го потенциального барьера на германии, обусловленного квантово-
размерным эффектом в Ge-нанокристаллах. В [14] было показано,
что природа ФЛ связана с излучательной аннигиляцией экситонов в
Ge квантовых точках.
Измерения эффективного времени жизни неравновесных носите-
лей заряда по кинетике теплового излучения показали, что для дан-
ного образца после нанесения пассивирующей пленки оно увеличи-
лось от 150 до 215 мкс. Для типичной тонкой пластины германия при
пассивации значение τэф увеличилось от 37 до 55 мкс. Оценки пока-
зывают, что при этом скорость поверхностной рекомбинации
уменьшилась от 700 до 400 см/с. За пять месяцев хранения на возду-
хе значения скорости поверхностной рекомбинации изменились не
более чем на несколько процентов.
Уменьшение скорости поверхностной рекомбинации, очевидно,
обусловлено как созданием потенциального барьера, так и тем, что
наночастицы Ge осаждаются на активные центры поверхности герма-
ния, связанные с дефектами, которые являются центрами поверхно-
стной рекомбинации носителей заряда, а тем самым нейтрализуют их.
На рисунке 2 приведены вольт-амперные характеристики диода,
измеренные до (кр. 1) и после нанесения пассивирующего покрытия
(кр. 2). Видно, что после пассивации боковых граней активного эле-
мента прямой ток возрастает, а обратный уменьшается. Такое пове-
дение вольт-амперных характеристик свидетельствует об увеличе-
�� �
�
�
�
�
Рис. 2. Вольт-амперные характеристики Ge диода при Т = 60°С до (кр. 1)
и после (кр. 2) пассивации боковых граней. На вставке – схема ин-
жекционного излучателя.
ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ Ge-ДИОДНЫХ СТРУКТУР НАНОЧАСТИЦАМИ 1181
нии времени жизни неравновесных инжектированных носителей
заряда, об уменьшении темпа генерационно-рекомбинационных
процессов на свободных боковых поверхностях активного элемента.
На рисунке 3 показаны полевые зависимости мощности теплово-
го излучения P(U), измеренные при 60°С до (кр. 1) и после (кр. 2)
пассивации боковых граней источника излучения. Из рисунка 3
следует, что пассивация свободных от контактов поверхностей ак-
тивного элемента приводит к росту мощности теплового излучению
на 46% при U = 2,5 В.
Распределение мощности ИК излучения по поверхности источ-
ников, исследованных с помощью тепловизора, показано на рис. 4.
Рисунок 4, а соответствует распределению мощности излучения в
активном элементе до, а рис. 4, б – после пассивации граней. После
пассивации мощность излучения возрастает. Для большей нагляд-
ности этого эффекта на рис. 4, в показаны профили распределения
эффективной температуры, соответствующие максимуму мощности
излучения, наблюдаемого в центре активного элемента. Рост эф-
фективного времени жизни приводит к увеличению диффузионной
длины неравновесных носителей заряда, в результате чего их рас-
пределение по толщине базы диода становится более плавным и
большее число носителей достигает n
+
контакта, где наблюдается их
аккумуляция.
Таким образом установлен эффект увеличения мощности тепло-
вого излучения при пассивации боковых граней диода, работающе-
го на принципе увеличения поглощения свободных инжектирован-
ных носителей заряда. Увеличение концентрации носителей свя-
Рис. 3. Полевые зависимости мощности теплового излучения Ge диода
при Т = 60°С до (кр. 1) и после (кр. 2) пассивации боковых граней.
1182 С. С. БОЛГОВ, Э. Г. МАНОЙЛОВ, Э. Б. КАГАНОВИЧ
зывается с уменьшением скорости поверхностной рекомбинации,
определяемой пассивацией наночастицами германия. Рассматри-
ваемый способ пассивации поверхности Ge наночастицами обеспе-
чивает увеличение эффективного времени жизни неосновных носи-
телей заряда на 50% во времени хранения на воздухе, нестабиль-
ность значения скорости поверхностной рекомбинации не хуже не-
скольких процентов. При этом способ обладает преимуществами
низкотемпературности, вакуумной чистоты, отсутствия вредных
веществ и дорогостоящего оборудования.
Насколько нам известно, в данной работе приведены первые резуль-
таты по пассивации германия наночастицами. И хотя механизм пасси-
вации должен быть еще изучен, но уже полученные результаты свиде-
тельствуют о роли поверхностного потенциального барьера, обуслов-
ленного низкоразмерным германием, адсорбции наночастиц на актив-
ные дефекты поверхности – центры поверхностной рекомбинации.
а б
в
Рис. 4. Распределение мощности излучения Ge диода по площади излу-
чающей грани при Т = 60°С и U = 1,7 В: до (а) и после (б) пассивации. Про-
фили распределения мощности излучения Ge диода: до (1) и после (2) пас-
сивации (в).
ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ Ge-ДИОДНЫХ СТРУКТУР НАНОЧАСТИЦАМИ 1183
4. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Показана возможность улучшения характеристик германиевых
диодов для ИК области спектра за счет уменьшения скорости по-
верхностной рекомбинации путем нанесения на боковые грани гер-
мания наночастиц. Исследованы условия пассивации германия при
низких температурах при формировании на его поверхности пле-
нок оксида с германиевыми нанокристаллами методом импульсно-
го лазерного осаждения. Показано по кинетике спада сигнала теп-
лового излучения и вольт-амперной характеристике увеличение
эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда до
50%, что привело к соответствующему повышению мощности теп-
лового излучения диода.
Авторы выражают благодарность О. Ю. Малютенко за проведение
тепловизионных измерений.
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. Травление полупроводников (Москва: Мир: 1965).
2. А. Амброзяк, Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлек-
трических приборов (Москва: Советское радио: 1970).
3. S. Rivillon, Y. J. Chabal, and F. Amy Akahn, Appl. Phys. Lett., 87: 253101
(2005).
4. T. Matsushila, T. Aoki, and T. Ohtsu, IEEE Trans. on Electron Devices, 23, No. 8:
826 (1976).
5. Э. Б. Каганович, И. М. Кизяк, С. И. Кириллова, Э. Г. Манойлов, В. Е. При-
маченко, С. В. Свечников, Е. Ф. Венгер, ФТП, 36, № 9: 1105 (2002).
6. Е. Г. Гуле, Э. Б. Каганович, И. М. Кизяк, Э. Г. Манойлов, С. В. Свечников,
ФТП, 39, № 4: 430 (2005).
7. Е. Б. Каганович, Е. Г. Манойлов, Є. В. Бегун, С. В. Чирчик, Укр. физ. ж., 51:
№ 7: 715 (2006).
8. Г. А. Колбасов, С. В. Волков, В. С. Воробец, И. Д. Русецкий, Наносистеми,
наноматеріали, нанотехнології, 2, вип. 1: 169 (2004).
9. V. K. Malyutenko, Infrared Phys., 32, No. 2: 291 (1991).
10. В. К. Малютенко, Г. И. Тесленко, ФТП, 23, № 8: 1452 (1989).
11. V. Malyutenko, A. Melnik, and O. Malyutenko, Infrared Physics and Technol-
ogy, 41: 373 (2000).
12. V. K. Malyutenko, S. S. Bolgov, and O. Yu. Malyutenko, Appl. Phys. Lett., 88:
211113 (2006).
13. Э. Б. Каганович, Э. Г. Манойлов, Е. В. Бегун, ФТП, 41, № 2: 177 (2007).
14. E. B. Kaganovich, D. V. Korbutyak, Yu. V. Kryuchenko, I. M. Kupchak,
E. G. Manoilov, and A. V. Sachenko, Nanotechnology, 18: 295401 (2007).
15. V. K. Malyutenko and G. I. Teslenko, Electron Technology, 24, No. 3—4: 97
(1991).
16. Г. П. Пека, Физика поверхности полупроводников (Киев: Изд. Киевского
университета: 1967).
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76196 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T10:57:49Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. 2015-02-08T18:04:50Z 2015-02-08T18:04:50Z 2008 Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 42.72.Ai,78.55.Ap,78.67.Pt,81.16.Mk,81.65.Rv,85.60.Dw,85.60.Jb https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76196 Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода. Досліджуються умови пригнічення поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду ґерманійових p—n-діод шляхом пасивації наночастинками. На поверхню ґерманію методою імпульсного лазерного осадження за низьких температур наносили плівки оксиду ґерманію, що містять ґерманійові нанокристали. Показано, що пасивація призводить до підвищення теплового випромінення прямо зміщеної діоди в спектральній області 3—12 мкм на 40—50% за рахунок збільшення ефективного часу життя носіїв в базі діоди. We study the conditions for suppression of surface recombination of nonequilibrium charge carriers in germanium p—n diodes by passivation with nanoparticles. The germanium oxide films containing germanium nanocrystals are deposited at low temperatures onto germanium surface using the pulsed-laser deposition technique. As shown, the passivation results in 40−50% growth of thermal radiation from a forward-biased diode in the 3−12 μm spectral range due to increase of the effective charge-carrier lifetime in the diode base. Авторы выражают благодарность О. Ю. Малютенко за проведение тепловизионных измерений. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами Passivation of the Germanium Diode Structure Surface with Nanoparticles Article published earlier |
| spellingShingle | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. |
| title | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_alt | Passivation of the Germanium Diode Structure Surface with Nanoparticles |
| title_full | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_fullStr | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_full_unstemmed | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_short | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_sort | пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76196 |
| work_keys_str_mv | AT bolgovss passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami AT manoilovég passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami AT kaganovičéb passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami AT bolgovss passivationofthegermaniumdiodestructuresurfacewithnanoparticles AT manoilovég passivationofthegermaniumdiodestructuresurfacewithnanoparticles AT kaganovičéb passivationofthegermaniumdiodestructuresurfacewithnanoparticles |