Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках

Исследуется процесс фотогенерации носителей электрического заряда в
 органических молекулярных полупроводниках, находящихся в сильных
 электрических полях. Использована теоретическая модель процесса,
 учитывающая диффузионно-дрейфовый характер движения носителей
 заря...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2008
Hauptverfasser: Заболотный, М.А., Кулиш, H.П., Дмитренко, О.П., Кобус, Е.С., Барабаш, Ю.М.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76198
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Модель диссоциации электронно-дырочной пары в
 супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках / М.А. Заболотный, H.П. Кулиш, О.П. Дмитренко, Е.С. Кобус, Ю.М. Барабаш // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1043-1057. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862665240317001728
author Заболотный, М.А.
Кулиш, H.П.
Дмитренко, О.П.
Кобус, Е.С.
Барабаш, Ю.М.
author_facet Заболотный, М.А.
Кулиш, H.П.
Дмитренко, О.П.
Кобус, Е.С.
Барабаш, Ю.М.
citation_txt Модель диссоциации электронно-дырочной пары в
 супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках / М.А. Заболотный, H.П. Кулиш, О.П. Дмитренко, Е.С. Кобус, Ю.М. Барабаш // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1043-1057. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
description Исследуется процесс фотогенерации носителей электрического заряда в
 органических молекулярных полупроводниках, находящихся в сильных
 электрических полях. Использована теоретическая модель процесса,
 учитывающая диффузионно-дрейфовый характер движения носителей
 заряда. В рамках предложенной модели установлен экспоненциальный
 характер зависимости вероятности разделения близнецовой пары от времени. Постоянная времени сильно зависит от прыжкового расстояния носителя заряда и напряженности внешнего электрического поля, что согласуется с экспериментальными данными. Досліджується процес фотоґенерації носіїв електричного заряду в органічних молекулярних напівпровідниках, що знаходяться в сильних електричних полях. Використано теоретичний модель процесу, що враховує
 дифузійно-дрейфовий характер руху носіїв заряду. В рамках запропонованого моделю встановлено експоненційний характер залежности ймовірности поділу близнючої пари від часу. Стала часу сильно залежить від
 стрибкової віддалі носія заряду і напружености зовнішнього електричного поля, що узгоджується з експериментальними даними. The electrical-charge carrier photogeneration process is investigated for organic
 molecular semiconductors in powerful electrical fields. Theoretical
 model of the process that takes into account diffusion—drift character of
 charge-carrier motion is used. Within the scope of this model, exponential
 character of dependence of geminate-pair separation probability on time is
 established. The time constant depends strongly on jumping distance of
 charge carrier and external electric-field strength. This result accords well
 with experimental data.
first_indexed 2025-12-07T15:15:48Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76198
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1816-5230
language Russian
last_indexed 2025-12-07T15:15:48Z
publishDate 2008
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Заболотный, М.А.
Кулиш, H.П.
Дмитренко, О.П.
Кобус, Е.С.
Барабаш, Ю.М.
2015-02-08T18:06:49Z
2015-02-08T18:06:49Z
2008
Модель диссоциации электронно-дырочной пары в
 супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках / М.А. Заболотный, H.П. Кулиш, О.П. Дмитренко, Е.С. Кобус, Ю.М. Барабаш // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1043-1057. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
1816-5230
PACS numbers: 71.35.Cc,71.35.Ee,72.20.Jv,73.50.Fq,73.50.Gr,79.60.Jv,85.65.+h
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76198
Исследуется процесс фотогенерации носителей электрического заряда в
 органических молекулярных полупроводниках, находящихся в сильных
 электрических полях. Использована теоретическая модель процесса,
 учитывающая диффузионно-дрейфовый характер движения носителей
 заряда. В рамках предложенной модели установлен экспоненциальный
 характер зависимости вероятности разделения близнецовой пары от времени. Постоянная времени сильно зависит от прыжкового расстояния носителя заряда и напряженности внешнего электрического поля, что согласуется с экспериментальными данными.
Досліджується процес фотоґенерації носіїв електричного заряду в органічних молекулярних напівпровідниках, що знаходяться в сильних електричних полях. Використано теоретичний модель процесу, що враховує
 дифузійно-дрейфовий характер руху носіїв заряду. В рамках запропонованого моделю встановлено експоненційний характер залежности ймовірности поділу близнючої пари від часу. Стала часу сильно залежить від
 стрибкової віддалі носія заряду і напружености зовнішнього електричного поля, що узгоджується з експериментальними даними.
The electrical-charge carrier photogeneration process is investigated for organic
 molecular semiconductors in powerful electrical fields. Theoretical
 model of the process that takes into account diffusion—drift character of
 charge-carrier motion is used. Within the scope of this model, exponential
 character of dependence of geminate-pair separation probability on time is
 established. The time constant depends strongly on jumping distance of
 charge carrier and external electric-field strength. This result accords well
 with experimental data.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
Model of Electron–Hole Pair Dissociation in Supramolecular Photosensitive Semiconductors
Article
published earlier
spellingShingle Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
Заболотный, М.А.
Кулиш, H.П.
Дмитренко, О.П.
Кобус, Е.С.
Барабаш, Ю.М.
title Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
title_alt Model of Electron–Hole Pair Dissociation in Supramolecular Photosensitive Semiconductors
title_full Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
title_fullStr Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
title_full_unstemmed Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
title_short Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
title_sort модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76198
work_keys_str_mv AT zabolotnyima modelʹdissociaciiélektronnodyročnoiparyvsupramolekulârnyhfotočuvstvitelʹnyhpoluprovodnikah
AT kulišhp modelʹdissociaciiélektronnodyročnoiparyvsupramolekulârnyhfotočuvstvitelʹnyhpoluprovodnikah
AT dmitrenkoop modelʹdissociaciiélektronnodyročnoiparyvsupramolekulârnyhfotočuvstvitelʹnyhpoluprovodnikah
AT kobuses modelʹdissociaciiélektronnodyročnoiparyvsupramolekulârnyhfotočuvstvitelʹnyhpoluprovodnikah
AT barabašûm modelʹdissociaciiélektronnodyročnoiparyvsupramolekulârnyhfotočuvstvitelʹnyhpoluprovodnikah
AT zabolotnyima modelofelectronholepairdissociationinsupramolecularphotosensitivesemiconductors
AT kulišhp modelofelectronholepairdissociationinsupramolecularphotosensitivesemiconductors
AT dmitrenkoop modelofelectronholepairdissociationinsupramolecularphotosensitivesemiconductors
AT kobuses modelofelectronholepairdissociationinsupramolecularphotosensitivesemiconductors
AT barabašûm modelofelectronholepairdissociationinsupramolecularphotosensitivesemiconductors