Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках

Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках

Исследуется процесс фотогенерации носителей электрического заряда в органических молекулярных полупроводниках, находящихся в сильных электрических полях. Использована теоретическая модель процесса, учитывающая диффузионно-дрейфовый характер движения носителей заряда. В рамках предложенной модели...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Дата:2008
Автори: Заболотный, М.А., Кулиш, H.П., Дмитренко, О.П., Кобус, Е.С., Барабаш, Ю.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76198
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках / М.А. Заболотный, H.П. Кулиш, О.П. Дмитренко, Е.С. Кобус, Ю.М. Барабаш // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1043-1057. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76198
record_format dspace
spelling Заболотный, М.А.
Кулиш, H.П.
Дмитренко, О.П.
Кобус, Е.С.
Барабаш, Ю.М.
2015-02-08T18:06:49Z
2015-02-08T18:06:49Z
2008
Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках / М.А. Заболотный, H.П. Кулиш, О.П. Дмитренко, Е.С. Кобус, Ю.М. Барабаш // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1043-1057. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
1816-5230
PACS numbers: 71.35.Cc,71.35.Ee,72.20.Jv,73.50.Fq,73.50.Gr,79.60.Jv,85.65.+h
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76198
Исследуется процесс фотогенерации носителей электрического заряда в органических молекулярных полупроводниках, находящихся в сильных электрических полях. Использована теоретическая модель процесса, учитывающая диффузионно-дрейфовый характер движения носителей заряда. В рамках предложенной модели установлен экспоненциальный характер зависимости вероятности разделения близнецовой пары от времени. Постоянная времени сильно зависит от прыжкового расстояния носителя заряда и напряженности внешнего электрического поля, что согласуется с экспериментальными данными.
Досліджується процес фотоґенерації носіїв електричного заряду в органічних молекулярних напівпровідниках, що знаходяться в сильних електричних полях. Використано теоретичний модель процесу, що враховує дифузійно-дрейфовий характер руху носіїв заряду. В рамках запропонованого моделю встановлено експоненційний характер залежности ймовірности поділу близнючої пари від часу. Стала часу сильно залежить від стрибкової віддалі носія заряду і напружености зовнішнього електричного поля, що узгоджується з експериментальними даними.
The electrical-charge carrier photogeneration process is investigated for organic molecular semiconductors in powerful electrical fields. Theoretical model of the process that takes into account diffusion—drift character of charge-carrier motion is used. Within the scope of this model, exponential character of dependence of geminate-pair separation probability on time is established. The time constant depends strongly on jumping distance of charge carrier and external electric-field strength. This result accords well with experimental data.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
Model of Electron–Hole Pair Dissociation in Supramolecular Photosensitive Semiconductors
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
spellingShingle Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
Заболотный, М.А.
Кулиш, H.П.
Дмитренко, О.П.
Кобус, Е.С.
Барабаш, Ю.М.
title_short Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
title_full Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
title_fullStr Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
title_full_unstemmed Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
title_sort модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
author Заболотный, М.А.
Кулиш, H.П.
Дмитренко, О.П.
Кобус, Е.С.
Барабаш, Ю.М.
author_facet Заболотный, М.А.
Кулиш, H.П.
Дмитренко, О.П.
Кобус, Е.С.
Барабаш, Ю.М.
publishDate 2008
language Russian
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
title_alt Model of Electron–Hole Pair Dissociation in Supramolecular Photosensitive Semiconductors
description Исследуется процесс фотогенерации носителей электрического заряда в органических молекулярных полупроводниках, находящихся в сильных электрических полях. Использована теоретическая модель процесса, учитывающая диффузионно-дрейфовый характер движения носителей заряда. В рамках предложенной модели установлен экспоненциальный характер зависимости вероятности разделения близнецовой пары от времени. Постоянная времени сильно зависит от прыжкового расстояния носителя заряда и напряженности внешнего электрического поля, что согласуется с экспериментальными данными. Досліджується процес фотоґенерації носіїв електричного заряду в органічних молекулярних напівпровідниках, що знаходяться в сильних електричних полях. Використано теоретичний модель процесу, що враховує дифузійно-дрейфовий характер руху носіїв заряду. В рамках запропонованого моделю встановлено експоненційний характер залежности ймовірности поділу близнючої пари від часу. Стала часу сильно залежить від стрибкової віддалі носія заряду і напружености зовнішнього електричного поля, що узгоджується з експериментальними даними. The electrical-charge carrier photogeneration process is investigated for organic molecular semiconductors in powerful electrical fields. Theoretical model of the process that takes into account diffusion—drift character of charge-carrier motion is used. Within the scope of this model, exponential character of dependence of geminate-pair separation probability on time is established. The time constant depends strongly on jumping distance of charge carrier and external electric-field strength. This result accords well with experimental data.
issn 1816-5230
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76198
citation_txt Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках / М.А. Заболотный, H.П. Кулиш, О.П. Дмитренко, Е.С. Кобус, Ю.М. Барабаш // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1043-1057. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT zabolotnyima modelʹdissociaciiélektronnodyročnoiparyvsupramolekulârnyhfotočuvstvitelʹnyhpoluprovodnikah
AT kulišhp modelʹdissociaciiélektronnodyročnoiparyvsupramolekulârnyhfotočuvstvitelʹnyhpoluprovodnikah
AT dmitrenkoop modelʹdissociaciiélektronnodyročnoiparyvsupramolekulârnyhfotočuvstvitelʹnyhpoluprovodnikah
AT kobuses modelʹdissociaciiélektronnodyročnoiparyvsupramolekulârnyhfotočuvstvitelʹnyhpoluprovodnikah
AT barabašûm modelʹdissociaciiélektronnodyročnoiparyvsupramolekulârnyhfotočuvstvitelʹnyhpoluprovodnikah
AT zabolotnyima modelofelectronholepairdissociationinsupramolecularphotosensitivesemiconductors
AT kulišhp modelofelectronholepairdissociationinsupramolecularphotosensitivesemiconductors
AT dmitrenkoop modelofelectronholepairdissociationinsupramolecularphotosensitivesemiconductors
AT kobuses modelofelectronholepairdissociationinsupramolecularphotosensitivesemiconductors
AT barabašûm modelofelectronholepairdissociationinsupramolecularphotosensitivesemiconductors
first_indexed 2025-12-07T15:15:48Z
last_indexed 2025-12-07T15:15:48Z
_version_ 1850863043912663040

Схожі ресурси