Молекулярный диод: базовые физические принципы
Предложена модель молекулярного диода, основанного на переключении контактной и слабоконтактной конформаций, относящихся к однократно заряженной молекуле. Так как зарядка молекулы транспортируемыми электронами происходит наиболее эффективно при резонансной трансмиссии электронов, то именно при та...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76199 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Молекулярный диод: базовые физические принципы / Э.Г. Петров // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1029-1042. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Предложена модель молекулярного диода, основанного на переключении
контактной и слабоконтактной конформаций, относящихся к однократно
заряженной молекуле. Так как зарядка молекулы транспортируемыми
электронами происходит наиболее эффективно при резонансной трансмиссии электронов, то именно при таком режиме трансмиссии становятся
особенно заметны диодные свойства молекулы. Показано, что, если энергия избыточного электрона выше в контактной конформации, то диодные
свойства выражены тем сильнее, чем медленнее происходит переход молекулы из контактной в менее контактную конформацию.
Запропоновано модель молекулярної діоди, що базується на перемиканні
контактної та слабкоконтактної конформацій, які відносяться до одноразово зарядженої молекулі. Оскільки заряджання молекулі електронами,
що транспортуються, відбувається найбільш ефективно при резонансній
трансмісії електронів, то саме при такому режимі трансмісії стають особливо помітними діодні властивості молекулі. Показано, що, якщо енергія
надлишкового електрона вище у контактній конформації, то діодні властивості виражені тим сильніше, чим повільніше відбувається перехід молекулі з контактної до менш контактної конформації.
Model of a molecular diode, which is based on switching between the contact
and weakly contact conformations belonging to singly charged molecule, is
proposed. Since a molecular charging by the transferred electrons is effectively
carried out at resonant electron transmission, then, just at the specified
transmission behaviour, the diode properties of the molecule manifest
themselves more noticeably. As shown, if energy of an extra electron is
higher in the contact conformation, diode properties manifest themselves
the stronger, the slower is transition of the molecule from its contact conformation
to its weaker contact one.
|
|---|---|
| ISSN: | 1816-5230 |