Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Колбасов, Г.Я., Огенко, В.М., Русецкий, И.А., Набока, О.В., Слободянюк, И. А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76202
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами / Г.Я. Колбасов, В.М. Огенко, И.А. Русецкий, О.В. Набока, И.А. Слободянюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1129-1135. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs-электродах и электродах на основе поликристаллических пленок CdSe, поверхность которых модифицирована фуллеритами. Показано, что модифицирование электродов приводит к увеличению их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобразования, связанные, в основном, с уменьшением скорости поверхностной рекомбинации. Вивчено фотоелектрохемічні процеси на GaAs-електродах і електродах на основі полікристалічних плівок CdSe, поверхню яких модифіковано фуллеритами. Показано, що модифікування електрод призводить до збільшення їхньої фоточутливости. Проаналізовано причини збільшення ефективности перетворення, які пов’язані, в основному, зі зменшенням швидкости поверхневої рекомбінації. Photoelectrochemical processes occurred on GaAs electrodes and electrodes based on polycrystalline CdSe films with surface modified with fullerites are investigated. As shown, the electrode modification causes an increase in their photosensitivity. Reasons for conversion-efficiency enhancement are conditioned mainly by deceleration of surface recombination.