Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами

Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs-электродах и электродах на основе поликристаллических пленок CdSe, поверхность которых модифицирована фуллеритами. Показано, что модифицирование электродов приводит к увеличению их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Колбасов, Г.Я., Огенко, В.М., Русецкий, И.А., Набока, О.В., Слободянюк, И. А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76202
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами / Г.Я. Колбасов, В.М. Огенко, И.А. Русецкий, О.В. Набока, И.А. Слободянюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1129-1135. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76202
record_format	dspace
spelling	Колбасов, Г.Я. Огенко, В.М. Русецкий, И.А. Набока, О.В. Слободянюк, И. А. 2015-02-08T18:17:42Z 2015-02-08T18:17:42Z 2008 Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами / Г.Я. Колбасов, В.М. Огенко, И.А. Русецкий, О.В. Набока, И.А. Слободянюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1129-1135. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 81.16.Hc,82.45.Aa,82.45.Fk,82.45.Mp,82.45.Yz,82.47.Jk,84.60.Jt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76202 Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs-электродах и электродах на основе поликристаллических пленок CdSe, поверхность которых модифицирована фуллеритами. Показано, что модифицирование электродов приводит к увеличению их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобразования, связанные, в основном, с уменьшением скорости поверхностной рекомбинации. Вивчено фотоелектрохемічні процеси на GaAs-електродах і електродах на основі полікристалічних плівок CdSe, поверхню яких модифіковано фуллеритами. Показано, що модифікування електрод призводить до збільшення їхньої фоточутливости. Проаналізовано причини збільшення ефективности перетворення, які пов’язані, в основному, зі зменшенням швидкости поверхневої рекомбінації. Photoelectrochemical processes occurred on GaAs electrodes and electrodes based on polycrystalline CdSe films with surface modified with fullerites are investigated. As shown, the electrode modification causes an increase in their photosensitivity. Reasons for conversion-efficiency enhancement are conditioned mainly by deceleration of surface recombination. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами Photosensitivity of GaAs and CdSe Electrodes Modified with Fullerites Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами
spellingShingle	Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами Колбасов, Г.Я. Огенко, В.М. Русецкий, И.А. Набока, О.В. Слободянюк, И. А.
title_short	Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами
title_full	Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами
title_fullStr	Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами
title_full_unstemmed	Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами
title_sort	фоточувствительность gaas- и cdse-электродов, модифицированных фуллеритами
author	Колбасов, Г.Я. Огенко, В.М. Русецкий, И.А. Набока, О.В. Слободянюк, И. А.
author_facet	Колбасов, Г.Я. Огенко, В.М. Русецкий, И.А. Набока, О.В. Слободянюк, И. А.
publishDate	2008
language	Russian
container_title	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format	Article
title_alt	Photosensitivity of GaAs and CdSe Electrodes Modified with Fullerites
description	Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs-электродах и электродах на основе поликристаллических пленок CdSe, поверхность которых модифицирована фуллеритами. Показано, что модифицирование электродов приводит к увеличению их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобразования, связанные, в основном, с уменьшением скорости поверхностной рекомбинации. Вивчено фотоелектрохемічні процеси на GaAs-електродах і електродах на основі полікристалічних плівок CdSe, поверхню яких модифіковано фуллеритами. Показано, що модифікування електрод призводить до збільшення їхньої фоточутливости. Проаналізовано причини збільшення ефективности перетворення, які пов’язані, в основному, зі зменшенням швидкости поверхневої рекомбінації. Photoelectrochemical processes occurred on GaAs electrodes and electrodes based on polycrystalline CdSe films with surface modified with fullerites are investigated. As shown, the electrode modification causes an increase in their photosensitivity. Reasons for conversion-efficiency enhancement are conditioned mainly by deceleration of surface recombination.
issn	1816-5230
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76202
citation_txt	Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами / Г.Я. Колбасов, В.М. Огенко, И.А. Русецкий, О.В. Набока, И.А. Слободянюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1129-1135. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT kolbasovgâ fotočuvstvitelʹnostʹgaasicdseélektrodovmodificirovannyhfulleritami AT ogenkovm fotočuvstvitelʹnostʹgaasicdseélektrodovmodificirovannyhfulleritami AT ruseckiiia fotočuvstvitelʹnostʹgaasicdseélektrodovmodificirovannyhfulleritami AT nabokaov fotočuvstvitelʹnostʹgaasicdseélektrodovmodificirovannyhfulleritami AT slobodânûkia fotočuvstvitelʹnostʹgaasicdseélektrodovmodificirovannyhfulleritami AT kolbasovgâ photosensitivityofgaasandcdseelectrodesmodifiedwithfullerites AT ogenkovm photosensitivityofgaasandcdseelectrodesmodifiedwithfullerites AT ruseckiiia photosensitivityofgaasandcdseelectrodesmodifiedwithfullerites AT nabokaov photosensitivityofgaasandcdseelectrodesmodifiedwithfullerites AT slobodânûkia photosensitivityofgaasandcdseelectrodesmodifiedwithfullerites
first_indexed	2025-12-07T16:22:19Z
last_indexed	2025-12-07T16:22:19Z
_version_	1850867229413867520

Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами

Institution

Ähnliche Einträge