Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами
Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs-электродах и электродах на основе поликристаллических пленок CdSe, поверхность которых модифицирована фуллеритами. Показано, что модифицирование
 электродов приводит к увеличению их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффек...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76202 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов,
 модифицированных фуллеритами / Г.Я. Колбасов, В.М. Огенко, И.А. Русецкий, О.В. Набока, И.А. Слободянюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1129-1135. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862694503992786944 |
|---|---|
| author | Колбасов, Г.Я. Огенко, В.М. Русецкий, И.А. Набока, О.В. Слободянюк, И. А. |
| author_facet | Колбасов, Г.Я. Огенко, В.М. Русецкий, И.А. Набока, О.В. Слободянюк, И. А. |
| citation_txt | Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов,
 модифицированных фуллеритами / Г.Я. Колбасов, В.М. Огенко, И.А. Русецкий, О.В. Набока, И.А. Слободянюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1129-1135. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs-электродах и электродах на основе поликристаллических пленок CdSe, поверхность которых модифицирована фуллеритами. Показано, что модифицирование
электродов приводит к увеличению их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобразования, связанные, в основном, с уменьшением скорости поверхностной рекомбинации.
Вивчено фотоелектрохемічні процеси на GaAs-електродах і електродах на
основі полікристалічних плівок CdSe, поверхню яких модифіковано фуллеритами. Показано, що модифікування електрод призводить до збільшення їхньої фоточутливости. Проаналізовано причини збільшення ефективности перетворення, які пов’язані, в основному, зі зменшенням
швидкости поверхневої рекомбінації.
Photoelectrochemical processes occurred on GaAs electrodes and electrodes
based on polycrystalline CdSe films with surface modified with fullerites are investigated.
As shown, the electrode modification causes an increase in their photosensitivity.
Reasons for conversion-efficiency enhancement are conditioned
mainly by deceleration of surface recombination.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:22:19Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76202 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:22:19Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Колбасов, Г.Я. Огенко, В.М. Русецкий, И.А. Набока, О.В. Слободянюк, И. А. 2015-02-08T18:17:42Z 2015-02-08T18:17:42Z 2008 Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов,
 модифицированных фуллеритами / Г.Я. Колбасов, В.М. Огенко, И.А. Русецкий, О.В. Набока, И.А. Слободянюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1129-1135. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 81.16.Hc,82.45.Aa,82.45.Fk,82.45.Mp,82.45.Yz,82.47.Jk,84.60.Jt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76202 Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs-электродах и электродах на основе поликристаллических пленок CdSe, поверхность которых модифицирована фуллеритами. Показано, что модифицирование
 электродов приводит к увеличению их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобразования, связанные, в основном, с уменьшением скорости поверхностной рекомбинации. Вивчено фотоелектрохемічні процеси на GaAs-електродах і електродах на
 основі полікристалічних плівок CdSe, поверхню яких модифіковано фуллеритами. Показано, що модифікування електрод призводить до збільшення їхньої фоточутливости. Проаналізовано причини збільшення ефективности перетворення, які пов’язані, в основному, зі зменшенням
 швидкости поверхневої рекомбінації. Photoelectrochemical processes occurred on GaAs electrodes and electrodes
 based on polycrystalline CdSe films with surface modified with fullerites are investigated.
 As shown, the electrode modification causes an increase in their photosensitivity.
 Reasons for conversion-efficiency enhancement are conditioned
 mainly by deceleration of surface recombination. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами Photosensitivity of GaAs and CdSe Electrodes Modified with Fullerites Article published earlier |
| spellingShingle | Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами Колбасов, Г.Я. Огенко, В.М. Русецкий, И.А. Набока, О.В. Слободянюк, И. А. |
| title | Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами |
| title_alt | Photosensitivity of GaAs and CdSe Electrodes Modified with Fullerites |
| title_full | Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами |
| title_fullStr | Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами |
| title_full_unstemmed | Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами |
| title_short | Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами |
| title_sort | фоточувствительность gaas- и cdse-электродов, модифицированных фуллеритами |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76202 |
| work_keys_str_mv | AT kolbasovgâ fotočuvstvitelʹnostʹgaasicdseélektrodovmodificirovannyhfulleritami AT ogenkovm fotočuvstvitelʹnostʹgaasicdseélektrodovmodificirovannyhfulleritami AT ruseckiiia fotočuvstvitelʹnostʹgaasicdseélektrodovmodificirovannyhfulleritami AT nabokaov fotočuvstvitelʹnostʹgaasicdseélektrodovmodificirovannyhfulleritami AT slobodânûkia fotočuvstvitelʹnostʹgaasicdseélektrodovmodificirovannyhfulleritami AT kolbasovgâ photosensitivityofgaasandcdseelectrodesmodifiedwithfullerites AT ogenkovm photosensitivityofgaasandcdseelectrodesmodifiedwithfullerites AT ruseckiiia photosensitivityofgaasandcdseelectrodesmodifiedwithfullerites AT nabokaov photosensitivityofgaasandcdseelectrodesmodifiedwithfullerites AT slobodânûkia photosensitivityofgaasandcdseelectrodesmodifiedwithfullerites |