Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении
Методом оптического зондирования исследована динамика отражательной
 способности поверхности кристалла MnCdTe. Показано, что фазовые превращения, происходящие при лазерном воздействии, обуславливают разную
 динамику отражения зондирующего излучения от нагреваемой зоны. Причиной этого...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76205 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование наноструктур на поверхности кристаллов
 Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Е.И. Гацкевич, В.А. Гнатюк, Г.Д. Ивлев, П.Е. Мозоль // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1167-1174. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860256236496224256 |
|---|---|
| author | Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Гацкевич, Е.И. Гнатюк, В.А. Ивлев, Г.Д. Мозоль, П.Е. |
| author_facet | Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Гацкевич, Е.И. Гнатюк, В.А. Ивлев, Г.Д. Мозоль, П.Е. |
| citation_txt | Формирование наноструктур на поверхности кристаллов
 Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Е.И. Гацкевич, В.А. Гнатюк, Г.Д. Ивлев, П.Е. Мозоль // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1167-1174. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Методом оптического зондирования исследована динамика отражательной
способности поверхности кристалла MnCdTe. Показано, что фазовые превращения, происходящие при лазерном воздействии, обуславливают разную
динамику отражения зондирующего излучения от нагреваемой зоны. Причиной этого является образование на короткое время слоистой системы, в
которой условия интерференции при отражении зондирующих потоков излучения с λ₁ = 1,06 мкм и λ₂ = 0,53 мкм существенно различаются. Методом
атомно-силовой спектроскопии показано, что на поверхности образца происходит образование поверхностных островков, латеральные размеры, высота
и характер распределения которых зависят от плотности энергии облучения.
Методою оптичного зондування досліджено динаміку відбивної здатности
поверхні кристалу MnCdTe. Показано, що фазові перетворення, які відбуваються при лазерному впливі, обумовлюють різну динаміку відбивання зондувального випромінення від зони, що нагрівається. Причиною цього є утворення на короткий час шаруватої системи, в якій умови інтерференції при
відбиванні зондувальних потоків випромінення з λ₁ = 1,06 мкм і λ₂ = 0,53
мкм суттєво ріжняться. Методою атомово-силової спектроскопії показано,
що на поверхні зразка відбувається утворення поверхневих острівців, лятеральні розміри, висота та характер розподілу яких залежать від густини енергії опромінення.
Reflectivity dynamics of MnCdTe crystal surface is investigated by the optical
probing method. As shown, the phase transformations occurring under laser
irradiation cause different dynamics of probing-beams reflection from a heated
zone. The reason for that is formation of short-lived layered system, in which
conditions of interference at reflection of probing-beam streams with λ₁ = 1.06μm and λ₂ = 0.53 μm differ essentially. As shown by the atomic-force spectroscopy
method, formation of surface islands occurs on a sample surface. Lateral
sizes, height and character of distribution of these surface islands depend on irradiation-energy
density.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:49:47Z |
| format | Article |
| fulltext |
1167
PACS numbers: 68.35.Ct, 68.37.Ps, 78.20.Ci, 78.67.Pt, 78.68.+m, 81.16.Mk, 81.16.Rf
Формирование наноструктур на поверхности кристаллов
Cd1−xMnxTe при импульсном лазерном облучении
А. Байдуллаева, А. И. Власенко, Е. И. Гацкевич*, В. А. Гнатюк,
Г. Д. Ивлев*, П. Е. Мозоль
Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины,
просп. Науки, 41,
03028 Киев, Украина
*Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси,
просп. Независимости, 68,
220070 Минск, Беларусь
Методом оптического зондирования исследована динамика отражательной
способности поверхности кристалла MnCdTe. Показано, что фазовые пре-
вращения, происходящие при лазерном воздействии, обуславливают разную
динамику отражения зондирующего излучения от нагреваемой зоны. При-
чиной этого является образование на короткое время слоистой системы, в
которой условия интерференции при отражении зондирующих потоков из-
лучения с λ1 = 1,06 мкм и λ2 = 0,53 мкм существенно различаются. Методом
атомно-силовой спектроскопии показано, что на поверхности образца проис-
ходит образование поверхностных островков, латеральные размеры, высота
и характер распределения которых зависят от плотности энергии облучения.
Методою оптичного зондування досліджено динаміку відбивної здатности
поверхні кристалу MnCdTe. Показано, що фазові перетворення, які відбува-
ються при лазерному впливі, обумовлюють різну динаміку відбивання зон-
дувального випромінення від зони, що нагрівається. Причиною цього є утво-
рення на короткий час шаруватої системи, в якій умови інтерференції при
відбиванні зондувальних потоків випромінення з λ1 = 1,06 мкм і λ2 = 0,53
мкм суттєво ріжняться. Методою атомово-силової спектроскопії показано,
що на поверхні зразка відбувається утворення поверхневих острівців, ляте-
ральні розміри, висота та характер розподілу яких залежать від густини ене-
ргії опромінення.
Reflectivity dynamics of MnCdTe crystal surface is investigated by the optical
probing method. As shown, the phase transformations occurring under laser
irradiation cause different dynamics of probing-beams reflection from a heated
zone. The reason for that is formation of short-lived layered system, in which
conditions of interference at reflection of probing-beam streams with λ1 = 1.06
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies
2008, т. 6, № 4, сс. 1167—1174
© 2008 ІМФ (Інститут металофізики
ім. Г. В. Курдюмова НАН України)
Надруковано в Україні.
Фотокопіювання дозволено
тільки відповідно до ліцензії
1168 А. БАЙДУЛЛАЕВА, А. И. ВЛАСЕНКО, Е. И. ГАЦКЕВИЧ и др.
μm and λ2 = 0.53 μm differ essentially. As shown by the atomic-force spectros-
copy method, formation of surface islands occurs on a sample surface. Lateral
sizes, height and character of distribution of these surface islands depend on ir-
radiation-energy density.
Ключевые слова: MnCdTe, поверхность, лазерное облучение, динамика
отражательной способности, наноостровки.
(Получено 23 листопада 2007 р.)
1. ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время развиваются методы получения наноструктуриро-
ванных материалов в связи с многообещающими перспективами ис-
пользования нанотехнологий в различных сферах человеческой дея-
тельности. Одним из таких методов является импульсная лазерная
обработка. Наиболее часто для формирования различных нанострук-
тур используется лазерная абляция [1]. Установлено [2—4], что облу-
чение с плотностями энергии ниже порога абляции также может при-
водить к образованию на поверхности наноразмерных упорядоченных
структур. В указанных работах исследовано воздействие 20-наносе-
кундных импульсов излучения рубинового лазера на монокристаллы
CdTe. В частности, показано, что степень шероховатостей зависит от
плотности мощности лазерного излучения, причем, высота и лате-
ральный размер образуемых наноструктур имеют максимум при оп-
ределенном значении плотности мощности лазерного излучения.
В настоящей работе исследованы процессы модификации поверх-
ности кристаллических образцов CdMnTe при их облучении рубино-
вым лазером. Для изучения динамики лазерного воздействия in situ
использовался метод оптического зондирования. Морфология образ-
цов до и после лазерного воздействия исследовалась методом атомной
силовой микроскопии (АСМ).
2. ЭКСПЕРИМЕНТ
В работе использовались монокристаллические образцы Cd0,96Mn0,04Te,
выращенные методом Бриджмена. Временная форма лазерного им-
пульса соответствовала колоколообразной с шириной 120 нс по полу-
высоте. Неоднородность распределения энергии облучения в лазерном
пятне диаметром 4 мм не превышала ±5%. Исследуемые образцы об-
лучались однократно лазерным импульсом при плотностях энергии
Е = 0,1, 0,15, 0,2 и 0,25 Дж/см2. В эксперименте детектировалось от-
раженное от облучаемой поверхности зондирующее излучение p-поля-
ризации при угле падения 40° с λ1 = 1,06 и λ2 = 0,53 мкм, сфокусиро-
ванное в пятно размером ∼ 1 мм. Заметим, что край полосы фундамен-
НАНОСТРУКТУРЫ НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ Cd1−xMnxTe 1169
тального поглощения излучения в монокристалле CdTe, как известно
[5, 6], соответствует длине волны λ = 0,832 мкм, т.е. зондирующее из-
лучение с λ1 почти не поглощается в образце при T = 300 К, в то же вре-
мя излучение с λ2 практически полностью поглощается в слое 105
см
−1.
Влияние Mn (х = 0,04) приводит лишь к небольшому увеличению ши-
рины запрещенной зоны Eg, которая, согласно [6], равна 1,564 эВ.
Морфологию поверхности кристаллов до и после облучения иссле-
довали на атомно-силовом микроскопе NanoScope IIIa фирмы Digital
Instruments в режиме периодического контакта (Tapping ModeTM). Для
измерений были применены кремниевые зонды с номинальным радиу-
сом острия ∼ 10 нм.
2. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
При лазерном воздействии на кристаллы CdMnTe на осциллограммах
отраженного сигнала наблюдаются изменения отражательной способ-
ности на обеих длинах волн зондирующего излучения, причем эти из-
менения более выражены для λ1 (рис. 1). Можно выделить три раз-
личных режима лазерного воздействия на CdMnTe для плотностей
энергий облучения Е меньших порога разрушения материала. При
E ≈ 0,1 Дж/см2
наблюдается возрастание отражательной способности
R на обеих длинах волн зондирующего излучения, которое можно
объяснить температурной зависимостью оптических параметров
CdMnTe в твердом состоянии. При E = 0,15 Дж/см2
появляются отли-
чия в характере временной зависимости коэффициента отражения.
На λ1 происходит дальнейшее увеличение R, но на λ2 наблюдается два
слабовыраженных максимума. После увеличения E до 0,2 Дж/см2,
подобное поведение имеет место для обеих длин волн, причем рас-
стояние между максимумами больше для λ2. Дальнейшее увеличение
плотности энергии от этого значения вплоть до 0,25 Дж/см2
не меняет
характера зависимости R(t), а приводит только к увеличению времен-
ного промежутка между этими максимумами. Отметим, что во всех
рассматриваемых режимах начальные и конечные значения коэффи-
циента отражения совпадают, что свидетельствует об отсутствии раз-
рушения или других значительных изменений поверхности.
Появление двух максимумов во временной зависимости отража-
тельной способности на λ2 указывает на образование жидкой фазы.
Изменение зависимости R(t) при повышении Е до 0,15 Дж/см2
объяс-
няется плавлением CdMnTe в момент наибольшего нагрева поверхно-
сти, когда достигается первый максимум отражения зондирующего
излучения. Последующее уменьшение, а затем возрастание R до вто-
рого максимума связано с интерференцией при отражении излучения
от поверхности образца и движущейся границы раздела фаз.
По мере повышения Е возрастает глубина проплавления, время
существования расплава и, соответственно, время нестационарно-
1170 А. БАЙДУЛЛАЕВА, А. И. ВЛАСЕНКО, Е. И. ГАЦКЕВИЧ и др.
сти R. Промежуточный минимум на λ1 вначале плавления не на-
блюдается, что, по-видимому, связано с более сложной температур-
ной зависимостью оптического поглощения на λ1, на величину ко-
торого, с одной стороны, влияет увеличение поглощения за счет на-
грева, а с другой стороны – температурное сужение ширины за-
прещенной зоны. Таким образом, расстояние между максимумами
отражения τ2 при λ2 более соответствует времени существования
расплава.
Наряду с представленными данными для длительности импульса
облучения τp = 120 нс, на рис. 2 приведены результаты измерений
Рис. 1. Динамика отражательной способности R(t) образцов CdMnTe при
лазерном воздействии.
НАНОСТРУКТУРЫ НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ Cd1−xMnxTe 1171
на аналогичных образцах, полученные ранее [7] при облучении с
τp = 80 нс. Увеличение длительности лазерного воздействия требует
большей плотности энергии, необходимой для начала плавления,
– с 0,12 Дж/см2
(80 нс) до 0,15 Дж/см2
(120 нс). С увеличением
длительности импульса время существования расплава уменьшает-
ся при E = 0,25 Дж/см2
приблизительно на 300 нс.
В условиях наносекундного лазерного облучения зависимости
отражательной способности CdMnTe на λ1 и λ2 аналогичны наблю-
даемым ранее зависимостям в CdTe [8], что свидетельствует о том,
что плавление CdMnTe происходит также по типу «полупроводник—
полупроводник».
Как показывает АСМ-исследование поверхности кристаллов
CdMnTe, лазерно-индуцированные фазовые превращения приводят
к возникновению наноразмерного рельефа на поверхности образцов
(рис. 3). Исходная поверхность образцов характеризуется средне-
арифметической шероховатостью Ra ≈ 4 нм (рис. 3, а). При облуче-
нии образцов с плотностью энергии 0,1 Дж/см2, т.е. ниже порога
плавления, существенных изменений поверхности не наблюдается
(рис. 3, б). Облучение с плотностью энергии 0,15 Дж/см2
приводит к
образованию неоднородных бесформенных наноостровков; шерохо-
ватость при этом уменьшается (Ra ≈ 3,55 нм) (рис. 3, в). При увеличе-
нии Е до 0,2 Дж/см2
происходит дальнейшее уменьшение шерохова-
тости, наноостровки приобретают куполообразную форму, их рас-
пределение по поверхности становится более однородным (рис. 3, г).
Дальнейшее увеличение плотности энергии облучения ведет к обра-
зованию неоднородных структур и росту шероховатости (Ra ≈ 10 нм)
(рис. 3, д).
На рисунке 4 приведены изменения характерных параметров
островков и шероховатости поверхности образца Cd0,96Mn0,04Te в за-
а б
Рис. 2. Зависимости τ1 и τ2 для Cd0,96Mn0,04Te от плотности энергии об-
лучения при двух длительностях импульса.
1172 А. БАЙДУЛЛАЕВА, А. И. ВЛАСЕНКО, Е. И. ГАЦКЕВИЧ и др.
висимости от плотности энергии лазерного облучения. Из рисунка
видно, что зависимости латеральных размеров и высоты островков
от плотности энергии лазерного облучения имеют максимумы.
Максимальные латеральные размеры наноостровков достигаются в
начале плавления поверхности образца.
Таким образом, при облучении поверхности кристаллов CdMnTe в
определенном энергетическом интервале наблюдается образование
наноразмерного рельефа поверхности, происхождение которого
а б
в г
д
Рис. 3. АСМ-изображения поверхностей образцов Cd0,96Mn0,04Te до (а) и
после воздействия лазерного излучения c плотностями энергии 0,1 (б),
– 0,15 (в), 0,2 (г), 025 Дж/см2 (д).
НАНОСТРУКТУРЫ НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ Cd1−xMnxTe 1173
можно объяснить дефектно-деформационным механизмом фазового
перехода на поверхности кристаллов [9].
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В результате исследования динамики отражательной способности,
проведенного методом оптического зондирования, установлено, что
порог лазерно-индуцированного плавления поверхности образцов
Cd0.96Mn0.04Te приближается к E = 0,15 Дж/см2. Фазовые превраще-
ния, происходящие при лазерном воздействии, обуславливают раз-
ную динамику отражения зондирующего излучения от нагреваемой
зоны. Причиной этого является образование на короткое время слои-
стой системы, в которой условия интерференции при отражении зон-
дирующих потоков излучения с λ1 = 1,06 и λ2 = 0,53 мкм существенно
различаются. Изменение интенсивности отраженного зондирующего
пучка более выражены на λ1.
Проведенное исследование показывает, что, меняя режимы облу-
чения, можно получать наноструктурированные поверхности с раз-
личными размерами характерных параметров островков. При этом
наиболее равномерно распределенные по поверхности наноостровки
получаются при облучении с плотностями энергии несколько выше
порога плавления поверхности полупроводникового кристалла
CdMnTe.
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. W. Marine, L. Patrone, B. Luk’yanchuk, and M. Sentis, Appl. Surf. Sci., 154: 345
Рис. 4. Зависимости латерального размера (d) и высоты (h) наноостровков,
а также среднеарифметической шероховатости (Ra) поверхности образцов
Cd0,96Mn0,04Te от плотности энергии облучения.
1174 А. БАЙДУЛЛАЕВА, А. И. ВЛАСЕНКО, Е. И. ГАЦКЕВИЧ и др.
(2000).
2. А. Байдуллаева, А. И. Власенко, Л. Ф. Кузан, П. Е. Мозоль, О. С. Литвин,
ФТП, 39, № 9: 1064 (2005).
3. В. И. Емельянов, А. Байдуллаева, А. И. Власенко, Л. Ф. Кузан, П. Е. Мо-
золь, О. С. Литвин, Письма в ЖТФ, 32, № 16: 90 (2006).
4. А. Байдуллаева, M. Б. Булах, А. И. Власенко, А. В. Ломовцев, О. С. Литвин,
П. Е. Мозоль, ФТП, 38, № 1: 26 (2004).
5. Handbook of Optical Constants of Solids (Ed. E. D. Palik) (Academic Press:
1998), pt. II.
6. В. Ф. Агекян, Соросовский образовательный журнал, 8, № 2: 85 (2004).
7. E. I. Gatskevich, G. D. Ivlev, A. I. Rarenko, A. I. Savchuk, V. N. Strebegev,
Z. I. Zakharuk, Appl. Surf. Sci., 254: 993 (2007).
8. Г. Д. Ивлев, Е. И. Гацкевич, Приборостроение, 49, № 9: 19 (2006).
9. В. И. Емельянов, Квантовая электроника, 28, № 1: 2 (1999).
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76205 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:49:47Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Гацкевич, Е.И. Гнатюк, В.А. Ивлев, Г.Д. Мозоль, П.Е. 2015-02-08T18:24:36Z 2015-02-08T18:24:36Z 2008 Формирование наноструктур на поверхности кристаллов
 Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Е.И. Гацкевич, В.А. Гнатюк, Г.Д. Ивлев, П.Е. Мозоль // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1167-1174. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 68.35.Ct,68.37.Ps,78.20.Ci,78.67.Pt,78.68.+m,81.16.Mk,81.16.Rf https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76205 Методом оптического зондирования исследована динамика отражательной
 способности поверхности кристалла MnCdTe. Показано, что фазовые превращения, происходящие при лазерном воздействии, обуславливают разную
 динамику отражения зондирующего излучения от нагреваемой зоны. Причиной этого является образование на короткое время слоистой системы, в
 которой условия интерференции при отражении зондирующих потоков излучения с λ₁ = 1,06 мкм и λ₂ = 0,53 мкм существенно различаются. Методом
 атомно-силовой спектроскопии показано, что на поверхности образца происходит образование поверхностных островков, латеральные размеры, высота
 и характер распределения которых зависят от плотности энергии облучения. Методою оптичного зондування досліджено динаміку відбивної здатности
 поверхні кристалу MnCdTe. Показано, що фазові перетворення, які відбуваються при лазерному впливі, обумовлюють різну динаміку відбивання зондувального випромінення від зони, що нагрівається. Причиною цього є утворення на короткий час шаруватої системи, в якій умови інтерференції при
 відбиванні зондувальних потоків випромінення з λ₁ = 1,06 мкм і λ₂ = 0,53
 мкм суттєво ріжняться. Методою атомово-силової спектроскопії показано,
 що на поверхні зразка відбувається утворення поверхневих острівців, лятеральні розміри, висота та характер розподілу яких залежать від густини енергії опромінення. Reflectivity dynamics of MnCdTe crystal surface is investigated by the optical
 probing method. As shown, the phase transformations occurring under laser
 irradiation cause different dynamics of probing-beams reflection from a heated
 zone. The reason for that is formation of short-lived layered system, in which
 conditions of interference at reflection of probing-beam streams with λ₁ = 1.06μm and λ₂ = 0.53 μm differ essentially. As shown by the atomic-force spectroscopy
 method, formation of surface islands occurs on a sample surface. Lateral
 sizes, height and character of distribution of these surface islands depend on irradiation-energy
 density. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении Formation of Nanostructures on the Surface of Cd₁₋xMnxTe Crystals at Pulse Laser Irradiation Article published earlier |
| spellingShingle | Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Гацкевич, Е.И. Гнатюк, В.А. Ивлев, Г.Д. Мозоль, П.Е. |
| title | Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении |
| title_alt | Formation of Nanostructures on the Surface of Cd₁₋xMnxTe Crystals at Pulse Laser Irradiation |
| title_full | Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении |
| title_fullStr | Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении |
| title_full_unstemmed | Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении |
| title_short | Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении |
| title_sort | формирование наноструктур на поверхности кристаллов cd₁₋xmnxte при импульсном лазерном облучении |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76205 |
| work_keys_str_mv | AT baidullaevaa formirovanienanostrukturnapoverhnostikristallovcd1xmnxtepriimpulʹsnomlazernomoblučenii AT vlasenkoai formirovanienanostrukturnapoverhnostikristallovcd1xmnxtepriimpulʹsnomlazernomoblučenii AT gackevičei formirovanienanostrukturnapoverhnostikristallovcd1xmnxtepriimpulʹsnomlazernomoblučenii AT gnatûkva formirovanienanostrukturnapoverhnostikristallovcd1xmnxtepriimpulʹsnomlazernomoblučenii AT ivlevgd formirovanienanostrukturnapoverhnostikristallovcd1xmnxtepriimpulʹsnomlazernomoblučenii AT mozolʹpe formirovanienanostrukturnapoverhnostikristallovcd1xmnxtepriimpulʹsnomlazernomoblučenii AT baidullaevaa formationofnanostructuresonthesurfaceofcd1xmnxtecrystalsatpulselaserirradiation AT vlasenkoai formationofnanostructuresonthesurfaceofcd1xmnxtecrystalsatpulselaserirradiation AT gackevičei formationofnanostructuresonthesurfaceofcd1xmnxtecrystalsatpulselaserirradiation AT gnatûkva formationofnanostructuresonthesurfaceofcd1xmnxtecrystalsatpulselaserirradiation AT ivlevgd formationofnanostructuresonthesurfaceofcd1xmnxtecrystalsatpulselaserirradiation AT mozolʹpe formationofnanostructuresonthesurfaceofcd1xmnxtecrystalsatpulselaserirradiation |