Многослойные наноструктуры с высокой временной и пространственной дисперсией

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Первак, Ю.А., Первак, В.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76206
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Многослойные наноструктуры с высокой временной и пространственной дисперсией / Ю.А. Первак, В.Ю. Первак // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1103-1110 . — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Синтезированы многослойные структуры, содержащие 138, 165 и 202 чередующихся слоев Nb₂O₅ и SiO₂ на стеклянной подложке, которые характеризуются линейной спектральной зависимостью групповой задержки (GD) в диапазоне от 1520 до 1560 нм. Для 138-, 165- и 202-слойных структур изменение GD в указанном спектральном диапазоне равно 1544, 2056 и 2544 фс, а величина пространственной дисперсии – 2,55, 3,4 и 4,2 мкм/нм соответственно. Высокая пространственная дисперсия полученных структур и линейность спектральной зависимости групповой задержки обеспечивают высокую отрицательную дисперсию групповой задержки (< 2⋅10⁻⁵ фс²). Синтезовано багатошарові структури з 138, 165 і 202 шарів Nb₂O₅ та SiO₂, що чергуються, на склянім підложжі. Структури характеризуються лінійною спектральною залежністю групової затримки (GD) у діяпазоні від 1520 до 1560 нм. Для 138-, 165- і 202-шарових структур зміна GD у зазначенім спектральнім діяпазоні складала 1544, 2056 і 2544 фс, а величина просторової дисперсії – 2,55, 3,4 і 4,2 мкм/нм відповідно. Висока просторова дисперсія одержаних структур і лінійність спектральної залежности групової затримки забезпечують високу неґативну дисперсію групової затримки (< 2⋅10⁻⁵ фс²). The multilayer structures, which consist of 138, 165 and 202 alternating layers of Nb₂O₅ and SiO₂ on the glass substrate, are synthesized. All structures have the linear spectral dependence of the group delay (GD) at range from 1520 to 1560 nm. The GD change in the range indicated is 1544, 2056 and 2544 fs, and the value of spatial dispersion is 2.55 μm/nm, 3.4 μm/nm and 4.2 μm/nm for 138-, 165- and 202-layers structure, respectively. The high spatial dispersion of fabricated structures and the linearity of spectral dependence of the group delay provide high negative group-delay dispersion (< 2⋅10⁻⁵ fs² ).