Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної наноголки
Досліджено процеси взаємодії ближнього оптичного поля, створеного на
 вістрі волоконної наноголки, з речовинами SnCl4 та Si(OC2H5); проаналізовано нанорозмірні структури та тонкі плівки на поверхні голки. Досліджено характеристики ближнього оптичного поля на поверхні волоконної
 нано...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76231 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної
 наноголки / Л.С. Волковинська, В.І. Григорук, В.М. Огенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1305-1313. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860154739538264064 |
|---|---|
| author | Волковинська, Л.С. Григорук, В.І. Огенко, В.М. |
| author_facet | Волковинська, Л.С. Григорук, В.І. Огенко, В.М. |
| citation_txt | Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної
 наноголки / Л.С. Волковинська, В.І. Григорук, В.М. Огенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1305-1313. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Досліджено процеси взаємодії ближнього оптичного поля, створеного на
вістрі волоконної наноголки, з речовинами SnCl4 та Si(OC2H5); проаналізовано нанорозмірні структури та тонкі плівки на поверхні голки. Досліджено характеристики ближнього оптичного поля на поверхні волоконної
наноголки. Розроблено експериментальну уставу, яка дозволяє керувати
широким набором параметрів. Одержані результати в майбутньому дозволять вирощувати наноструктурні матеріяли із заданими параметрами.
The interaction of optical near field, which exists on the fibre nanoneedle
point, with SnCl4 and Si(OC2H5) is investigated. The analysis of obtained
nanostructures and thin films on the fibre needle surface is performed. The
parameters of optical near field on the needle surface are investigated. Experimental
installation is designed to control a wide range of parameters. In
the future, obtained results can be used for synthesis of nanostructures with
predetermined parameters.
Исследованы процессы взаимодействия ближнего оптического поля, существующего на острие волоконной наноиглы, с веществами SnCl4 и
Si(OC2H5); проведен анализ наноразмерных структур и тонких пленок на
поверхности иглы. Исследованы характеристики ближнего оптического
поля на поверхности волоконной наноиглы. Разработана экспериментальная установка, которая дает возможность контролировать широкий набор
параметров. Полученные результаты в будущем могут быть использованы
для синтеза наноструктурных материалов с заданными параметрами.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:53:10Z |
| format | Article |
| fulltext |
1305
PACS numbers: 07.79.Fc, 68.37.Hk, 68.37.Uv, 81.07.Bc, 81.16.Rf, 81.16.Ta, 82.50.Hp
Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної
наноголки
Л. С. Волковинська, В. І. Григорук, В. М. Огенко*
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
вул. Володимирська, 64,
01033 Київ, Україна
*Інститут загальної і неорганічної хімії ім. В. Вернадського НАН України,
бульв. Акад. Вернадського, 42,
03142 Київ, Україна
Досліджено процеси взаємодії ближнього оптичного поля, створеного на
вістрі волоконної наноголки, з речовинами SnCl4 та Si(OC2H5); проаналізо-
вано нанорозмірні структури та тонкі плівки на поверхні голки. Дослі-
джено характеристики ближнього оптичного поля на поверхні волоконної
наноголки. Розроблено експериментальну уставу, яка дозволяє керувати
широким набором параметрів. Одержані результати в майбутньому дозво-
лять вирощувати наноструктурні матеріяли із заданими параметрами.
The interaction of optical near field, which exists on the fibre nanoneedle
point, with SnCl4 and Si(OC2H5) is investigated. The analysis of obtained
nanostructures and thin films on the fibre needle surface is performed. The
parameters of optical near field on the needle surface are investigated. Ex-
perimental installation is designed to control a wide range of parameters. In
the future, obtained results can be used for synthesis of nanostructures with
predetermined parameters.
Исследованы процессы взаимодействия ближнего оптического поля, су-
ществующего на острие волоконной наноиглы, с веществами SnCl4 и
Si(OC2H5); проведен анализ наноразмерных структур и тонких пленок на
поверхности иглы. Исследованы характеристики ближнего оптического
поля на поверхности волоконной наноиглы. Разработана эксперименталь-
ная установка, которая дает возможность контролировать широкий набор
параметров. Полученные результаты в будущем могут быть использованы
для синтеза наноструктурных материалов с заданными параметрами.
Ключові слова: волоконна наноголка, ближнє оптичне поле, фотодисоція-
ція, наноструктури.
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies
2008, т. 6, № 4, сс. 1305—1313
© 2008 ІМФ (Інститут металофізики
ім. Г. В. Курдюмова НАН України)
Надруковано в Україні.
Фотокопіювання дозволено
тільки відповідно до ліцензії
1306 Л. С. ВОЛКОВИНСЬКА, В. І. ГРИГОРУК, В. М. ОГЕНКО
(Отримано 22 листопада 2007 р.)
1. ВСТУП
Методи та інструменти нанооптики є актуальними і широковжива-
ними в розвитку сучасних нанотехнологій. Вони широко використо-
вуються при вирощуванні нанорозмірних структур, модифікації по-
верхні, при дослідженні характеристик наносистем в оптичному
ближньопольовому мікроскопі, в нанохемії та медицині , надщіль-
ному записі інформації, оптичних комунікаційних системах та фо-
тонних схемах [1, 2, 3].
Одним з основних елементів нанооптичних технологій є оптичне
волокно, а саме, загострені до нанорозмірів волоконні наноголки.
Наноголка найчастіше виступає як джерело ближнього оптичного
поля, однією з основних переваг якого є можливість спостерігати і
вирощувати структури нанорозмірів [4], що до недавнього часу було
неможливим за рахунок дифракційного обмеження [5]. Інша особ-
ливість ближнього оптичного поля проявляється при його дії на хе-
мічні речовини. Було показано, що процес фотодисоціяції молекул
хемічних речовин при хемічному осадженні з газової фази може від-
буватись при нерезонансних умовах, а саме: енергія кванта випромі-
нювання лазера може бути менша за енергію дисоціації молекулі і
смуга вбирання речовини не обов’язково повинна співпадати з робо-
чою довжиною хвилі випромінювання лазера [6]. В результаті на
підкладці були вирощені металічні квантові точки [6]. Ця метода
синтези наноструктур є перспективною, так як дозволяє працювати з
оптично неактивними матеріялами і в широкому діяпазоні хвиль [7].
Метою даної роботи є використання вищенаведених властивос-
тей ближнього оптичного поля, створеного на вістрі волоконної
наноголки, для контрольованої синтези наноструктур на поверхні
самої голки і дослідження характеристик поширення оптичного
випромінювання в звуженому оптичному волокні.
2. ПОСТАНОВКА ЕКСПЕРИМЕНТУ
Експериментальні дослідження проводяться в таких напрямах:
– технологія виготовлення волоконних наноголок – джерел
ближнього оптичного поля;
– розроблення і модифікація експериментальної устави в зале-
жности від типу хемічної речовини і зовнішніх умов;
– дослідження взаємодії ближнього оптичного поля з парами
ріжних хемічних речовин;
– синтеза нанорозмірних структур;
– дослідження поширення лазерного випромінювання в загост-
ОСАДЖЕННЯ НАНОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНІ ВОЛОКОННОЇ НАНОГОЛКИ1307
рених до нанорозмірів оптичних волокнах;
– дослідження розміру, хемічного складу одержаних наностру-
ктур і їхнього розподілу осадження вздовж волоконної голки за до-
помогою сканівного електронного мікроскопа та енергодисперсій-
ного Рентґенового спектрофотометра.
Експеримент: в газову фазу речовини заводиться загострене оп-
тичне волокно, в якому поширюється лазерне випромінювання. Ре-
зультатом фотохемічної реакції є фотодисоціяція молекуль речо-
вини та осадження розвалених компонентів на поверхні волоконної
голки. Розміри і хемічний склад одержаних структур проводиться
за допомогою сканівного електронного мікроскопа (СЕМ) та диспе-
рсійної рентґеноспектроскопічної аналізи.
Експериментальну уставу показано на рис. 1. Вона складається з
кварцового реактора, де власне відбуваються фотохемічні процеси
фотодисоціяції і абсорбції молекуль речовини, системи відсмокову-
вання реактора до високого вакууму (p = 10−6
мм жс.ст.) на базі
ВУП-5М, системи напускання речовини до робочого об’єму та лазе-
ра. Така система дозволяє забезпечити необхідну чистоту експери-
менту, можливість варіювання зовнішніх параметрів, таких як те-
Рис. 1. Блок-схема експериментальної устави.
Рис. 2. Волоконна наноголка.
1308 Л. С. ВОЛКОВИНСЬКА, В. І. ГРИГОРУК, В. М. ОГЕНКО
мпература та тиск, а також можливість герметичного і точного вве-
дення волоконної наноголки в реактор. В даній роботі досліджува-
лись дві речовини: Si(OC2H5) та SnCl4. Джерелом світла виступав
напівпровідниковий лазер (λ = 655 нм) потужністю 1 мВт. Тиск па-
рів в робочому об’ємі дорівнював тиску насичених парів даної речо-
вини. Експеримент відбувався при кімнатній температурі.
Волоконна наноголка була виготовлена з металізованого багато-
модового оптичного волокна методою хемічного вищавлення у вод-
невому розчині (40%) плавикової кислоти [8]. Формування конусу
відбувалось без зняття мідного покриття, ніби у трубці, що забезпе-
чувало конвекційні потоки кислоти у трубці і дозволяло одержува-
ти наноголки з гладкою поверхнею та достатньо великими конус-
ними кутами. Більші конусні кути забезпечують кращу пропускну
здатність, а використання методи хемічного вищавлення дозволяє
довести серцевину волокна до самого вістря голки. В результаті бу-
ли одержані волоконні голки.
3. РЕЗУЛЬТАТИ ЕКСПЕРИМЕНТУ
3.1. Осадження кремнійових наноструктур із газової фази Si(OC2H5)
Вихідні параметри: робоча речовина – Si(O(C2H5)), час осадження
t = 10 хв., енергія E(Si—O) = 4,7 еВ, Ehν = 1,89 еВ. На поверхні воло-
конної голки були одержані структури розміром 100—300 нм (рис.
3).Так як спектр реєструється лише з площі 1 мкм
2
неможливо чіт-
ко визначити елементний склад одержаних структур, але по кількі-
сним даним можна стверджувати, що осаджені структури є чистим
кремнієм. Для можливости дослідження кварцових голок в сканів-
ному електронному мікроскопі вони покриваються тонким шаром
вуглецю (порядку декількох нанометрів), внаслідок цього в елемен-
а б
Рис. 3. СЕМ-зображення поверхні волоконної голки з осадженими кре-
мнійовими структурами (а) та хемічна аналіза одержаних структур (б).
ОСАДЖЕННЯ НАНОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНІ ВОЛОКОННОЇ НАНОГОЛКИ1309
тній аналізі поверхні голки присутній вуглець (рис. 3, б).
3.2. Осадження наноструктур Sn із газової фази SnCl4
Вихідні параметри: робоча речовина – SnCl4, час осадження t = 3
хв., енергія E(Sn—Cl) = 3,35 еВ, Ehν = 1,89 еВ. Хоча енергія фотона
а б
в г
Рис. 4. а – СЕМ-зображення поверхні волоконної голки з осадженими
структурами Sn і хемічна аналіза одержаних структур; б – СЕМ-
зображення поверхні волоконної голки з плівками Sn і хемічна аналіза
одержаних плівок; в – СЕМ-зображення поверхні волоконної голки з роз-
тріскуваними плівками Sn і хемічна аналіза поверхні; г – СЕМ-
зображення волокна і його хімічна аналіза.
1310 Л. С. ВОЛКОВИНСЬКА, В. І. ГРИГОРУК, В. М. ОГЕНКО
лазерного випромінювання помітно менша за енергію розриву
зв’язку Sn—Cl, але дисоціяція молекулі відбувається за рахунок си-
льної неоднорідности ближнього оптичного поля. В результаті на
поверхні голки були одержані точки чистої металічної цини, розмі-
ром 100—250 нм (рис. 4, а).
При більш тривалій дії ближнього поля на пари SnCl4 на поверхні
голки були одержані плівки Sn острівкового характеру (рис. 4, б),
які були зруйновані кремнієвими волокнами (рис. 4 в, г).
4. ОБГОВОРЕННЯ РЕЗУЛЬТАТІВ
Дія ближнього поля може відбуватись не лише на молекулях SnCl4
в газовій фазі, але й на тих, які встигли адсорбуватися на поверхні
голки. Тому можуть проходити багатоступінчаті процеси дисоція-
ції. Якщо в газовій фазі відбувається реакція 4 2SnCl SnCl 2Cl→ + і
далі 2SnCl Sn 2Cl→ + , то в той же час на поверхні відбувається взає-
модія SiO2 з SnCl4, що в кінцевому результаті дає:
2 4 4 2SiO SnCl SiCl SnO+ → ↑ +
Тому є можливим процес утворення складної плівки: SnO2 і Sn.
ТАБЛИЦЯ 1. Кількісна поелементна аналіза плівки (рис. 4, в).
Елемент ваг.% ат.%
Spectrum1/Spectrum2 Spectrum1/Spectrum2
C K 9,54/8,55 19,72/12,83
O K 40,40/58,83 62,68/66,25
Si K 2,65/32,62 2,35/20,93
Cl K 4,82/ 3,37/
Sn L 40,69/ 8,51/
N K 1,90/ 3,36/
разом 100,00
ТАБЛИЦЯ 2. Кількісна поелементна аналіза волокон (рис. 4, г).
Елемент ваг.% ат.%
C K 19,57 32,43
O K 35,27 43,88
Si K 24,47 17,35
Cl K 7,30 4,10
Sn L 13,39 2,25
разом 100,00
ОСАДЖЕННЯ НАНОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНІ ВОЛОКОННОЇ НАНОГОЛКИ1311
Беручи до уваги кількісні характеристики наявности хемічних
елементів на досліджуваній області (табл. 1) можна побачити до-
сить великі значення кисню, але реєструючи карту розподілу хемі-
чних елементів на цій області можна переконатись, що наявність
кисню в спектрах самих плівок є дуже малою. Тому можна припус-
тити, що під дією оптичного поля відбуваються реакції відновлення
чистої цини. Великі значення кисню пояснюються обробленням
зразків у приладі ВУП, а саме напорошенням провідного матеріялу
(в даному випадку, вуглецю) на поверхню голки.
Разом з тим, впливу поля піддаються вже молекулі SiCl4, резуль-
татом чого є одержання кремнієвих волокон, які, проникаючи
крізь плівки цини, і порушуючи їх, виростають під дією оптичного
поля. В спектрі волокон можна помітити невелику кількість хльо-
ру, це пояснюється багатоступінчатою реакцією дисоціації моле-
куль SiCl4. Кількісна аналіза представлена в табл. 2.
Кількісний обрахунок описаних реакцій і оцінка величини поля
проводиться методами комп’ютерного моделювання.
Для подальших досліджень є доцільним забезпечити вивід
з’єднань хльору з робочого об’єму після відділення чистої цини.
Осадження нанорозмірних структур на поверхні волоконної гол-
ки при енергії випромінення, меншій за енергію дисоціяції моле-
куль, пояснюється сильною локальною неоднорідністю ближнього
оптичного поля на вістрі голки та існуванням цього ж поля в облас-
ті звуження волокна. Відомо, що напруженість електричного поля
джерела залежить від радіюсу кривизни його поверхні [9]. У волок-
ні, до деякого критичного перерізу, відбувається процес повного
внутрішнього відбивання і на його поверхні існує експоненційно
затухаюче ближнє поле. Відповідно, на самій поверхні голки на-
пруженість поля буде максимальною, але при потужності викорис-
таного в даній роботі лазера напруженість поля на поверхні хвиле-
водної частини є недостатньою для дисоціації молекуль.
З іншого боку, фокусування світла обмежене дифракційним об-
меженням [5]. Подальше звуження світлового каналу можливе при
швидкому зменшенні його радіюсу у волокні – закритичному ка-
налі. Після переходу через цю границю, хвильові процеси зника-
ють. Енергія електромагнетної хвилі перетворюється в експонен-
ційно затухаюче коливання реактивного типу. Це вже область бли-
жнього поля і всередині, і ззовні голки. При подальшому звуженні
концентрація електромагнетного поля, тобто напруженість його
електричної компоненти, зростає. Але при цьому звуження волок-
на має бути швидким, тому що при повільному звуженні ця зроста-
юча концентрація повністю знівелюється експоненційним згасан-
ням коливань електромагнетного поля вздовж голки. Отже, відбу-
ваються два протилежних процеси: зростання густини енерґії з од-
ного боку, що дає можливість «розвалити» молекулю, а з іншого
1312 Л. С. ВОЛКОВИНСЬКА, В. І. ГРИГОРУК, В. М. ОГЕНКО
боку – в закритичній області коливання електромагнетного поля
експоненційно затухають.
Осаджені структури знаходяться на поверхні наноголки в області
звуження, тому доцільно розглядати коливання ближнього поля за
поверхнею голки, в області молекуль речовини. У ближнього поля є
три електричні компоненти: компонента поля фотонів, яка згасає
як 1/r, компонента реактивного поля еванесцентної хвилі – 1/r2
і
квазістатична компонента, яка згасає ∼ 1/r3
[9]. В полі фотонів
компоненти електричного і магнетного полів синфазні, тому це по-
ле має активний характер і переносить енергію в дальню зону. На
самій же поверхні голки ця компонента мінімальна. У поля еванес-
центної хвилі компоненти електричного і магнетного полів зміщені
на π/2, тому це поле має реактивний характер і не переносить енер-
ґію в дальню зону. Енергія еванесцентної хвилі пульсує на поверхні
голки в області λ/2π. Квазістатична компонента не має свого магне-
тного поля і також пульсує на поверхні голки в області λ/2π.
На поверхні голки напруженість електричного поля квазістати-
чної компоненти на порядок більша за відповідну компоненту ева-
несцентної хвилі, і на два порядки більша електричної компоненти
поля фотонів [9]. Тому в процесах дисоціації молекуль бере участь
саме квазистатична компонента. Відповідно, при достатньо швид-
кому звуженні волоконної голки, квазістатична компонента різко
зростає, а експоненційне згасання електромагнетного поля в закри-
тичній області ще не є переважаючим.
5. ВИСНОВКИ
Таким чином, використовуючи властивості ближнього оптичного
поля, створеного на вістрі волоконної голки, на її поверхні були
одержані структури Si та Sn розміром 100—300 нм. Також було до-
сліджено, що при тривалішому часі процесу хемічного осадження з
газової фази були одержані плівки Sn, пронизані волокнами крем-
нію. Одержані результати були якісно пояснені з хемічних мірку-
вань і потребують точного теоретичного підрахунку. Було показа-
но, що в процес дисоціації, який відбувається на поверхні голки,
найбільший внесок дає квазістатична компонента ближнього опти-
чного поля. Розроблена експериментальна устава та одержані ре-
зультати дозволяють розраховувати, що при варіюванні зовнішніх
параметрів системи, таких як тиск газу, температура, тип оптично-
го волокна, довжина хвилі випромінювання лазера, можна буде чі-
тко задавати параметри вирощених наноструктур.
ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
1. E. Ozbay, Science, 13, No. 311: 189 (2006).
ОСАДЖЕННЯ НАНОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНІ ВОЛОКОННОЇ НАНОГОЛКИ1313
2. V. V. Polonski, Y. Yakomoto, J. D. White, M. Kourogi, and M. Ohtsu, J. Mi-
croscopy, 194: 545 (1999).
3. B. Hecht, B. Sick, and U. P. Wild, J. Chemical Physics, 112, No. 18: 7761
(2000).
4. Г. С. Жданов, М. Н. Либенсон, Г. А. Марциновский, УФН, 168, № 7: 801 (1998).
5. М. Борн, В. Вольф, Основы оптики (Москва: Наука: 1970).
6. T. Kawazoe, Y. Yamomoto, and M. Ohtsu, Appl. Phys. Lett., 79: 1184 (2001).
7. T. Kawazoe, K. Kobayashi, and M. Ohtsu, Appl. Phys. B, 84: 247 (2006).
8. D. R. Turner, US Patent No. 4, 469, 554.
9. А. Козанне, Ж. Флере, Г. Мэтр, М. Руссо, Оптика и связь (Москва: Мир: 1984).
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76231 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:53:10Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Волковинська, Л.С. Григорук, В.І. Огенко, В.М. 2015-02-08T20:56:43Z 2015-02-08T20:56:43Z 2008 Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної
 наноголки / Л.С. Волковинська, В.І. Григорук, В.М. Огенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1305-1313. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers: 07.79.Fc,68.37.Hk,68.37.Uv,81.07.Bc,81.16.Rf,81.16.Ta,82.50.Hp https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76231 Досліджено процеси взаємодії ближнього оптичного поля, створеного на
 вістрі волоконної наноголки, з речовинами SnCl4 та Si(OC2H5); проаналізовано нанорозмірні структури та тонкі плівки на поверхні голки. Досліджено характеристики ближнього оптичного поля на поверхні волоконної
 наноголки. Розроблено експериментальну уставу, яка дозволяє керувати
 широким набором параметрів. Одержані результати в майбутньому дозволять вирощувати наноструктурні матеріяли із заданими параметрами. The interaction of optical near field, which exists on the fibre nanoneedle
 point, with SnCl4 and Si(OC2H5) is investigated. The analysis of obtained
 nanostructures and thin films on the fibre needle surface is performed. The
 parameters of optical near field on the needle surface are investigated. Experimental
 installation is designed to control a wide range of parameters. In
 the future, obtained results can be used for synthesis of nanostructures with
 predetermined parameters. Исследованы процессы взаимодействия ближнего оптического поля, существующего на острие волоконной наноиглы, с веществами SnCl4 и
 Si(OC2H5); проведен анализ наноразмерных структур и тонких пленок на
 поверхности иглы. Исследованы характеристики ближнего оптического
 поля на поверхности волоконной наноиглы. Разработана экспериментальная установка, которая дает возможность контролировать широкий набор
 параметров. Полученные результаты в будущем могут быть использованы
 для синтеза наноструктурных материалов с заданными параметрами. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Effective Deposition of Nanostructures on the Surface of the Fibre Nanoneedle Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної наноголки Article published earlier |
| spellingShingle | Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної наноголки Волковинська, Л.С. Григорук, В.І. Огенко, В.М. Effective Deposition of Nanostructures on the Surface of the Fibre Nanoneedle |
| title | Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної наноголки |
| title_full | Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної наноголки |
| title_fullStr | Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної наноголки |
| title_full_unstemmed | Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної наноголки |
| title_short | Ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної наноголки |
| title_sort | ефективне осадження наноструктур на поверхні волоконної наноголки |
| topic | Effective Deposition of Nanostructures on the Surface of the Fibre Nanoneedle |
| topic_facet | Effective Deposition of Nanostructures on the Surface of the Fibre Nanoneedle |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76231 |
| work_keys_str_mv | AT volkovinsʹkals efektivneosadžennânanostrukturnapoverhnívolokonnoínanogolki AT grigorukví efektivneosadžennânanostrukturnapoverhnívolokonnoínanogolki AT ogenkovm efektivneosadžennânanostrukturnapoverhnívolokonnoínanogolki |