Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов
Сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца (ЦТС) толщиной 100—120 нм получены методом ВЧ-катодного распыления пьзоэлектрической керамики ЦТС-19 на стандартных кремниевых пластинах, предварительно покрытых проводящими слоями SnO₂ и Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Методом растровой электронной микроскопии и...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | Клето, Г.И., Мартынюк, Я.В., Савчук, А.И., Стребежев, В.Н., Обедзинский, Ю.К. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76339 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов / Г.И. Клето, Я.В. Мартынюк, А.И. Савчук, В.Н. Стребежев, Ю.К. Обедзинский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Влияние магнитного поля на ссгнетооластические и сегнетоэлектрические свойства резкоземельных молибдатов
by: Чупис, И.Е.
Published: (1995) -
Наноразмерные гидриды алюминидов титана
by: Казанцева, Н.В., et al.
Published: (2008) -
Пути совершенствования характеристик запоминающих устройств большой емкости
by: Петров, В.В., et al.
Published: (2010) -
Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации
by: Ходаковский, Н.И.
Published: (2019) -
Фоторефрактивные кристаллы в запоминающих устройствах оптоэлектронных процессоров корреляционного типа
by: Липинский, А.Ю., et al.
Published: (2011)