Влияние размеров поверхностной наноструктуры на фотопроводимость аморфных пленок селена
В работе приведены исследования фотопроводимости в спектральном
 интервале 0,35—1,5 мкм тонких (∼ 0,2 мкм) пленок Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ с островковым слоем ртути. На основе проведенных измерений
 кинетики фотопроводимости и ее температурной зависимости были определены параметры...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76344 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние размеров поверхностной наноструктуры
 на фотопроводимость аморфных пленок селена / П.О. Кочкин, В.В. Клименко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 157-162. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | В работе приведены исследования фотопроводимости в спектральном
интервале 0,35—1,5 мкм тонких (∼ 0,2 мкм) пленок Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ с островковым слоем ртути. На основе проведенных измерений
кинетики фотопроводимости и ее температурной зависимости были определены параметры потенциальной функции островков ртути – высота барьера, энергия связи и ширина потенциальной ямы. Получено
удовлетворительное согласие между шириной ямы и средним размером
наноструктуры.
В роботі наведено дослідження фотопровідности в спектральному інтер-
валі 0,35—1,5 мкм тонких (∼ 0,2 мкм) плівок Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ з
острівцевим шаром живосрібла. На основі виконаних мірянь кінетики
фотопровідности та її температурної залежности визначено параметри
потенціяльної функції острівців живосрібла: висота бар’єра, енергія
зв’язку та ширина потенціяльної ями. Одержано задовільну згоду між
шириною ями та середнім розміром наноструктури.
Results of photoconductivity investigation of Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ thin
films deposited on island-like Hg layer within the 0.35—1.5 micron waveband
are presented. On the basis of photoconductivity kinetics and its
temperature dependence measurements, potential-function parameters,
such as barrier height, binding energy, and potential well width, of Hg
islands are determined. Satisfactory correlation between well width and
average size of nanostructure is obtained.
|
|---|---|
| ISSN: | 1816-5230 |