Влияние размеров поверхностной наноструктуры на фотопроводимость аморфных пленок селена

В работе приведены исследования фотопроводимости в спектральном
 интервале 0,35—1,5 мкм тонких (∼ 0,2 мкм) пленок Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ с островковым слоем ртути. На основе проведенных измерений
 кинетики фотопроводимости и ее температурной зависимости были определены параметры...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Дата:2009
Автори: Кочкин, П.О., Клименко, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76344
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние размеров поверхностной наноструктуры
 на фотопроводимость аморфных пленок селена / П.О. Кочкин, В.В. Клименко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 157-162. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:В работе приведены исследования фотопроводимости в спектральном
 интервале 0,35—1,5 мкм тонких (∼ 0,2 мкм) пленок Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ с островковым слоем ртути. На основе проведенных измерений
 кинетики фотопроводимости и ее температурной зависимости были определены параметры потенциальной функции островков ртути – высота барьера, энергия связи и ширина потенциальной ямы. Получено
 удовлетворительное согласие между шириной ямы и средним размером
 наноструктуры. В роботі наведено дослідження фотопровідности в спектральному інтер-
 валі 0,35—1,5 мкм тонких (∼ 0,2 мкм) плівок Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ з
 острівцевим шаром живосрібла. На основі виконаних мірянь кінетики
 фотопровідности та її температурної залежности визначено параметри
 потенціяльної функції острівців живосрібла: висота бар’єра, енергія
 зв’язку та ширина потенціяльної ями. Одержано задовільну згоду між
 шириною ями та середнім розміром наноструктури. Results of photoconductivity investigation of Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ thin
 films deposited on island-like Hg layer within the 0.35—1.5 micron waveband
 are presented. On the basis of photoconductivity kinetics and its
 temperature dependence measurements, potential-function parameters,
 such as barrier height, binding energy, and potential well width, of Hg
 islands are determined. Satisfactory correlation between well width and
 average size of nanostructure is obtained.
ISSN:1816-5230