Влияние размеров поверхностной наноструктуры на фотопроводимость аморфных пленок селена

• Published in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Date: 2009
• Main Authors: Кочкин, П.О., Клименко, В.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76344
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние размеров поверхностной наноструктуры на фотопроводимость аморфных пленок селена / П.О. Кочкин, В.В. Клименко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 157-162. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

В работе приведены исследования фотопроводимости в спектральном интервале 0,35—1,5 мкм тонких (∼ 0,2 мкм) пленок Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ с островковым слоем ртути. На основе проведенных измерений кинетики фотопроводимости и ее температурной зависимости были определены параметры потенциальной функции островков ртути – высота барьера, энергия связи и ширина потенциальной ямы. Получено удовлетворительное согласие между шириной ямы и средним размером наноструктуры. В роботі наведено дослідження фотопровідности в спектральному інтер- валі 0,35—1,5 мкм тонких (∼ 0,2 мкм) плівок Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ з острівцевим шаром живосрібла. На основі виконаних мірянь кінетики фотопровідности та її температурної залежности визначено параметри потенціяльної функції острівців живосрібла: висота бар’єра, енергія зв’язку та ширина потенціяльної ями. Одержано задовільну згоду між шириною ями та середнім розміром наноструктури. Results of photoconductivity investigation of Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ thin films deposited on island-like Hg layer within the 0.35—1.5 micron waveband are presented. On the basis of photoconductivity kinetics and its temperature dependence measurements, potential-function parameters, such as barrier height, binding energy, and potential well width, of Hg islands are determined. Satisfactory correlation between well width and average size of nanostructure is obtained.