Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si
Методами электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии изучена структура слоев Мо, выращенных методом магнетронного распыления на аморфном кремнии в зависимости от номинальной толщины слоев молиодена. При номинальной толщине 1.5 ≤ t < 1.9 нм слой молибдена состоит из кластеров, которые с...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | Севрюкова, В.А., Зубарев, Е.Н., Кондратенко, В.В., Першин, Ю.П., Цебенко, В.О. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76350 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si / В.А. Севрюкова, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, В.О. Цебенко // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 102–114. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Электрические и оптические свойства пленок ITO, полученных методом магнетронного распыления
за авторством: Юрченко, Г.В.
Опубліковано: (2000) -
Исследование микротопографии поверхности плёнок Al₂O₃, полученных методом магнетронного распыления при низком давлении
за авторством: Тесленко-Пономаренко, В.В.
Опубліковано: (2003) -
Эволюция структуры многослойных рентгеновских зеркал Si/Mg₂Si при термическом воздействии
за авторством: Конотопский, Л.Е., та інші
Опубліковано: (2016) -
Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si
за авторством: Журавель, И.А., та інші
Опубліковано: (2014) -
Получение тонких алмазных пленок при магнетронном распылении графитовой мишени
за авторством: Костановский, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)