Нанокристаллические пленки оксида церия для биолюминесцентных сенсорных систем

Изучены свойства нанокристаллических пленок оксида церия, установлены основные закономерности их формирования в зависимости от технологических режимов вакуумного нанесения методом взрывного испарения и типа подложки с целью создания высокочувствительных фотоприемников. Морфология поверхности пленок...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Борисов, А.В., Шмырева, А.Н., Максимчук, Н.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Schriftenreihe:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76387
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Нанокристаллические пленки оксида церия для биолюминесцентных сенсорных систем / А.В. Борисов, А.Н. Шмырева, Н.В. Максимчук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 245-254. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Изучены свойства нанокристаллических пленок оксида церия, установлены основные закономерности их формирования в зависимости от технологических режимов вакуумного нанесения методом взрывного испарения и типа подложки с целью создания высокочувствительных фотоприемников. Морфология поверхности пленок СеОх исследовалась методом атомно-силовой микроскопии, а электронная структура пленок – методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. На фотоэлектронном спектре наблюдаются максимумы трёх- и четырёхвалентного Се. Показано, что наибольшей фоточувствительностью в спектральном диапазоне 380—450 нм обладают нанокристаллические пленки со структурой Si/SiO₂/CeOx, осажденные при температуре 200°С, и пленки со структурой Si/Si₃N₄/CeOx c температурами осаждения 200°С и 300°С. Минимальным ТКС в области рабочих температур обладают пленки, нанесенные на подложку из SiO₂ при температуре 200°С, – 0,36%/град.