Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe

Експериментально доведено, що освітлення напівпровідникової електроди, виготовленої з шаруватого напівпровідника n-GaSe в кислих та нейтральних середовищах посилює анодні і катодні реакції. Освітлення випроміненням сонячного діяпазону посилює віддачу електронів від електроди, а також селективне розч...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Дата:2009
Автори: Балицький, О.О., Грищенко, С.А.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76392
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe / О.О. Балицький, С.А. Грищенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 177-184. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Експериментально доведено, що освітлення напівпровідникової електроди, виготовленої з шаруватого напівпровідника n-GaSe в кислих та нейтральних середовищах посилює анодні і катодні реакції. Освітлення випроміненням сонячного діяпазону посилює віддачу електронів від електроди, а також селективне розчинення Se, Ga, стимулюючи їх перехід у йонний стан. Рідкі нейтральні, кислі середовища у вигляді плівок або крапель, які формуються на поверхні цих електрод, впливають на поверхневі характеристики досліджуваних напівпровідників, а тому вивчення змін структури на нанорівні та електрохемічних властивостей необхідне для з’ясування принципу дії нових фотоелектрохемічних комірок перетворення сонячної енергії. Экспериментально установлено, что освещение полупроводникового электрода, изготовленного из слоистого полупроводника n-GaSe, в кислых и нейтральных средах усиливает анодные и катодные реакции. Освещение излучением солнечного диапазона усиливает отдачу электронов от электрода, а также селективное растворение Se, Ga, стимулируя их переход в ионное состояние. Жидкие нейтральные, кислые среды в виде пленок или капель, которые формируются на поверхности этих электродов, влияют на поверхностные характеристики исследуемых полупроводников; следовательно, изучение изменений структуры на наноуровне и електрохимических свойств необходимо для раскрытия принципа действия новых фотоэлектрохимических ячеек преобразования солнечной энергии. As established experimentally, the illumination of n-GaSe layered semiconductor electrodes in acid and neutral environments enhances anode and cathode reactions. Irradiation within the solar range leads to the increasing of theelectrons recoil from electrode and to the selective dissolution of Ga, Se, stimulating their passing into the ionic state. Neutral and acid liquid environments such as films or drops, which are formed on the surfaces of these electrodes, affect the surface characteristics of the investigated semiconductors. Therefore, investigation of a change of the electrochemical properties and structure on nanolevel is necessary to clarify principle of operation of new photoelectrochemical cells for sun energy transformation.
ISSN:1816-5230