Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe
Експериментально доведено, що освітлення напівпровідникової електроди, виготовленої з шаруватого напівпровідника n-GaSe в кислих та нейтральних середовищах посилює анодні і катодні реакції. Освітлення випроміненням сонячного діяпазону посилює віддачу електронів від електроди, а також селективне розч...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76392 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe / О.О. Балицький, С.А. Грищенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 177-184. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860028919719133184 |
|---|---|
| author | Балицький, О.О. Грищенко, С.А. |
| author_facet | Балицький, О.О. Грищенко, С.А. |
| citation_txt | Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe / О.О. Балицький, С.А. Грищенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 177-184. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Експериментально доведено, що освітлення напівпровідникової електроди, виготовленої з шаруватого напівпровідника n-GaSe в кислих та нейтральних середовищах посилює анодні і катодні реакції. Освітлення випроміненням сонячного діяпазону посилює віддачу електронів від електроди, а також селективне розчинення Se, Ga, стимулюючи їх перехід у
йонний стан. Рідкі нейтральні, кислі середовища у вигляді плівок або
крапель, які формуються на поверхні цих електрод, впливають на поверхневі характеристики досліджуваних напівпровідників, а тому вивчення
змін структури на нанорівні та електрохемічних властивостей необхідне
для з’ясування принципу дії нових фотоелектрохемічних комірок перетворення сонячної енергії.
Экспериментально установлено, что освещение полупроводникового
электрода, изготовленного из слоистого полупроводника n-GaSe, в кислых и нейтральных средах усиливает анодные и катодные реакции. Освещение излучением солнечного диапазона усиливает отдачу электронов
от электрода, а также селективное растворение Se, Ga, стимулируя их переход в ионное состояние. Жидкие нейтральные, кислые среды в виде
пленок или капель, которые формируются на поверхности этих электродов, влияют на поверхностные характеристики исследуемых полупроводников; следовательно, изучение изменений структуры на наноуровне
и електрохимических свойств необходимо для раскрытия принципа действия новых фотоэлектрохимических ячеек преобразования солнечной
энергии.
As established experimentally, the illumination of n-GaSe layered semiconductor
electrodes in acid and neutral environments enhances anode and cathode
reactions. Irradiation within the solar range leads to the increasing of theelectrons recoil from electrode and to the selective dissolution of Ga, Se,
stimulating their passing into the ionic state. Neutral and acid liquid environments
such as films or drops, which are formed on the surfaces of these
electrodes, affect the surface characteristics of the investigated semiconductors.
Therefore, investigation of a change of the electrochemical properties
and structure on nanolevel is necessary to clarify principle of operation of
new photoelectrochemical cells for sun energy transformation.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:51:00Z |
| format | Article |
| fulltext |
177
PACS numbers: 68.37.Ps, 81.16.-c, 82.45.Mp, 82.45.Vp, 82.45.Yz, 84.60.Jt, 85.35.Be
Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe
О. О. Балицький, С. А. Грищенко*
Львівський національний університет ім. Івана Франка,
вул. Драгоманова, 50,
79605 Львів, Україна
*Фізико-механічний інститут ім. Г. В. Карпенка НАН України,
вул. Наукова, 5,
79601 Львів, Україна
Експериментально доведено, що освітлення напівпровідникової електро-
ди, виготовленої з шаруватого напівпровідника n-GaSe в кислих та нейт-
ральних середовищах посилює анодні і катодні реакції. Освітлення ви-
проміненням сонячного діяпазону посилює віддачу електронів від елект-
роди, а також селективне розчинення Se, Ga, стимулюючи їх перехід у
йонний стан. Рідкі нейтральні, кислі середовища у вигляді плівок або
крапель, які формуються на поверхні цих електрод, впливають на повер-
хневі характеристики досліджуваних напівпровідників, а тому вивчення
змін структури на нанорівні та електрохемічних властивостей необхідне
для з’ясування принципу дії нових фотоелектрохемічних комірок пере-
творення сонячної енергії.
Экспериментально установлено, что освещение полупроводникового
электрода, изготовленного из слоистого полупроводника n-GaSe, в кис-
лых и нейтральных средах усиливает анодные и катодные реакции. Ос-
вещение излучением солнечного диапазона усиливает отдачу электронов
от электрода, а также селективное растворение Se, Ga, стимулируя их пе-
реход в ионное состояние. Жидкие нейтральные, кислые среды в виде
пленок или капель, которые формируются на поверхности этих электро-
дов, влияют на поверхностные характеристики исследуемых полупро-
водников; следовательно, изучение изменений структуры на наноуровне
и електрохимических свойств необходимо для раскрытия принципа дей-
ствия новых фотоэлектрохимических ячеек преобразования солнечной
энергии.
As established experimentally, the illumination of n-GaSe layered semicon-
ductor electrodes in acid and neutral environments enhances anode and cath-
ode reactions. Irradiation within the solar range leads to the increasing of the
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies
2009, т. 7, № 1, сс. 177—184
© 2009 ІМФ (Інститут металофізики
ім. Г. В. Курдюмова НАН України)
Надруковано в Україні.
Фотокопіювання дозволено
тільки відповідно до ліцензії
178 О. О. БАЛИЦЬКИЙ, С. А. ГРИЩЕНКО
electrons recoil from electrode and to the selective dissolution of Ga, Se,
stimulating their passing into the ionic state. Neutral and acid liquid envi-
ronments such as films or drops, which are formed on the surfaces of these
electrodes, affect the surface characteristics of the investigated semiconduc-
tors. Therefore, investigation of a change of the electrochemical properties
and structure on nanolevel is necessary to clarify principle of operation of
new photoelectrochemical cells for sun energy transformation.
Ключові слова: шаруватий напівпровідник, електрохемічна комірка,
перетворення сонячної енергії, електрохемічні властивості, нейтральні
й кислі середовища.
(Отримано 20 жовтня 2008 р.)
1. ВСТУП
За винятком енергії води і вітру, всі інші традиційні джерела енер-
гії є продуктами фотосинтези. Оскільки перетворення енергії при
фотосинтезі є електрохемічним процесом (окислювально-відновлю-
вальною реакцією збуджених молекул хлорофілу), зроблено чис-
ленні спроби виготовити пристрої для перетворення сонячної енер-
гії за аналогічною схемою. Однак виявилось, що ККД штучних сис-
тем такого типу є дуже низьким, тому перспективи створення
більш ефективних і довговічних систем є актуальним завданням.
Основний недолік існуючих систем пов’язаний із слабким вбиран-
ням світла в тонкому шарі, що містить фотоактивні молекулі піґ-
менту, яким у рослин являється мембрана, що складається із тила-
коїдів. Шар малої товщини необхідний для запобігання значних
втрат енергії при проходженні електронів через мембрану. У при-
роді цей недолік компенсується за рахунок ефективного вбирання
сонячного світла багатошаровою мембраною і завдяки додатковим
молекулям, які забезпечують резонансну передачу ввібраної світ-
лової енергії молекулям хлорофілу, що знаходяться в реакційних
центрах. Відмова від мембрани призводить до гомогенних окислю-
вально-відновних фотоелектричних реакцій. Однак у цьому випад-
ку втрачається основна перевага мембрани, яка пов’язана з розді-
ленням продуктів для запобігання зворотних реакцій. Такі процеси
призводять до незадовільно низького енергетичного виходу при пе-
ребігу будь-яких гомогенних фотоелектрохемічних реакцій.
Єдиним можливим варіянтом пристрою, який зберігає переваги
процесу фотосинтези, пов’язаного з високою ефективністю пере-
творення енергії, і використовує фотоелектрохемічні окислюваль-
но-відновлювальні реакції, є фотоелектрохемічний перетворювач
енергії з напівпровідниковими електродами. Процеси фотосинтези і
фотоелектролізи з точки зору енергії електронів, які беруть участь в
окислювально-відновлювальних реакціях,забезпечують виділення
ЕЛЕКТРОХЕМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ШАРУВАТОЇ СПОЛУКИ GaSe 179
корисної хемічної енергії. Очевидно, фотосинтезу можна вважати
різновидом внутрішнього електролітичного процесу, при якому як
електронний, так і йонний струми проходять через мембрану. Про-
те, при фотоелектролізі необхідно використати додаткову електро-
ду, яка повинна мати електронний контакт з напівпровідником і
збирати рухливі носії заряду, що ґенеруються в напівпровіднику
при вбиранні світла. Для того, щоб розділення зарядів було ефекти-
вним, в напівпровіднику біля межі поділу має існувати область
об’ємного заряду. Такі системи мають спільні ознаки з твердотіль-
ними напівпровідниковими сонячними елементами [1—7]. Тому в
даній статті розглянуті основні принципи дії таких фотоелектрохе-
мічних пристроїв з огляду на можливість застосування перспекти-
вних шаруватих напівпровідникових матеріялів. Актуальність ро-
боти полягає в тому, що існуючі джерела енергії вичерпуються і ви-
никає потреба у вивченні та розробці альтернативних відновних
джерел енергії (таким є сонячне випромінення), зокрема заснова-
ними на фотоелектрохемічній методі її перетворення.
Метою роботи є вивчення електрохемічних характеристик моно-
селеніду ґалію в залежности від типу електролітів та за умов дії со-
нячних променів.
2. МАТЕРІЯЛИ І МЕТОДИ ДОСЛІДЖЕННЯ
Об’єкт досліджень – шаруватий монокристал ґалію при електро-
хемічній поляризації в електролітах з різним показником кислот-
ности (рН). Вивчення потенціостатичних та потенціодинамічних
характеристик за допомогою сканівного потенціостату. Для одер-
жання поляризаційних діяграм застосовано досліджувану електро-
ду («робоча»), електроду порівняння та допоміжну електроду (пля-
тинова) (рис. 1). Поляризаційні дослідження проведено в електро-
хемічній комірці з дистильованою водою та з 26% водним розчином
H2SO4, вимірюючи загальний електродний потенціял напівпровід-
никової електроди. Електрохемічні дослідження проводили на по-
тенціостаті Scanning Potentiostat mod. 362 EG&G PARC, оснащено-
му термостатом MLW U15S, допоміжною плятиновою електродою
порівняння Metrohm AG 9101 Herisau, що дало змогу деаерувати
робоче середовище та підтримувати його температуру в межах 18—
25°С з точністю ±0,5°С (рис. 1). Потенціяли перераховували на ста-
ндартну водневу електроду. Зразок перед дослідом зачищали дріб-
нозернистим шліфувальним папером та протирали чистою ткани-
ною; знежирювали зразок етиловим спиртом або ацетоном; під час
дослідження виокремлено частини поверхні зразка покриттям хе-
мічно стійким електроізоляційним лаком, залишивши робочу по-
верхню непокритою.
Для одержання двовимірних зображень поверхні напівпровідни-
180 О. О. БАЛИЦЬКИЙ, С. А. ГРИЩЕНКО
кової електроди до та після електрохемічних досліджень викорис-
тано Profilometr Dektak 6M (Stylus Profiler), а для одержання три-
вимірних зображень поверхні – NanoScope IVa (Veeco) (Technical
Manufactures Corporation, Peabody, USA).
3. РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ ТА ЇХ ОБГОВОРЕННЯ
Темнові характеристики зразка у воді свідчать про те, що анодні і
катодні процеси в темноті, без доступу сонячних променів перебі-
гають з нижчою швидкістю, ніж на сонячному світлі, і потенціял
корозії на світлі зсувається у від’ємний бік. Це викликано підси-
ленням анодної і катодної реакцій, але анодна реакція перебігає ін-
тенсивніше.
Подібні закономірності спостерігаються і в 1N H2SO4. Ріжниця
1
2
3
4
5
6
7 7
ÐÅ
ÄÅ
ÅÏ
Рис. 1. Принципова схема устави для електрохемічних досліджень потен-
ціостатичних та потенціодинамічних характеристик напівпровідників: 1
– поляризаційна комірка; 2 – розчин електроліту; 3 – допоміжна елект-
рода (ДЕ); 4 – робоча електрода (РЕ); 5 – соляний місток; 6 – електрода
порівняння (ЕП); 7 – відповідні клеми потенціостату Scanning
Potentiostat mod. 362 EG&G PARC.
Рис. 2. Поляризаційні криві GaSe у дистильованій воді: 1 – у темноті;
2 – на світлі; у 1N H2SO4: 3 – у темноті; 4 – на світлі.
ЕЛЕКТРОХЕМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ШАРУВАТОЇ СПОЛУКИ GaSe 181
полягає в тому, що у кислому розчині катодні і анодні струми є ни-
жчі від тих, які ми одержали в дистильованій воді. Це свідчить про
те, що катодна реакція виділення водню на n-напівпровіднику зни-
жується (вказане явище не притаманне металам). Це означає, що
розряд катіонів водню, або передача електронів з напівпровідника є
нижчою, ніж віддача електронів при катодній реакції деполяриза-
ції кисню.
Потенціял корозії досліджуваної електроди у воді є більш
від’ємним порівняно з кислотою, що означає, що анодна реакція
розчинення є більш інтенсивною і струм корозії також (рис. 2).
Отже, у кислому середовищі на поверхні n-GaSe утворюється
окисна плівка, яка загальмовує катодні та анодні процеси. Це озна-
чає, що при освітленні процеси пасивації знижуються. У розчині
сірчаної кислоти струми корозії в темноті вищі.
У воді спостерігали протилежне явище. На нашу думку, це зумо-
влено зміною реакції катодної деполяризації, а саме деполяризації
кисню. В розчині сірчаної кислоти в процесі поляризації навіть без
повного розкладу води на водень і кисень можна одержувати во-
день. Для цього необхідно, щоб фотопотенціял фотоаноди досягав
потенціялу виділення водню (відновлення води), а в якості донорів
електронів використовувати речовину, яка окислюється легше за
воду (наприклад, полісульфід натрію). Це дозволяє застосовувати
напівпровідники з шириною забороненої зони, оптимальною для
перетворення сонячного світла, а відтак і одержати більшу ефекти-
вність цього перетворення. Теоретично доведено, що водень акуму-
люється (наприклад, в кремнії) в міжвузлях і у вакансійних ком-
плексах. Водень проникає в вакансії і дивакансії і насичує внутрі-
шні обірвані зв’язки атомів напівпровідника, додатково знижуючи
енергію і підвищуючи тим самим ймовірність утворення вакансій-
них комплексів [7]. Таким чином, водень сприяє формуванню в на-
півпровіднику нанорозмірних порожнин, які він сам і заповнює.
З огляду на вищевказане, придатним матеріялом для фотоаноди
може бути n-GaSe (Eg = 2,05 еВ) та n-InSe (Eg = 1,2 еВ). Як показу-
ють дослідження, фотопотенціял фотоанод не досягнув потенціялу
відновлення води ні в нейтральному, ні в кислому середовищі на-
віть при інтенсивному опроміненні за допомогою ксенонової лампи
(75 мВат/см
2) [6].
Зазначимо, що зсув фотопотенціялу в катодний бік може відбу-
ватись з допомогою інтеркаляції шаруватих фотоанод (введення
між шари домішок) [7]. Відомо, що інтеркаляція зсуває рівноваж-
ний потенціял електроди в бік потенціялу гостьового елементу (ін-
теркалянту). Темновий потенціял фотоаноди дійсно зсувається в
катодний бік в залежности від ступеня інтеркаляції, але, на жаль,
фотовластивості фотоаноди при цьому швидко погіршуються [8, 9].
Центри рекомбінації екситонів моноселеніду ґалію локалізовані
182 О. О. БАЛИЦЬКИЙ, С. А. ГРИЩЕНКО
в базисних площинах, де скупчуються структурні дефекти. Особли-
вості в спектрах фотовідповіді з нанорозмірною впорядкованою
границею свідчать про зміну ґенераційно-рекомбінаційних проце-
сів в структурах в порівнянні з процесами, які протікають в гетеро-
переходах з суцільним шаром оксиду.
Отже, можна зробити висновок, що освітлення напівпровіднико-
вої електроди n-GaSe в досліджуваних середовищах посилюють
анодні і катодні реакції. Освітлення посилює віддачу електронів від
електроди, а також розчинення Ga або Se, стимулюючи їх перехід в
йонний стан. Для підтвердження механізму необхідно зробити ана-
лізу на наявність йонів Ga та Se, а також їх співвідношення.
Рідкі нейтральні, а особливо, кислі середовища у вигляді кра-
пель (рис. 3 а, б) які формуються на поверхні сколу по площині, пе-
рпендикулярній до шарів напівпровідника GaSe, суттєво вплива-
ють на поверхневі характеристики електроди. З’ясування принци-
пу дії нових фотоелектрохемічних комірок перетворення сонячної
енергії можливе на нанорівні.
Катодна поляризація відбувається з кисневою деполяризацією.
Анодні і катодні струми є малі. Це означає, що катодні і анодні
процеси є суттєво загальмовані, про що свідчать часові зміни елект-
а
б
Рис. 3. Тривимірні зображення поверхні (а – бокової, б – фронтальної)
напівпровідникової електроди GaSe після електрохемічних досліджень у
1N H2SO4 на сонячному світлі наNanoScope IVa (Veeco).
ЕЛЕКТРОХЕМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ШАРУВАТОЇ СПОЛУКИ GaSe 183
родного потенціялу (рис. 4). Цей факт має певні позитивні наслідки
з точки зору конструювання електрохемічних перетворювачів со-
нячної енергії, оскільки перехідний період, необхідний для стабілі-
зації основних робочих параметрів перетворювача повинен бути мі-
німальним.
4. ВИСНОВКИ
Освітлення шаруватого напівпровідникової електроди на основі
моноселеніду ґалію в досліджуваних нейтральному та кислому се-
редовищах посилює анодні і катодні реакції. Освітлення стимулює
віддачу електронів від електроди, а також селективне розчинення
компонент напівпровідника, стимулюючи їх перехід в йонний стан.
ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
1. Д. Б. Данько, Л. Г. Щербакова, Ю. М. Солонін, Тези доповідей сесії НАН
України з цільової комплексної програми наукових досліджень «Фундамен-
тальні проблеми водневої енергетики» (Київ: 2007), с. 37.
2. А. П. Бахтинов, З. Д. Ковалюк, О. Р. Сидор, В. Р. Катеринчук, О. С. Литвин,
Физика твердого тела, вып. 8: 1497 (2007).
3. O. A. Balitskii, V. P. Savchyn, P. J. Stakhira, and N. N. Berchenko, Vacuum,
67, No. 1: 71 (2002).
4. O. A. Balitskii, Materials Letters, 60, No. 5: 594 (2006).
5. N. N. Berchenko, O. A. Balitskii, and R. V. Lutsiv, Mater. Chemistry and
Physics, 51: 125 (1997).
6. Ю. М. Солонін, Г. Я. Колбасов, І. А. Русенький, Д. Б. Данько, Фотоелект-
рохімічний напівпровідниковий елемент з накопиченням водню (Патент
України № 75975. Опубліковано 15.06.2006. Бюл. №6).
Рис. 4. Часова залежність потенціялу GaSe у дистильованій воді.
184 О. О. БАЛИЦЬКИЙ, С. А. ГРИЩЕНКО
7. К. Чопра, С. Дас, Тонкопленочные солнечные элементы (Москва: Мир:
1986), с. 435.
8. V. M. Kaminskii, Z. D. Kovalyuk, M. N. Pyrlya, S. V. Gavrilyuk, and V. V. Ne-
tyaga, Inorganic Materials, 41: 793 (2005).
9. А. И. Дмитриев, Г. В. Лашкарев, З. Д. Ковалюк, Наносистеми, наномате-
ріали, нанотехнології, 4, вип. 2: 407 (2006).
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76392 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:51:00Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Балицький, О.О. Грищенко, С.А. 2015-02-10T10:54:21Z 2015-02-10T10:54:21Z 2009 Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe / О.О. Балицький, С.А. Грищенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 177-184. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers: 68.37.Ps,81.16.-c,82.45.Mp,82.45.Vp,82.45.Yz,84.60.Jt,85.35.Be https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76392 Експериментально доведено, що освітлення напівпровідникової електроди, виготовленої з шаруватого напівпровідника n-GaSe в кислих та нейтральних середовищах посилює анодні і катодні реакції. Освітлення випроміненням сонячного діяпазону посилює віддачу електронів від електроди, а також селективне розчинення Se, Ga, стимулюючи їх перехід у
 йонний стан. Рідкі нейтральні, кислі середовища у вигляді плівок або
 крапель, які формуються на поверхні цих електрод, впливають на поверхневі характеристики досліджуваних напівпровідників, а тому вивчення
 змін структури на нанорівні та електрохемічних властивостей необхідне
 для з’ясування принципу дії нових фотоелектрохемічних комірок перетворення сонячної енергії. Экспериментально установлено, что освещение полупроводникового
 электрода, изготовленного из слоистого полупроводника n-GaSe, в кислых и нейтральных средах усиливает анодные и катодные реакции. Освещение излучением солнечного диапазона усиливает отдачу электронов
 от электрода, а также селективное растворение Se, Ga, стимулируя их переход в ионное состояние. Жидкие нейтральные, кислые среды в виде
 пленок или капель, которые формируются на поверхности этих электродов, влияют на поверхностные характеристики исследуемых полупроводников; следовательно, изучение изменений структуры на наноуровне
 и електрохимических свойств необходимо для раскрытия принципа действия новых фотоэлектрохимических ячеек преобразования солнечной
 энергии. As established experimentally, the illumination of n-GaSe layered semiconductor
 electrodes in acid and neutral environments enhances anode and cathode
 reactions. Irradiation within the solar range leads to the increasing of theelectrons recoil from electrode and to the selective dissolution of Ga, Se,
 stimulating their passing into the ionic state. Neutral and acid liquid environments
 such as films or drops, which are formed on the surfaces of these
 electrodes, affect the surface characteristics of the investigated semiconductors.
 Therefore, investigation of a change of the electrochemical properties
 and structure on nanolevel is necessary to clarify principle of operation of
 new photoelectrochemical cells for sun energy transformation. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe Electrochemical Properties of Layered Compound GaSe Article published earlier |
| spellingShingle | Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe Балицький, О.О. Грищенко, С.А. |
| title | Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe |
| title_alt | Electrochemical Properties of Layered Compound GaSe |
| title_full | Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe |
| title_fullStr | Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe |
| title_full_unstemmed | Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe |
| title_short | Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe |
| title_sort | електрохемічні властивості шаруватої сполуки gase |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76392 |
| work_keys_str_mv | AT balicʹkiioo elektrohemíčnívlastivostíšaruvatoíspolukigase AT griŝenkosa elektrohemíčnívlastivostíšaruvatoíspolukigase AT balicʹkiioo electrochemicalpropertiesoflayeredcompoundgase AT griŝenkosa electrochemicalpropertiesoflayeredcompoundgase |