Технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Білик, Т.Ю., Шмирєва, О.М., Мельниченко, М.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76425
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Технологічні методи керування властивостями
 наноструктурованого кремнію / Т.Ю. Білик, О.М. Шмирєва, М.М. Мельниченко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 2. — С. 395-402. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.

При формуванні наноструктурованого кремнію на підложжях монокристалічного кремнію відбувається зміна не тільки структурних властивостей, що призводить до зміни ширини забороненої зони і прояву квантоворозмірних ефектів, але й утворення на поверхні нових сполук кремнію з
 підвищеним вмістом водню й аморфного кремнію. Така складна структура обумовлює прояв нових електрофізичних, фотоелектричних, теплофізичних та фотолюмінесцентних властивостей, що дозволяє створювати
 нові типи напівпровідникових приладів, зокрема, фотоприймачі короткохвильової частини спектру. Метою даної роботи є подальше дослідження технологічних метод керування функціональними властивостями наноструктурованого кремнію із застосуванням нових складів щавників. Formation of nanoporous silicon on monocrystalline silicon wafers changes
 structural properties that results in forbidden-bandwidth change and quantumdimension
 effects appearance as well as appearance of new silicon compounds
 with higher hydrogen and amorphous-silicon contents on the silicon surface.
 Such a complex structure with new electrophysical, photoelectrical, thermophysical,
 and photoluminescent properties makes possible new types of semiconductor
 devices, in particular, light detectors of short-wave spectral range. Goal
 of this work is to study technological methods for governing by functional properties
 of nanoporous silicon using new compositions of etching agents. При формировании наноструктурированного кремния на подложках монокристаллического кремния происходит изменение не только структурных
 свойств, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны и проявлению квантово-размерных эффектов, но и к возникновению на поверхности
 новых соединений кремния с повышенным содержанием водорода и
 аморфного кремния. Такая сложная структура приводит к проявлению новых электрофизических, фотоэлектрических, теплофизических и фотолюминесцентных свойств, что позволяет создавать новые типы полупровод-никовых приборов, в частности, фотоприемники коротковолновой части
 спектра. Целью данной работы является дальнейшее изучение технологических методов управления функциональными свойствами наноструктурированного кремния с применением новых составов травителей.