Технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію
При формуванні наноструктурованого кремнію на підложжях монокристалічного кремнію відбувається зміна не тільки структурних властивостей, що призводить до зміни ширини забороненої зони і прояву квантоворозмірних ефектів, але й утворення на поверхні нових сполук кремнію з
 підвищеним вмістом в...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76425 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Технологічні методи керування властивостями
 наноструктурованого кремнію / Т.Ю. Білик, О.М. Шмирєва, М.М. Мельниченко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 2. — С. 395-402. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862572336484450304 |
|---|---|
| author | Білик, Т.Ю. Шмирєва, О.М. Мельниченко, М.М. |
| author_facet | Білик, Т.Ю. Шмирєва, О.М. Мельниченко, М.М. |
| citation_txt | Технологічні методи керування властивостями
 наноструктурованого кремнію / Т.Ю. Білик, О.М. Шмирєва, М.М. Мельниченко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 2. — С. 395-402. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | При формуванні наноструктурованого кремнію на підложжях монокристалічного кремнію відбувається зміна не тільки структурних властивостей, що призводить до зміни ширини забороненої зони і прояву квантоворозмірних ефектів, але й утворення на поверхні нових сполук кремнію з
підвищеним вмістом водню й аморфного кремнію. Така складна структура обумовлює прояв нових електрофізичних, фотоелектричних, теплофізичних та фотолюмінесцентних властивостей, що дозволяє створювати
нові типи напівпровідникових приладів, зокрема, фотоприймачі короткохвильової частини спектру. Метою даної роботи є подальше дослідження технологічних метод керування функціональними властивостями наноструктурованого кремнію із застосуванням нових складів щавників.
Formation of nanoporous silicon on monocrystalline silicon wafers changes
structural properties that results in forbidden-bandwidth change and quantumdimension
effects appearance as well as appearance of new silicon compounds
with higher hydrogen and amorphous-silicon contents on the silicon surface.
Such a complex structure with new electrophysical, photoelectrical, thermophysical,
and photoluminescent properties makes possible new types of semiconductor
devices, in particular, light detectors of short-wave spectral range. Goal
of this work is to study technological methods for governing by functional properties
of nanoporous silicon using new compositions of etching agents.
При формировании наноструктурированного кремния на подложках монокристаллического кремния происходит изменение не только структурных
свойств, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны и проявлению квантово-размерных эффектов, но и к возникновению на поверхности
новых соединений кремния с повышенным содержанием водорода и
аморфного кремния. Такая сложная структура приводит к проявлению новых электрофизических, фотоэлектрических, теплофизических и фотолюминесцентных свойств, что позволяет создавать новые типы полупровод-никовых приборов, в частности, фотоприемники коротковолновой части
спектра. Целью данной работы является дальнейшее изучение технологических методов управления функциональными свойствами наноструктурированного кремния с применением новых составов травителей.
|
| first_indexed | 2025-11-26T04:31:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76425 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-26T04:31:07Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Білик, Т.Ю. Шмирєва, О.М. Мельниченко, М.М. 2015-02-10T12:41:06Z 2015-02-10T12:41:06Z 2009 Технологічні методи керування властивостями
 наноструктурованого кремнію / Т.Ю. Білик, О.М. Шмирєва, М.М. Мельниченко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 2. — С. 395-402. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 1816-5230 PACSnumbers:78.55.Mb,78.67.Rb,81.07.Bc,81.40.Tv,81.65.Cf,85.60.Dw,85.60.Gz https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76425 При формуванні наноструктурованого кремнію на підложжях монокристалічного кремнію відбувається зміна не тільки структурних властивостей, що призводить до зміни ширини забороненої зони і прояву квантоворозмірних ефектів, але й утворення на поверхні нових сполук кремнію з
 підвищеним вмістом водню й аморфного кремнію. Така складна структура обумовлює прояв нових електрофізичних, фотоелектричних, теплофізичних та фотолюмінесцентних властивостей, що дозволяє створювати
 нові типи напівпровідникових приладів, зокрема, фотоприймачі короткохвильової частини спектру. Метою даної роботи є подальше дослідження технологічних метод керування функціональними властивостями наноструктурованого кремнію із застосуванням нових складів щавників. Formation of nanoporous silicon on monocrystalline silicon wafers changes
 structural properties that results in forbidden-bandwidth change and quantumdimension
 effects appearance as well as appearance of new silicon compounds
 with higher hydrogen and amorphous-silicon contents on the silicon surface.
 Such a complex structure with new electrophysical, photoelectrical, thermophysical,
 and photoluminescent properties makes possible new types of semiconductor
 devices, in particular, light detectors of short-wave spectral range. Goal
 of this work is to study technological methods for governing by functional properties
 of nanoporous silicon using new compositions of etching agents. При формировании наноструктурированного кремния на подложках монокристаллического кремния происходит изменение не только структурных
 свойств, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны и проявлению квантово-размерных эффектов, но и к возникновению на поверхности
 новых соединений кремния с повышенным содержанием водорода и
 аморфного кремния. Такая сложная структура приводит к проявлению новых электрофизических, фотоэлектрических, теплофизических и фотолюминесцентных свойств, что позволяет создавать новые типы полупровод-никовых приборов, в частности, фотоприемники коротковолновой части
 спектра. Целью данной работы является дальнейшее изучение технологических методов управления функциональными свойствами наноструктурированного кремния с применением новых составов травителей. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію Technological Methods for Control of Nanostructured Silicon Properties Article published earlier |
| spellingShingle | Технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію Білик, Т.Ю. Шмирєва, О.М. Мельниченко, М.М. |
| title | Технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію |
| title_alt | Technological Methods for Control of Nanostructured Silicon Properties |
| title_full | Технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію |
| title_fullStr | Технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію |
| title_full_unstemmed | Технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію |
| title_short | Технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію |
| title_sort | технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76425 |
| work_keys_str_mv | AT bíliktû tehnologíčnímetodikeruvannâvlastivostâminanostrukturovanogokremníû AT šmirêvaom tehnologíčnímetodikeruvannâvlastivostâminanostrukturovanogokremníû AT melʹničenkomm tehnologíčnímetodikeruvannâvlastivostâminanostrukturovanogokremníû AT bíliktû technologicalmethodsforcontrolofnanostructuredsiliconproperties AT šmirêvaom technologicalmethodsforcontrolofnanostructuredsiliconproperties AT melʹničenkomm technologicalmethodsforcontrolofnanostructuredsiliconproperties |