Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута, легированного теллуром

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Орлова, Д.С., Рогачева, Е.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
• Schlagworte: Galvanomagnetic Properties of Bismuth Thin Films Doped with Tellurium
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76430
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута,
 легированного теллуром / Д.С. Орлова, Е.И. Рогачева // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 2. — С. 487-493. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Установлено, что, используя метод термического испарения в вакууме
 кристаллов висмута, легированного теллуром, на подложки из слюды,
 можно не только реализовать донорное действие теллура в тонкопленочном состоянии, но и осуществить более глубокое легирование висмута,
 чем в...