Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута, легированного теллуром

• Published in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Date: 2009
• Main Authors: Орлова, Д.С., Рогачева, Е.И.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
• Subjects: Galvanomagnetic Properties of Bismuth Thin Films Doped with Tellurium
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76430
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута, легированного теллуром / Д.С. Орлова, Е.И. Рогачева // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 2. — С. 487-493. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Установлено, что, используя метод термического испарения в вакууме кристаллов висмута, легированного теллуром, на подложки из слюды, можно не только реализовать донорное действие теллура в тонкопленочном состоянии, но и осуществить более глубокое легирование висмута, чем в объемном кристалле. Пок...