Экситонные состояния в наносистемах

Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой
 точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона
 и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увели...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2009
Hauptverfasser: Покутний, С.И., Шпак, А.П., Уваров, В.Н., Покутний, М.С.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76802
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой
 точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона
 и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона Eex(a) в КТ селенида и
 сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами
 экситона aex, в 7,4 и 4,5 раз соответственно по сравнению с энергией связи
 экситона в монокристаллах CdSe и CdS. Розвинуто теорію екситонних станів у напівпровідниковій квантовій точці (КТ) за умов, коли поляризаційна взаємодія електрона і дірки зі сферичною поверхнею поділу квантова точка—діелектрична матриця відіграє
 домінантну роль. Виявлено ефект суттєвого збільшення енергії зв’язку
 екситона Eex(a) у КТ селеніду та сульфіду кадмію з радіюсами a, порівнянними з Боровими радіюсами екситона aex, у 7,4 та 4,5 раз відповідно,
 в порівнянні з енергією зв’язку екситона в монокристалах CdSe та CdS. The theory of exciton states in a semiconductor quantum dot (QD) under conditions
 of dominating polarization interaction of an electron and a hole with a
 spherical (quantum dot—dielectric matrix) interface is developed. The substantial
 increase of binding energy of the exciton, Eex(a), within the QD of
 CdSe and CdS with radii a ≈ aex is observed. Binding energies of the excitons
 in QDs exceeded those in CdSe and CdS single crystals by factors of 7.4 and
 4.5, respectively.
ISSN:1816-5230