Экситонные состояния в наносистемах

Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой
 точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона
 и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увели...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Date:2009
Main Authors: Покутний, С.И., Шпак, А.П., Уваров, В.Н., Покутний, М.С.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76802
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862737029949816832
author Покутний, С.И.
Шпак, А.П.
Уваров, В.Н.
Покутний, М.С.
author_facet Покутний, С.И.
Шпак, А.П.
Уваров, В.Н.
Покутний, М.С.
citation_txt Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
description Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой
 точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона
 и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона Eex(a) в КТ селенида и
 сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами
 экситона aex, в 7,4 и 4,5 раз соответственно по сравнению с энергией связи
 экситона в монокристаллах CdSe и CdS. Розвинуто теорію екситонних станів у напівпровідниковій квантовій точці (КТ) за умов, коли поляризаційна взаємодія електрона і дірки зі сферичною поверхнею поділу квантова точка—діелектрична матриця відіграє
 домінантну роль. Виявлено ефект суттєвого збільшення енергії зв’язку
 екситона Eex(a) у КТ селеніду та сульфіду кадмію з радіюсами a, порівнянними з Боровими радіюсами екситона aex, у 7,4 та 4,5 раз відповідно,
 в порівнянні з енергією зв’язку екситона в монокристалах CdSe та CdS. The theory of exciton states in a semiconductor quantum dot (QD) under conditions
 of dominating polarization interaction of an electron and a hole with a
 spherical (quantum dot—dielectric matrix) interface is developed. The substantial
 increase of binding energy of the exciton, Eex(a), within the QD of
 CdSe and CdS with radii a ≈ aex is observed. Binding energies of the excitons
 in QDs exceeded those in CdSe and CdS single crystals by factors of 7.4 and
 4.5, respectively.
first_indexed 2025-12-07T19:56:49Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76802
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1816-5230
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:56:49Z
publishDate 2009
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Покутний, С.И.
Шпак, А.П.
Уваров, В.Н.
Покутний, М.С.
2015-02-12T17:19:59Z
2015-02-12T17:19:59Z
2009
Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
1816-5230
PACS numbers: 71.15.Qe,71.35.-y,73.20.Mf,73.21.La,73.22.Lp,78.20.Bh,78.20.Jq
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76802
Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой
 точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона
 и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона Eex(a) в КТ селенида и
 сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами
 экситона aex, в 7,4 и 4,5 раз соответственно по сравнению с энергией связи
 экситона в монокристаллах CdSe и CdS.
Розвинуто теорію екситонних станів у напівпровідниковій квантовій точці (КТ) за умов, коли поляризаційна взаємодія електрона і дірки зі сферичною поверхнею поділу квантова точка—діелектрична матриця відіграє
 домінантну роль. Виявлено ефект суттєвого збільшення енергії зв’язку
 екситона Eex(a) у КТ селеніду та сульфіду кадмію з радіюсами a, порівнянними з Боровими радіюсами екситона aex, у 7,4 та 4,5 раз відповідно,
 в порівнянні з енергією зв’язку екситона в монокристалах CdSe та CdS.
The theory of exciton states in a semiconductor quantum dot (QD) under conditions
 of dominating polarization interaction of an electron and a hole with a
 spherical (quantum dot—dielectric matrix) interface is developed. The substantial
 increase of binding energy of the exciton, Eex(a), within the QD of
 CdSe and CdS with radii a ≈ aex is observed. Binding energies of the excitons
 in QDs exceeded those in CdSe and CdS single crystals by factors of 7.4 and
 4.5, respectively.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Экситонные состояния в наносистемах
Article
published earlier
spellingShingle Экситонные состояния в наносистемах
Покутний, С.И.
Шпак, А.П.
Уваров, В.Н.
Покутний, М.С.
title Экситонные состояния в наносистемах
title_full Экситонные состояния в наносистемах
title_fullStr Экситонные состояния в наносистемах
title_full_unstemmed Экситонные состояния в наносистемах
title_short Экситонные состояния в наносистемах
title_sort экситонные состояния в наносистемах
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76802
work_keys_str_mv AT pokutniisi éksitonnyesostoâniâvnanosistemah
AT špakap éksitonnyesostoâniâvnanosistemah
AT uvarovvn éksitonnyesostoâniâvnanosistemah
AT pokutniims éksitonnyesostoâniâvnanosistemah