Экситонные состояния в наносистемах

Экситонные состояния в наносистемах

Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии св...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Дата:2009
Автори: Покутний, С.И., Шпак, А.П., Уваров, В.Н., Покутний, М.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76802
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76802
record_format dspace
spelling Покутний, С.И.
Шпак, А.П.
Уваров, В.Н.
Покутний, М.С.
2015-02-12T17:19:59Z
2015-02-12T17:19:59Z
2009
Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
1816-5230
PACS numbers: 71.15.Qe,71.35.-y,73.20.Mf,73.21.La,73.22.Lp,78.20.Bh,78.20.Jq
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76802
Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона Eex(a) в КТ селенида и сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами экситона aex, в 7,4 и 4,5 раз соответственно по сравнению с энергией связи экситона в монокристаллах CdSe и CdS.
Розвинуто теорію екситонних станів у напівпровідниковій квантовій точці (КТ) за умов, коли поляризаційна взаємодія електрона і дірки зі сферичною поверхнею поділу квантова точка—діелектрична матриця відіграє домінантну роль. Виявлено ефект суттєвого збільшення енергії зв’язку екситона Eex(a) у КТ селеніду та сульфіду кадмію з радіюсами a, порівнянними з Боровими радіюсами екситона aex, у 7,4 та 4,5 раз відповідно, в порівнянні з енергією зв’язку екситона в монокристалах CdSe та CdS.
The theory of exciton states in a semiconductor quantum dot (QD) under conditions of dominating polarization interaction of an electron and a hole with a spherical (quantum dot—dielectric matrix) interface is developed. The substantial increase of binding energy of the exciton, Eex(a), within the QD of CdSe and CdS with radii a ≈ aex is observed. Binding energies of the excitons in QDs exceeded those in CdSe and CdS single crystals by factors of 7.4 and 4.5, respectively.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Экситонные состояния в наносистемах
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Экситонные состояния в наносистемах
spellingShingle Экситонные состояния в наносистемах
Покутний, С.И.
Шпак, А.П.
Уваров, В.Н.
Покутний, М.С.
title_short Экситонные состояния в наносистемах
title_full Экситонные состояния в наносистемах
title_fullStr Экситонные состояния в наносистемах
title_full_unstemmed Экситонные состояния в наносистемах
title_sort экситонные состояния в наносистемах
author Покутний, С.И.
Шпак, А.П.
Уваров, В.Н.
Покутний, М.С.
author_facet Покутний, С.И.
Шпак, А.П.
Уваров, В.Н.
Покутний, М.С.
publishDate 2009
language Russian
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
description Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона Eex(a) в КТ селенида и сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами экситона aex, в 7,4 и 4,5 раз соответственно по сравнению с энергией связи экситона в монокристаллах CdSe и CdS. Розвинуто теорію екситонних станів у напівпровідниковій квантовій точці (КТ) за умов, коли поляризаційна взаємодія електрона і дірки зі сферичною поверхнею поділу квантова точка—діелектрична матриця відіграє домінантну роль. Виявлено ефект суттєвого збільшення енергії зв’язку екситона Eex(a) у КТ селеніду та сульфіду кадмію з радіюсами a, порівнянними з Боровими радіюсами екситона aex, у 7,4 та 4,5 раз відповідно, в порівнянні з енергією зв’язку екситона в монокристалах CdSe та CdS. The theory of exciton states in a semiconductor quantum dot (QD) under conditions of dominating polarization interaction of an electron and a hole with a spherical (quantum dot—dielectric matrix) interface is developed. The substantial increase of binding energy of the exciton, Eex(a), within the QD of CdSe and CdS with radii a ≈ aex is observed. Binding energies of the excitons in QDs exceeded those in CdSe and CdS single crystals by factors of 7.4 and 4.5, respectively.
issn 1816-5230
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76802
citation_txt Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT pokutniisi éksitonnyesostoâniâvnanosistemah
AT špakap éksitonnyesostoâniâvnanosistemah
AT uvarovvn éksitonnyesostoâniâvnanosistemah
AT pokutniims éksitonnyesostoâniâvnanosistemah
first_indexed 2025-12-07T19:56:49Z
last_indexed 2025-12-07T19:56:49Z
_version_ 1850880723959939072

Схожі ресурси