Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії
Дану роботу спрямовано на пошук прийнятної технології виготовлення
 придатних до практичних використань Джозефсонових переходів, які б
 переходили зі стану із зовнішнім шунтуванням до стану із внутрішнім шунтуванням при зміні зовнішніх параметрів, а також були б здатні працювати за т...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76803 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з
 нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії / В.Є. Шатернік, С.Ю. Ларкін, І.В. Бойло, А.П. Шаповалов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 951-961. — Бібліогр.: 23 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862747479295918080 |
|---|---|
| author | Шатернік, В.Є. Ларкін, С.Ю. Бойло, І.В. Шаповалов, А.П. |
| author_facet | Шатернік, В.Є. Ларкін, С.Ю. Бойло, І.В. Шаповалов, А.П. |
| citation_txt | Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з
 нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії / В.Є. Шатернік, С.Ю. Ларкін, І.В. Бойло, А.П. Шаповалов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 951-961. — Бібліогр.: 23 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Дану роботу спрямовано на пошук прийнятної технології виготовлення
придатних до практичних використань Джозефсонових переходів, які б
переходили зі стану із зовнішнім шунтуванням до стану із внутрішнім шунтуванням при зміні зовнішніх параметрів, а також були б здатні працювати за температур, створюваних рефрижераторами із замкненим цикльом.
Виконані експериментальні та теоретичні дослідження Джозефсонового
ефекту в тонкоплівкових S/N—I—S-переходах, що мають дві надпровідні
ніобійові електроди (S), нанометровий алюмінійовий прошарок (N) та тунельний бар’єр з оксиду алюмінію AlOx (I). Продемонстровано, що мініщі-
лина, яка утворилася в електронному спектрі шару нормального металу Al,
що знаходиться в контакті із надпровідником Nb, визначає температурну
залежність критичного надпровідного струму в S/N—I—S-переходах. На
базі цього спостереження запропоновано методу керування дисипацією
енергії в Джозефсоновому переході шляхом зміни його температури.
This work is stimulated by a search for a suitable technology for fabrication
of practically applicable Josephson junctions that could be tuned from underto
overdamped type by an external parameter and capable to work at temperatures
accessible by closed-cycle refrigerators. Experimental and theoretical
studies of the Josephson effect in S/N—I—S junctions made of two superconducting
Nb electrodes (S), a nanometre-scale Al interlayer (N), and the
AlOx tunnel barrier (I) are carried out. As shown, the minigap developed inthe electron spectrum of a normal-metal Al layer in contact with a superconductor
determines the temperature dependence of the critical current in the
S/N—I—S devices. This observation suggests the possibility of controlling the
energy dissipation of a Josephson junction by temperature.
Настоящая работа направлена на поиск приемлемой технологии изготовления пригодных для практического использования переходов Джозефсона,
которые переходили бы из состояния с внешним шунтированием в состояние с внутренним шунтированием в результате изменения внешних параметров, а также могли бы работать при температурах, создаваемых рефрижераторами замкнутого цикла. Выполнены экспериментальные и теоретические исследования эффекта Джозефсона в тонкопленочных S/N—I—S-
переходах, которые включают в себя два сверхпроводящих ниобиевых электрода (S), наноразмерную алюминиевую прослойку (N) и туннельный барьер из оксида алюминия AlOx (I). Показано, что минищель, которая образовалась в электронном спектре пленки нормального метала Al, находящегося
в контакте со сверхпроводником Nb, определяет температурную зависимость критического сверхпроводящего тока в S/N—I—S-переходах. На основе этого наблюдения предложен метод управления диссипацией энергии в
переходе Джозефсона посредством изменения его температуры.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:50:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76803 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:50:46Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шатернік, В.Є. Ларкін, С.Ю. Бойло, І.В. Шаповалов, А.П. 2015-02-12T17:20:58Z 2015-02-12T17:20:58Z 2009 Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з
 нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії / В.Є. Шатернік, С.Ю. Ларкін, І.В. Бойло, А.П. Шаповалов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 951-961. — Бібліогр.: 23 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers: 73.40.Rw,74.25.Sv,74.45.+c,74.50.+r,74.78.Na,74.81.Fa,85.25.Cp https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76803 Дану роботу спрямовано на пошук прийнятної технології виготовлення
 придатних до практичних використань Джозефсонових переходів, які б
 переходили зі стану із зовнішнім шунтуванням до стану із внутрішнім шунтуванням при зміні зовнішніх параметрів, а також були б здатні працювати за температур, створюваних рефрижераторами із замкненим цикльом.
 Виконані експериментальні та теоретичні дослідження Джозефсонового
 ефекту в тонкоплівкових S/N—I—S-переходах, що мають дві надпровідні
 ніобійові електроди (S), нанометровий алюмінійовий прошарок (N) та тунельний бар’єр з оксиду алюмінію AlOx (I). Продемонстровано, що мініщі-
 лина, яка утворилася в електронному спектрі шару нормального металу Al,
 що знаходиться в контакті із надпровідником Nb, визначає температурну
 залежність критичного надпровідного струму в S/N—I—S-переходах. На
 базі цього спостереження запропоновано методу керування дисипацією
 енергії в Джозефсоновому переході шляхом зміни його температури. This work is stimulated by a search for a suitable technology for fabrication
 of practically applicable Josephson junctions that could be tuned from underto
 overdamped type by an external parameter and capable to work at temperatures
 accessible by closed-cycle refrigerators. Experimental and theoretical
 studies of the Josephson effect in S/N—I—S junctions made of two superconducting
 Nb electrodes (S), a nanometre-scale Al interlayer (N), and the
 AlOx tunnel barrier (I) are carried out. As shown, the minigap developed inthe electron spectrum of a normal-metal Al layer in contact with a superconductor
 determines the temperature dependence of the critical current in the
 S/N—I—S devices. This observation suggests the possibility of controlling the
 energy dissipation of a Josephson junction by temperature. Настоящая работа направлена на поиск приемлемой технологии изготовления пригодных для практического использования переходов Джозефсона,
 которые переходили бы из состояния с внешним шунтированием в состояние с внутренним шунтированием в результате изменения внешних параметров, а также могли бы работать при температурах, создаваемых рефрижераторами замкнутого цикла. Выполнены экспериментальные и теоретические исследования эффекта Джозефсона в тонкопленочных S/N—I—S-
 переходах, которые включают в себя два сверхпроводящих ниобиевых электрода (S), наноразмерную алюминиевую прослойку (N) и туннельный барьер из оксида алюминия AlOx (I). Показано, что минищель, которая образовалась в электронном спектре пленки нормального метала Al, находящегося
 в контакте со сверхпроводником Nb, определяет температурную зависимость критического сверхпроводящего тока в S/N—I—S-переходах. На основе этого наблюдения предложен метод управления диссипацией энергии в
 переходе Джозефсона посредством изменения его температуры. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії Article published earlier |
| spellingShingle | Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії Шатернік, В.Є. Ларкін, С.Ю. Бойло, І.В. Шаповалов, А.П. |
| title | Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| title_full | Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| title_fullStr | Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| title_full_unstemmed | Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| title_short | Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| title_sort | джозефсонів критичний струм в nb/al—alox—nb-переходах з нанометровим al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76803 |
| work_keys_str_mv | AT šaterníkvê džozefsonívkritičniistrumvnbalaloxnbperehodahznanometrovimalprošarkomkeruvannâdisipacíêûenergíí AT larkínsû džozefsonívkritičniistrumvnbalaloxnbperehodahznanometrovimalprošarkomkeruvannâdisipacíêûenergíí AT boiloív džozefsonívkritičniistrumvnbalaloxnbperehodahznanometrovimalprošarkomkeruvannâdisipacíêûenergíí AT šapovalovap džozefsonívkritičniistrumvnbalaloxnbperehodahznanometrovimalprošarkomkeruvannâdisipacíêûenergíí |