Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії
Дану роботу спрямовано на пошук прийнятної технології виготовлення придатних до практичних використань Джозефсонових переходів, які б переходили зі стану із зовнішнім шунтуванням до стану із внутрішнім шунтуванням при зміні зовнішніх параметрів, а також були б здатні працювати за температур, створ...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76803 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії / В.Є. Шатернік, С.Ю. Ларкін, І.В. Бойло, А.П. Шаповалов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 951-961. — Бібліогр.: 23 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76803 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Шатернік, В.Є. Ларкін, С.Ю. Бойло, І.В. Шаповалов, А.П. 2015-02-12T17:20:58Z 2015-02-12T17:20:58Z 2009 Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії / В.Є. Шатернік, С.Ю. Ларкін, І.В. Бойло, А.П. Шаповалов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 951-961. — Бібліогр.: 23 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers: 73.40.Rw,74.25.Sv,74.45.+c,74.50.+r,74.78.Na,74.81.Fa,85.25.Cp https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76803 Дану роботу спрямовано на пошук прийнятної технології виготовлення придатних до практичних використань Джозефсонових переходів, які б переходили зі стану із зовнішнім шунтуванням до стану із внутрішнім шунтуванням при зміні зовнішніх параметрів, а також були б здатні працювати за температур, створюваних рефрижераторами із замкненим цикльом. Виконані експериментальні та теоретичні дослідження Джозефсонового ефекту в тонкоплівкових S/N—I—S-переходах, що мають дві надпровідні ніобійові електроди (S), нанометровий алюмінійовий прошарок (N) та тунельний бар’єр з оксиду алюмінію AlOx (I). Продемонстровано, що мініщі- лина, яка утворилася в електронному спектрі шару нормального металу Al, що знаходиться в контакті із надпровідником Nb, визначає температурну залежність критичного надпровідного струму в S/N—I—S-переходах. На базі цього спостереження запропоновано методу керування дисипацією енергії в Джозефсоновому переході шляхом зміни його температури. This work is stimulated by a search for a suitable technology for fabrication of practically applicable Josephson junctions that could be tuned from underto overdamped type by an external parameter and capable to work at temperatures accessible by closed-cycle refrigerators. Experimental and theoretical studies of the Josephson effect in S/N—I—S junctions made of two superconducting Nb electrodes (S), a nanometre-scale Al interlayer (N), and the AlOx tunnel barrier (I) are carried out. As shown, the minigap developed inthe electron spectrum of a normal-metal Al layer in contact with a superconductor determines the temperature dependence of the critical current in the S/N—I—S devices. This observation suggests the possibility of controlling the energy dissipation of a Josephson junction by temperature. Настоящая работа направлена на поиск приемлемой технологии изготовления пригодных для практического использования переходов Джозефсона, которые переходили бы из состояния с внешним шунтированием в состояние с внутренним шунтированием в результате изменения внешних параметров, а также могли бы работать при температурах, создаваемых рефрижераторами замкнутого цикла. Выполнены экспериментальные и теоретические исследования эффекта Джозефсона в тонкопленочных S/N—I—S- переходах, которые включают в себя два сверхпроводящих ниобиевых электрода (S), наноразмерную алюминиевую прослойку (N) и туннельный барьер из оксида алюминия AlOx (I). Показано, что минищель, которая образовалась в электронном спектре пленки нормального метала Al, находящегося в контакте со сверхпроводником Nb, определяет температурную зависимость критического сверхпроводящего тока в S/N—I—S-переходах. На основе этого наблюдения предложен метод управления диссипацией энергии в переходе Джозефсона посредством изменения его температуры. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| spellingShingle |
Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії Шатернік, В.Є. Ларкін, С.Ю. Бойло, І.В. Шаповалов, А.П. |
| title_short |
Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| title_full |
Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| title_fullStr |
Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| title_full_unstemmed |
Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| title_sort |
джозефсонів критичний струм в nb/al—alox—nb-переходах з нанометровим al-прошарком: керування дисипацією енергії |
| author |
Шатернік, В.Є. Ларкін, С.Ю. Бойло, І.В. Шаповалов, А.П. |
| author_facet |
Шатернік, В.Є. Ларкін, С.Ю. Бойло, І.В. Шаповалов, А.П. |
| publishDate |
2009 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Дану роботу спрямовано на пошук прийнятної технології виготовлення
придатних до практичних використань Джозефсонових переходів, які б
переходили зі стану із зовнішнім шунтуванням до стану із внутрішнім шунтуванням при зміні зовнішніх параметрів, а також були б здатні працювати за температур, створюваних рефрижераторами із замкненим цикльом.
Виконані експериментальні та теоретичні дослідження Джозефсонового
ефекту в тонкоплівкових S/N—I—S-переходах, що мають дві надпровідні
ніобійові електроди (S), нанометровий алюмінійовий прошарок (N) та тунельний бар’єр з оксиду алюмінію AlOx (I). Продемонстровано, що мініщі-
лина, яка утворилася в електронному спектрі шару нормального металу Al,
що знаходиться в контакті із надпровідником Nb, визначає температурну
залежність критичного надпровідного струму в S/N—I—S-переходах. На
базі цього спостереження запропоновано методу керування дисипацією
енергії в Джозефсоновому переході шляхом зміни його температури.
This work is stimulated by a search for a suitable technology for fabrication
of practically applicable Josephson junctions that could be tuned from underto
overdamped type by an external parameter and capable to work at temperatures
accessible by closed-cycle refrigerators. Experimental and theoretical
studies of the Josephson effect in S/N—I—S junctions made of two superconducting
Nb electrodes (S), a nanometre-scale Al interlayer (N), and the
AlOx tunnel barrier (I) are carried out. As shown, the minigap developed inthe electron spectrum of a normal-metal Al layer in contact with a superconductor
determines the temperature dependence of the critical current in the
S/N—I—S devices. This observation suggests the possibility of controlling the
energy dissipation of a Josephson junction by temperature.
Настоящая работа направлена на поиск приемлемой технологии изготовления пригодных для практического использования переходов Джозефсона,
которые переходили бы из состояния с внешним шунтированием в состояние с внутренним шунтированием в результате изменения внешних параметров, а также могли бы работать при температурах, создаваемых рефрижераторами замкнутого цикла. Выполнены экспериментальные и теоретические исследования эффекта Джозефсона в тонкопленочных S/N—I—S-
переходах, которые включают в себя два сверхпроводящих ниобиевых электрода (S), наноразмерную алюминиевую прослойку (N) и туннельный барьер из оксида алюминия AlOx (I). Показано, что минищель, которая образовалась в электронном спектре пленки нормального метала Al, находящегося
в контакте со сверхпроводником Nb, определяет температурную зависимость критического сверхпроводящего тока в S/N—I—S-переходах. На основе этого наблюдения предложен метод управления диссипацией энергии в
переходе Джозефсона посредством изменения его температуры.
|
| issn |
1816-5230 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76803 |
| citation_txt |
Джозефсонів критичний струм в Nb/Al—AlOx—Nb-переходах з нанометровим Al-прошарком: керування дисипацією енергії / В.Є. Шатернік, С.Ю. Ларкін, І.В. Бойло, А.П. Шаповалов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 951-961. — Бібліогр.: 23 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT šaterníkvê džozefsonívkritičniistrumvnbalaloxnbperehodahznanometrovimalprošarkomkeruvannâdisipacíêûenergíí AT larkínsû džozefsonívkritičniistrumvnbalaloxnbperehodahznanometrovimalprošarkomkeruvannâdisipacíêûenergíí AT boiloív džozefsonívkritičniistrumvnbalaloxnbperehodahznanometrovimalprošarkomkeruvannâdisipacíêûenergíí AT šapovalovap džozefsonívkritičniistrumvnbalaloxnbperehodahznanometrovimalprošarkomkeruvannâdisipacíêûenergíí |
| first_indexed |
2025-12-07T20:50:46Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:50:46Z |
| _version_ |
1850884119074963456 |