Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями
Получено выражение для двухчастичной функции Грина (электропроводности) магнитных кристаллов с сильными электронными корреляциями. Учитываются процессы рассеяния электронов на флуктуациях
 спиновой и электронной плотностей. Электронные состояния описываются в рамках многозонной модели сильно...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76804 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными
 электронными корреляциями / C.П. Репецкий, А.Г. Наконечный, Б.В. Стащук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 963-985. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862544102142246912 |
|---|---|
| author | Репецкий, C.П. Наконечный, А.Г. Стащук, Б.В. |
| author_facet | Репецкий, C.П. Наконечный, А.Г. Стащук, Б.В. |
| citation_txt | Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными
 электронными корреляциями / C.П. Репецкий, А.Г. Наконечный, Б.В. Стащук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 963-985. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Получено выражение для двухчастичной функции Грина (электропроводности) магнитных кристаллов с сильными электронными корреляциями. Учитываются процессы рассеяния электронов на флуктуациях
спиновой и электронной плотностей. Электронные состояния описываются в рамках многозонной модели сильной связи. Расчеты базируются на
диаграммной технике для температурных функций Грина. Получено кластерное разложение для двухчастичной функции Грина. За нулевое одноузельное приближение в кластерном разложении выбирается приближение когерентного потенциала. Показано, что вклады процессов рассеяния
электронов на кластерах уменьшаются с увеличением числа узлов в кластере по некоторому малому параметру. На примере кристалла железа
исследованы условия возникновения спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями.
Одержано вираз для двочастинкової Ґрінової функції (електропровідности)
магнетних кристалів із сильними електронними кореляціями. Враховуються процеси розсіяння електронів на флюктуаціях спінової й електронної густин. Електронні стани описуються в рамках багатозонного моделю
сильного зв’язку. Розрахунки базуються на діяграмній техніці для температурних Ґрінових функцій. Одержано кластерне розвинення для двочастинкової Ґрінової функції. За нульове одновузельне наближення в кластерному розвиненні обирається наближення когерентного потенціялу. Показано, що внески процесів розсіяння електронів на кластерах зменшуються
зі збільшенням числа вузлів у кластері за деяким малим параметром. На
прикладі кристала заліза досліджено умови виникнення спін-залежного
транспорту в системах із сильними електронними кореляціями.
An expression for two-particle Green’s function (electroconductivity) of
magnetic crystals with strong electron correlations is obtained. The processes
of electron scattering by fluctuations of spin and electron densities are taken
into consideration. The electron states of the system are described within thescope of the multiband tight-binding model. Calculations are based on the
diagram technique for temperature Green’s functions. Cluster expansion for
two-particle Green’s function is obtained. The coherent potential approximation
(CPA) is chosen as a zero-order one-site approximation for this expansion.
As shown, the contributions from the processes of scattering by clusters
decrease as the number of atoms in a cluster increases, and this decrease can
be parameterized by a certain small parameter. Conditions for appearance of
spin-dependent transport in systems with strong electron correlations are
studied as applied to the iron single crystal as an example.
|
| first_indexed | 2025-11-25T00:56:51Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76804 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T00:56:51Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Репецкий, C.П. Наконечный, А.Г. Стащук, Б.В. 2015-02-12T17:22:01Z 2015-02-12T17:22:01Z 2009 Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными
 электронными корреляциями / C.П. Репецкий, А.Г. Наконечный, Б.В. Стащук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 963-985. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 71.10.Fd,71.20.Be,71.27.+a,72.10.Bg,72.15.Qm,72.25.Ba,75.10.-b https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76804 Получено выражение для двухчастичной функции Грина (электропроводности) магнитных кристаллов с сильными электронными корреляциями. Учитываются процессы рассеяния электронов на флуктуациях
 спиновой и электронной плотностей. Электронные состояния описываются в рамках многозонной модели сильной связи. Расчеты базируются на
 диаграммной технике для температурных функций Грина. Получено кластерное разложение для двухчастичной функции Грина. За нулевое одноузельное приближение в кластерном разложении выбирается приближение когерентного потенциала. Показано, что вклады процессов рассеяния
 электронов на кластерах уменьшаются с увеличением числа узлов в кластере по некоторому малому параметру. На примере кристалла железа
 исследованы условия возникновения спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями. Одержано вираз для двочастинкової Ґрінової функції (електропровідности)
 магнетних кристалів із сильними електронними кореляціями. Враховуються процеси розсіяння електронів на флюктуаціях спінової й електронної густин. Електронні стани описуються в рамках багатозонного моделю
 сильного зв’язку. Розрахунки базуються на діяграмній техніці для температурних Ґрінових функцій. Одержано кластерне розвинення для двочастинкової Ґрінової функції. За нульове одновузельне наближення в кластерному розвиненні обирається наближення когерентного потенціялу. Показано, що внески процесів розсіяння електронів на кластерах зменшуються
 зі збільшенням числа вузлів у кластері за деяким малим параметром. На
 прикладі кристала заліза досліджено умови виникнення спін-залежного
 транспорту в системах із сильними електронними кореляціями. An expression for two-particle Green’s function (electroconductivity) of
 magnetic crystals with strong electron correlations is obtained. The processes
 of electron scattering by fluctuations of spin and electron densities are taken
 into consideration. The electron states of the system are described within thescope of the multiband tight-binding model. Calculations are based on the
 diagram technique for temperature Green’s functions. Cluster expansion for
 two-particle Green’s function is obtained. The coherent potential approximation
 (CPA) is chosen as a zero-order one-site approximation for this expansion.
 As shown, the contributions from the processes of scattering by clusters
 decrease as the number of atoms in a cluster increases, and this decrease can
 be parameterized by a certain small parameter. Conditions for appearance of
 spin-dependent transport in systems with strong electron correlations are
 studied as applied to the iron single crystal as an example. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями Article published earlier |
| spellingShingle | Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями Репецкий, C.П. Наконечный, А.Г. Стащук, Б.В. |
| title | Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| title_full | Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| title_fullStr | Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| title_full_unstemmed | Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| title_short | Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| title_sort | теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76804 |
| work_keys_str_mv | AT repeckiicp teoriâspinzavisimogotransportavsistemahssilʹnymiélektronnymikorrelâciâmi AT nakonečnyiag teoriâspinzavisimogotransportavsistemahssilʹnymiélektronnymikorrelâciâmi AT staŝukbv teoriâspinzavisimogotransportavsistemahssilʹnymiélektronnymikorrelâciâmi |