Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію

• Опубліковано в: : Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Дата: 2009
• Автор: Коваль, В.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76805
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію / В.М. Коваль // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 987-998. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

В даній роботі виконано кількісну аналізу енергетичного спектру кремнійового нанокристаліта у вакуумі та аморфному матеріялі, а також враховано вплив перехідного шару на межі поділу кристаліт—матриця. На основі
 теоретичних розрахунків запропоновано зонний модель нанокремнію. Показано, що завдяки варизонній енергетичній будові даний матеріял може
 використовуватися для побудови ефективних фотоприймачів. In a given work, the quantitative analysis of energy spectrum of silicon
 nanocrystallite in a vacuum and in amorphous material is realized. Influence
 of intermediate layer on the boundary between crystallite and matrix is taken
 into consideration. On the basis of theoretical calculations, the band model of
 nanosilicon is proposed. As shown, this material can be used to design effective
 photodetectors because of its variable-gap energy structure. В данной работе проведен количественный анализ энергетического спектра кремниевого нанокристаллита в вакууме и аморфном материале, а
 также учтено влияние переходного слоя на границе кристаллит—матрица.
 На основе теоретических расчетов предложена зонная модель нанокремния. Показано, что благодаря варизонному энергетическому строению
 данный материал может использоваться для построения эффективных
 фотоприемников.