Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію
В даній роботі виконано кількісну аналізу енергетичного спектру кремнійового нанокристаліта у вакуумі та аморфному матеріялі, а також враховано вплив перехідного шару на межі поділу кристаліт—матриця. На основі теоретичних розрахунків запропоновано зонний модель нанокремнію. Показано, що завдяки ва...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76805 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію / В.М. Коваль // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 987-998. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76805 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Коваль, В.М. 2015-02-12T17:23:09Z 2015-02-12T17:23:09Z 2009 Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію / В.М. Коваль // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 987-998. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers: 71.20.Mq,71.23.Cq,71.35.-y,73.20.Mf,73.21.Fg,73.22.Lp,78.67.Bf https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76805 В даній роботі виконано кількісну аналізу енергетичного спектру кремнійового нанокристаліта у вакуумі та аморфному матеріялі, а також враховано вплив перехідного шару на межі поділу кристаліт—матриця. На основі теоретичних розрахунків запропоновано зонний модель нанокремнію. Показано, що завдяки варизонній енергетичній будові даний матеріял може використовуватися для побудови ефективних фотоприймачів. In a given work, the quantitative analysis of energy spectrum of silicon nanocrystallite in a vacuum and in amorphous material is realized. Influence of intermediate layer on the boundary between crystallite and matrix is taken into consideration. On the basis of theoretical calculations, the band model of nanosilicon is proposed. As shown, this material can be used to design effective photodetectors because of its variable-gap energy structure. В данной работе проведен количественный анализ энергетического спектра кремниевого нанокристаллита в вакууме и аморфном материале, а также учтено влияние переходного слоя на границе кристаллит—матрица. На основе теоретических расчетов предложена зонная модель нанокремния. Показано, что благодаря варизонному энергетическому строению данный материал может использоваться для построения эффективных фотоприемников. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію |
| spellingShingle |
Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію Коваль, В.М. |
| title_short |
Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію |
| title_full |
Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію |
| title_fullStr |
Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію |
| title_full_unstemmed |
Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію |
| title_sort |
розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію |
| author |
Коваль, В.М. |
| author_facet |
Коваль, В.М. |
| publishDate |
2009 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| description |
В даній роботі виконано кількісну аналізу енергетичного спектру кремнійового нанокристаліта у вакуумі та аморфному матеріялі, а також враховано вплив перехідного шару на межі поділу кристаліт—матриця. На основі
теоретичних розрахунків запропоновано зонний модель нанокремнію. Показано, що завдяки варизонній енергетичній будові даний матеріял може
використовуватися для побудови ефективних фотоприймачів.
In a given work, the quantitative analysis of energy spectrum of silicon
nanocrystallite in a vacuum and in amorphous material is realized. Influence
of intermediate layer on the boundary between crystallite and matrix is taken
into consideration. On the basis of theoretical calculations, the band model of
nanosilicon is proposed. As shown, this material can be used to design effective
photodetectors because of its variable-gap energy structure.
В данной работе проведен количественный анализ энергетического спектра кремниевого нанокристаллита в вакууме и аморфном материале, а
также учтено влияние переходного слоя на границе кристаллит—матрица.
На основе теоретических расчетов предложена зонная модель нанокремния. Показано, что благодаря варизонному энергетическому строению
данный материал может использоваться для построения эффективных
фотоприемников.
|
| issn |
1816-5230 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76805 |
| citation_txt |
Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію / В.М. Коваль // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 987-998. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT kovalʹvm rozrahunokzonnogomodelûnanokristalíčnogokremníû |
| first_indexed |
2025-12-07T17:23:07Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:23:07Z |
| _version_ |
1850871054481752064 |