Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре

• Опубліковано в: Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2011
• ISSN: 1999-8074
• Автори: Абдулхаев, О.А., Асанова, Г.О., Гиясова, Ф.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.А., Каримов, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76894
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, А.А. Каримов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 188–193. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления обратного тока в кремниевых p⁺pn⁺- структурах с различной толщиной базовой области. Экспериментально показано, что как зависимости времени восстановления, так и времени жизни неосновных носителей от величины прямого тока стремятся к насыщению, которую можно объяснить наличием дополнительных рекомбинационных центров в базовой области. На підставі дослідження перехідних характеристик кремнієвої p⁺pn⁺-структури методом перемикання із прямого напрямку на зворотній визначені залежності часу життя неосновних носіїв заряду та часу відновлення зворотного струму в кремнієвих p⁺pn⁺-структурах з різною товщиною базової області. Експериментально показано, що як залежності часу відновлення, так і часу життя неосновних носіїв від величини прямого струму прагнуть до насичення, яку можна пояснити наявністю додаткових рекомбінаційних центрів у базовій області. Based on the research of transitional characteristics of silicon p⁺pn⁺-structure by method of switching from direct to reverse bias are obtained the dependences of the lifetime of minority carriers, and recovery time of the reverse current in silicon p⁺pn⁺-structures with different thickness of the base region. It is experimentally shown that the dependences of the recovery time as well as minority carriers lifetime from values of forward current tends to saturation, which can be explained by the presence of additional recombination centers in the base region.